Формула

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее полупроводниковую подложку с размещенным на ней изолирующим слоем, на котором расположены основные информационные и основные управляющие электроды, первая и вторая проводящие шины и контактные площадки, первая из которых соединена с основными управляющими электродами, вторая контактная площадка соединена с второй основной проводящей шиной, которая соединена с первым основным информационным электродом, третья основная проводящая шина соединена с первым и вторым основными информационными электродами, первый основной управляющий электрод расположен между третьим и вторым основными информационными электродами, второй основной управляющий электрод расположен между четвертым и первым основными информационными электродами, четвертый основной информационный электрод расположен между вторым основным информационным электродом и вторым основным управляющим электродом, третья основная проводящая шина расположена над четвертым основным информационным электродом и над вторым основным управляющим электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, в него введены дополнительные информационные и дополнительные управляющие электроды, первая и вторая дополнительные проводящие шины и третья контактная площадка, расположенные на изолирующем слое, третья, четвертая и пятая дополнительные проводящие шины, причем первый дополнительный и третий основной информационные электроды соединены с первой дополнительной проводящей шиной, которая соединена с третьей контактной площадкой, дополнительные управляющие электроды соединены с второй дополнительной проводящей шиной и с первой контактной площадкой, третья дополнительная проводящая шина расположена над первым положительным управляющим электродом и над вторым дополнительным информационным электродом и соединена с третьим и четвертым дополнительными информационными электродами, четвертая дополнительная проводящая шина расположена над вторым дополнительным управляющим электродом и соединена с четвертым и пятым дополнительными информационными электродами, пятая дополнительная проводящая шина соединена с пятым дополнительным и первым основным информационными электродами, один из участков пятой дополнительной проводящей шины расположен над одним из участков первой дополнительной проводящей шины, один из участков второй основной проводящей шины и один из участков первой дополнительной проводящей шины расположены над одним из участков второй дополнительной проводящей шины, третий дополнительный информационный электрод расположен между первым дополнительным информационным электродом и первым дополнительным управляющим электродом, между четвертым дополнительным информационным электродом и первым дополнительным управляющим электродом расположен второй дополнительный информационный электрод, второй дополнительный управляющий электрод расположен между пятым и четвертым дополнительными информационными электродами.

Описание

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, и может быть использовано в системах обработки и преобразования информации.
Целью изобретения является повышение быстродействия запоминающего устройства.
На чертеже представлена структурная схема предложенного запоминающего устройства.
Устройство содержит полупроводниковую подложку 1, изолирующий слой 2, основные информационные электроды 3-6, дополнительные информационные электроды 7-11, основные управляющие электроды 12-13, дополнительные управляющие электроды 14-15, контактные площадки 16-18, основные проводящие шины 19-20, дополнительные проводящие шины 21-25.
Устройство изготовлено на кремниевой подложке 1 с поликремниевыми управляющими электродами по трехуровневой технологии и рассчитано на задеpжку четырех единиц информации.
Работает запоминающее устройство следующим образом.
Электроды 3-6, 12-13, проводящие шины 19-20 и контактные площадки 16, 17 образуют первый канал передачи зарядов, а электроды 7-11, 14-15, проводящие шины 21-25 и контактная площадка 18 образуют второй канал передачи зарядов. При воздействии импульсных напряжений на управляющих электродах 12-13, 14-15 двоичная информация в виде "единиц" (заполненных зарядом потенциальных ям) и "нулей" свободных от заряда потенциальных ям) поступает в устройство. Когда заряды помещаются под электродами 3 и 7, то первый канал закрывается, а второй канал открывается. При этом группа информационных зарядов поступает под электроды 4 и 8. Сюда же поступает и первый из задержанных зарядов из-под электрода 3. Если под электрод 3 одновременно приходят информационные "единицы", то часть суммарного заряда перетекает на выход устройства, а остальная часть сбрасывается через тактируемый электрод в диод (не показаны).
Если под электрод 3 приходят "единица" и "нуль" или "нуль" и "нуль", то заряд через этот электрод не проходит и на выходе формируется "единица совпадений".

Рисунки

Заявка

3689296/24, 13.01.1984

Костюков Е. В, Лысенко Б. М, Перфилов А. В, Скрылев А. С, Хатунцев А. И

МПК / Метки

МПК: G11C 21/00

Метки: запоминающее

Опубликовано: 30.07.1994

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1254932-zapominayushhee-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающее устройство</a>

Похожие патенты