Сверхпроводящий датчик градиента магнитного поля

Номер патента: 367396

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Васильев, Лужанский, Мозин

МПК: G01R 33/00

Метки: градиента, магнитного, относительного, поля

...(8) следует, что разность токов питания датчиков Холла, включенных указанным образом, пропорциональна отношению градиента магнитного поля к величине магнитного поля в точке расположения второго датчика. Однако для определения относительного градиента согласно выражению (8) достаточно измерить величину тока 1 й, так как остальные величины 1 й и т, остаются неизменными в течение всех измерений.Известные ускорители заряженных частиц с сильной фокусировкой имеют, как правило, магнитное поле с постоянной величиной градиента, поэтому неточность в определении относительного градиента из выражения (8), как(2 6величины - , а неВв данномслучае не - (В+В)2существенна, В случае необходимости эта погрешность может быть исключена путем повторного...

Номер патента: 461392

Опубликовано: 25.02.1975

Авторы: Левитас, Пожела, Сталерайтис, Янавичене

МПК: G01R 33/06

Метки: градиента, датчик, магнитного, поля

...на граниные отводом области 3сти, а на противополож6 с большой скоростьюлей тока. На торцах помические контакты 7 и 8,При приложении напряжения к контактам7 и 8 и помещении датчика в магнитное полевозникает сила Лоренца, которая отклоняетпары носителей тока в пластине в направлении грани с областями р-типа проводимостиили от нее, Соответственно, у грани электронно-дырочных переходов, на которые подается отрицательное смещение, происходит накопление носителей тока или обеднение их концентрации. Наличие на грани 5 области с большой скоростью рекомбинации приводит к зна чительному увеличению концентрации неравновесных носителей тока у грани с р - п-переходами. Появление неравновесных носителей тока р - п-переходов вызывает...

Номер патента: 495622

Опубликовано: 15.12.1975

Автор: Егоров

МПК: G01R 33/07

Метки: градиента, датчик, магнитного, однокомпонентный, поля

...решающей способэлемент имеет на которои элемент 2,Изобретение относится к области магнитных измерений и может быть использовано для измерения локальных градиентов магнитного поля, в частности при исследовании доменной структуры.Известен датчик градиента магнитного поля, содержащий подложку с полупроводниковым элементом.Однако, такой датчик имеет достаточно высокий нулевой сигнал, порождаемый неодинаковостью датчиков, и достаточно малую разрешающую способность.Целью изобретения является уменьшение нулевого сигнала и увеличение ргзрешающсй способности.Поставленная цель достигается с помощью того, что полупроводниковый элемент предлагаемого датчика имеет Н-образную форму.На чертеже представлена схема предлагаемого датчика,Датчик...

Номер патента: 570857

Опубликовано: 30.08.1977

Авторы: Левитас, Пожела, Сталерайтис, Янавичене

МПК: G01R 33/02

Метки: градиента, датчик, магнитного, поля

...разрсшающсй способности (пространственной), т. е. при малой базе градиентометра.Цель изобретения - повышение точности 5 и чувствительности измерения.Это достигается тем, что в предлагаемомдатчике градиента магнитного поля две противоположные гранц пластины выполнены с равными скоростями поверхностной рском бинации носителей тока, а к одной из граней, перпендикулярной указанным двум противоположным граням, через слой диэлектрика приложен металлический электрод, кроме того, скорости поверхностной реком бинации носителей тока выбираются из соот- ношенияЗаказ 1928/20 Изд.685 Тираж 1109 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр....

Номер патента: 842651

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Балашов, Левитас, Радауцан, Тон

МПК: G01R 33/02

Метки: градиента, датчик, магнитного, поля

...две полупроводниковые параллель но расположенные полоски, соединенные между собой проводящей перемычкой. Полупроводниковые полоски выполнены из магниторезистивного материала и вместе с проводящей перемычкой эакреплены 25 на керамической подложке. Выходнойсигнал является дифференциальным от двух сигналов, пропорциональных значениям сопротивлений полупроводниковых полосок, зависящих от величины магнит ом данного устройства являая точность измерения.-35, Раушская наб. 3 ТиражИ Государстлам иэобреМосква,илиал ППП Патент, г. Ужгород, ул . Проектна Датчик работает следующим образом,По полупроводниковым полоскам 1, перемычке 2 и проводящим упругим элементам 3 пропускается постоянный ток в случае переменного и переменный в случае постоянного...