Способ получения пучка ионов цезия
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
Способ получения пучка ионов цезия путем полевой эмиссии ионов с острийного эмиттера в вакууме, отличающийся тем, что, с целью получения пучка однородного состава и субмикронных размеров посредством уменьшения диаметра, угловой расходимости пучка и давления паров цезия в вакуумном объеме, эмиссию ионов осуществляют с нанесенной на него пленки цезия с концентрацией (2 5) 1014 атм/см2, при температуре острия 250 600 К, напряженности электрического поля на вершине острия (4 10)
107 В/см с последующим снижением ее до величины (1 2,5)
107 В/см.
Описание
Цель изобретения уменьшение давления паров цезия и улучшение параметров пучка, а именно уменьшение диаметра и угловой расходимости пучка и повышение однородности его состава.
Способ состоит в следующем.
В качестве эмиттера ионов берут вольфрамовое острие с радиусом закругления вершины порядка 10-6




При этом отсутствует испарение цезия в виде нейтральных и многоатомных частиц, и пучок состоит в основном из ионов Cs+.
Изобретение относится к эмиссионной электронике и может быть использовано в технологии и экспериментальной технике. Цель изобретения - разработка способа получения узкого пучка ионов цезия однородного состава с малой угловой расходимостью без напуска паров цезия. Способ включает подачу цезия на острийный эмиттер, приложение к эмиттеру положительного электрического потенциала в вакууме, нанесение цезия на вольфрамовое острие в виде пленки концентрацией (2 - 5)



Заявка
4158931/25, 11.12.1986
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Бернацкий Д. П, Власов Ю. А, Павлов В. Г
МПК / Метки
МПК: H01J 27/26
Опубликовано: 27.12.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1412516-sposob-polucheniya-puchka-ionov-ceziya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения пучка ионов цезия</a>
Предыдущий патент: Способ межоперационной консервации пластин арсенида галлия
Следующий патент: Светочувствительные соединения в вакуумных фотолитографических процессах
Случайный патент: Форма выполнения глиномялки, охарактеризованной в пат. № 13695 и № 18232