Туриянский

Номер патента: 440368

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Галяутдинов, Зарипов, Туриянский, Хайбуллин, Штырков

МПК: G03H 1/04

Метки: голограмм, материале, полупроводниковом

...комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 мешивании при 135 - 140 С дополнительно добавляют порциями также гидроокись бария.Для лучшего отделения не растворимых в масле составных частей продукт реакции может быть разбавлен, например, рафинированными фракциями минеральных масел, растительными, животными и синтетическими маслами.Пример 1. В сосуде с мешалкой смеши. вают 100 ч, технической сульфокислоты с мол. в. 520, смешанной в соотношении 1:2 с веретенным маслом при 50 С, с 10 ч. нонилфенола, 2 ч. 37%-ного водного раствора формальдегида, 10 ч. окиси кальция и 22 ч. воды при температурах между 50 и 60 С; смесь насыщается при перемешивании в...

Номер патента: 490368

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Галяутдинов, Зарипов, Туриянский, Хайбуллин, Штырков

МПК: G03C 9/08

Метки: голограмм, материале, полупроводниковом

...отражения в экспоиированных и неэкспо нироганных областях голограммного материала, как известно, зависит контраст голографической решетки, а, следовательно, к,п.д, то есть дифракционная эффектив ность голограммы бРазность коэффициента отражения дляэкспонированных и неэкспонированныхобластей увеличивается путем повышения,концентрации свободных носителей в результате электрической активации внедренной примеси в экспонированных областях, которая определяет величину коэффициента отражения электромагнитных волнв ИК-диапазоне длин волн,П р и м е р, Высокоомный полупроводник, например, кремний , -типа сисходной концентрацией электроновф 10см з после соответствуюшей обработки(шлифовка, полировка) бомбардируюг наионном ускорителе...