Трещалина

Термический датчик перемещений

Загрузка...

Номер патента: 1125466

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Елисеев, Сарыкалин, Трещалина

МПК: G01B 7/00

Метки: датчик, перемещений, термический

...полупровод никового материала, например кремния, к которому присоединены три токоподвода 3 - 5, Крайние токоподводы 3 и 5 присоединены к полупроводниковому кристаллу 2 через омические контакты,55 а средний токопровод 4 - через электронно-дырочный переход. Нитевидный полупроводниковый кристалл 2 с токопроводами 3 - 5 является линейным аналогом однопереходного транзисто ра. В непосредственной близости от термочувствительного элементаразмещен нагреватель 6, выполненный в виде нитевидного кристаллического полупроводника 7 с двумя токоподводами 8,и 9, присоединенными к нему через омические контаты.Термочувствительный элемент 1 включен в схему релаксационного генератора, содержащего, например, резисторы 10 и 11 и конденсатор 12 фиг.2)....

Способ получения диарилгалогенфосфинов

Загрузка...

Номер патента: 943243

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Петров, Покатун, Трещалина, Чижов

МПК: C07F 9/52

Метки: диарилгалогенфосфинов

...мм рт,стп 1,6388 и 1,07 г (20 Ж) фенилдихлорфосфина, т.кип. 95-100 С/15 мм рт.ст.П р и м е р 3, Получение фенили"толилхлорфосфина из ФенилдихлорФосфина и три-п-толиларсина,Смесь 3,48 г (0,01 моль) тритолиларсина.и 15,85 г (0,0892 моль)фенилдихлорфосфина греют, как описано в примере 1, при 300-325 С и получают 3,68 г (52,3 ь) Фенил-и-толилхлорфосфина, т кип. 163170 С/10 мм рт.ст., п 1,6280 (литературные данные: т.кип. 128130 С/0,6 мм.рт,ст.).Найдено,Ф: С 15,48:,15,39;Р 13,30; 13,35с 1% НМС 1 РВычислено,0; С 15,15; Р 13,22,ЯМР Р =:-82.83 м.д. (относительно3185-ной НРО 4) .П р и м е р 4. Получение дифенилбромфосфина из дифенилбромарсинаи Фенилдибромфосфина.Смесь 6,20 г (0,02 моль) дифенилбромарсина и 32,1 г (0,12 моль)фенилдибромфосфина в...

Устройство для измерения температуры газового потока

Загрузка...

Номер патента: 767566

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Домрачева, Трещалина

МПК: G01K 13/02

Метки: газового, потока, температуры

...измерения, которая обусловлена различием температурного поля по длине термочувствительйого элемента, 20Наиболее близким по технической суцности и достигаемому результату к изобретению является устройство для измерения температуры газового потока, содержацее термопару, горячий)25 спай которой размещен в центре критического сечения сужающейся сопловой камеры 2).Недостатком известного устройства, является низкая точность измерения, 30 обусловленная значительными динамическими погрешностями. Устройство имеет высокую инерционность (например, при скорости набегающего потока, соответствуюцей числу М,5, и статическом давлении Р,3 кг/см показатель тепловой инерции датчика составляет около 8 с. Высокая инерцйонность"устройства вызвана малой...

Способ получения ионитов

Загрузка...

Номер патента: 562988

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Петров, Трещалина, Чижов

МПК: C08G 16/00

Метки: ионитов

...воатал Изобретение Относится тетцческих ионоэбменных с мых в качестве сорбентов, зователей и пля других цеИзвестны способы получ держащих цонцтов взаимоде пегида, фосфорорганцческих фенола 111,21.Однако при известном с создать структурттрэванный новременно регулировать с рактерцстцки ионитэв. е р 1. 1 87 г фецила ой кис цты рас.тср 5 нт гцпроэкисц на рв Й яют 4 Г те р и,5 Г 2988 Составитель С. ВасюковРедактор П. Горькова Техреп 11. Лнпрейчук Корректор Е. Папп Заказ 3310/4 Гираж 641 Подписное 1111 ИИ 11 И Государственно о комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., а. 4/5Филиал П 1 П 1 "Патент", г, Ужгород ул. Проектная, 4 но перемецтиввя приливают Г г 35 Ъ-ногораствора форлталтдет...

Способ очистки высших диалкилфосфатов

Загрузка...

Номер патента: 596592

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Петров, Позднев, Трещалина, Чаузов

МПК: C07F 9/11

Метки: высших, диалкилфосфатов

...отходОв в процессе производства высших диалкилфосфатов высокого качества.П р и м е р 1. К раствору 11,7 г ,фосфорсодержащего экстракта из сточных вод процесса очистки технической ди-этилгексилфосфорной кислоты в 50 мя бензола при 0-10 С добавляют 16,2 г хлорокиси Фосфора и выдерживают, перемешивая при 20 С час. Затем при этой же температуре добавляют . 6034 г 2-зтилгексанола и смесь нагревают 4 ч при 80-95 С. После этого ре"акционную массу промывают водой, бензол отгоняют з вакууме 30-100 мм при100 С и продукт (48 г) подвергают 65 очистке с 60 г 20-ного водного раствора ИоОН, отбирая водно-органиче-ский азеотроп и одновременно компенсируя выкипающую воду добавлением еев реакционную массу. После 5 ч нагревания смесь охлаждают,...