Запоминающее устройство
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее полупроводниковую подложку с размещенным на ней изолирующим слоем, на котором расположены основные информационные и основные управляющие электроды, первая и вторая проводящие шины и контактные площадки, первая из которых соединена с основными управляющими электродами, вторая контактная площадка соединена с второй основной проводящей шиной, которая соединена с первым основным информационным электродом, третья основная проводящая шина соединена с первым и вторым основными информационными электродами, первый основной управляющий электрод расположен между третьим и вторым основными информационными электродами, второй основной управляющий электрод расположен между четвертым и первым основными информационными электродами, четвертый основной информационный электрод расположен между вторым основным информационным электродом и вторым основным управляющим электродом, третья основная проводящая шина расположена над четвертым основным информационным электродом и над вторым основным управляющим электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, в него введены дополнительные информационные и дополнительные управляющие электроды, первая и вторая дополнительные проводящие шины и третья контактная площадка, расположенные на изолирующем слое, третья, четвертая и пятая дополнительные проводящие шины, причем первый дополнительный и третий основной информационные электроды соединены с первой дополнительной проводящей шиной, которая соединена с третьей контактной площадкой, дополнительные управляющие электроды соединены с второй дополнительной проводящей шиной и с первой контактной площадкой, третья дополнительная проводящая шина расположена над первым положительным управляющим электродом и над вторым дополнительным информационным электродом и соединена с третьим и четвертым дополнительными информационными электродами, четвертая дополнительная проводящая шина расположена над вторым дополнительным управляющим электродом и соединена с четвертым и пятым дополнительными информационными электродами, пятая дополнительная проводящая шина соединена с пятым дополнительным и первым основным информационными электродами, один из участков пятой дополнительной проводящей шины расположен над одним из участков первой дополнительной проводящей шины, один из участков второй основной проводящей шины и один из участков первой дополнительной проводящей шины расположены над одним из участков второй дополнительной проводящей шины, третий дополнительный информационный электрод расположен между первым дополнительным информационным электродом и первым дополнительным управляющим электродом, между четвертым дополнительным информационным электродом и первым дополнительным управляющим электродом расположен второй дополнительный информационный электрод, второй дополнительный управляющий электрод расположен между пятым и четвертым дополнительными информационными электродами.
Описание
Целью изобретения является повышение быстродействия запоминающего устройства.
На чертеже представлена структурная схема предложенного запоминающего устройства.
Устройство содержит полупроводниковую подложку 1, изолирующий слой 2, основные информационные электроды 3-6, дополнительные информационные электроды 7-11, основные управляющие электроды 12-13, дополнительные управляющие электроды 14-15, контактные площадки 16-18, основные проводящие шины 19-20, дополнительные проводящие шины 21-25.
Устройство изготовлено на кремниевой подложке 1 с поликремниевыми управляющими электродами по трехуровневой технологии и рассчитано на задеpжку четырех единиц информации.
Работает запоминающее устройство следующим образом.
Электроды 3-6, 12-13, проводящие шины 19-20 и контактные площадки 16, 17 образуют первый канал передачи зарядов, а электроды 7-11, 14-15, проводящие шины 21-25 и контактная площадка 18 образуют второй канал передачи зарядов. При воздействии импульсных напряжений на управляющих электродах 12-13, 14-15 двоичная информация в виде "единиц" (заполненных зарядом потенциальных ям) и "нулей" свободных от заряда потенциальных ям) поступает в устройство. Когда заряды помещаются под электродами 3 и 7, то первый канал закрывается, а второй канал открывается. При этом группа информационных зарядов поступает под электроды 4 и 8. Сюда же поступает и первый из задержанных зарядов из-под электрода 3. Если под электрод 3 одновременно приходят информационные "единицы", то часть суммарного заряда перетекает на выход устройства, а остальная часть сбрасывается через тактируемый электрод в диод (не показаны).
Если под электрод 3 приходят "единица" и "нуль" или "нуль" и "нуль", то заряд через этот электрод не проходит и на выходе формируется "единица совпадений".
Рисунки
Заявка
3689296/24, 13.01.1984
Костюков Е. В, Лысенко Б. М, Перфилов А. В, Скрылев А. С, Хатунцев А. И
МПК / Метки
МПК: G11C 21/00
Метки: запоминающее
Опубликовано: 30.07.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1254932-zapominayushhee-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающее устройство</a>