Тертишников

Номер патента: 1734059

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Катилин, Тертишников

МПК: G01R 33/16

Метки: аппаратуры, помехозащищенности, радиоэлектронной

...аппаратуры в рабочем объеме устройства при включении генератора 1 синусоидального типа высокой частоты 1 создается синусоидальный сигнал частоты в и в одну пару рамочных излучателей поступает ток з = о з и щ т. Этот же сигнал через фазовращатель ФВ 14 подается на балансный модулятор 17, на второй вход которого поступает сигнал от вспомогательного генератора ГНЧ 16 частоты Й Таким образом на вход модулятора 17 поступают два сигнала; о соз со т и о зи Й т и на его выходе образуется сигнал 1 = Ь соз в 1зи Й т, поступающий на вторую пару рамочных излучателей, Сигнал с выхода ФВ 14 вида соз со с поступает также на балансный модулятор 18, на второй вход которого подается сигнал от фазовращателя 15 видасов Йс. На выходе модулятора 18...

Номер патента: 1515210

Опубликовано: 15.10.1989

Авторы: Бурак, Дергачев, Каретникова, Коваленко, Радченко, Тертишников

МПК: H01F 27/24

Метки: индукционное

...отноСится к преобразовательной технике и может бытьиспользовано при проектировании источников электропитания электрической и радиоэлектронной аппаратуры различного назначения, в том числе для источников питания на малые выходные напряжения (2-5 В) и большие токи нагрузки (свьппе 1000 А),в частности для быстродействующих (свьппе 100 млн, операций в секунду) ЭВМ.Цель изобретения - расширение области применения за счет создания плоскостной высокомощной конструкции (при нагрузке 100 А и выше и для напряжений 220 В и более).На фиг. 1 показано трехобмоточное индукционное устройство, общий вид; на фиг. 2 - зависимость удельной характеристики трансформатора Д - отС 15202530 набирается магнитопровод, лежит в диапазоне 6-20.Предлагаемое...

Номер патента: 854564

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Гордеев, Новиков, Платунов, Тертишников

МПК: B22D 11/01

Метки: защитно-экранирующее, кристаллизаторе, литья, непрерывного, слитков, установки, электромагнитном

...с возможностью вертикального перемещения, внутри которой установлена крышка, а в съемных фланц-экранах и крышке предусмотрены смотровые окна.Кроме того, стенка обечайки может быть выполнена с конфигурацией и размерами внешней поверхности, соответствующей боковой поверхности жидкой зоны формирующего слитка. экранирующее устройство таким образом, чтобы нижний торец обечайки 3 не контактировал в процессе литья с началом фронта кристаллизации на боковой поверхности слитка и был бы несколько ниже торца стенки крышки 1Перед подачей расплава защитно-экра" нирующее устройство нагревают доо600-800 С. Момент начала опускания поддона определяют по высоте жидкой эоны слитка в поле индуктора 7, изменение высоты которого контролирует ся...

Номер патента: 854563

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Гордеев, Игнатьев, Корытов, Платунов, Тертишников

МПК: B22D 11/01

Метки: кристаллизаторе, литья, непрерывного, полунепрерывного, слитков, электромагнитном

...в виде установленной с возможностью перемещения вдоль технологической оси установки крышки и съемных фланц-экранов, размещенных в расточках ее.В процессе литья нижняя часть крышки устройства, заглубленная по периметру мениска в расплав, удерживает образующиеся и скапливающиеся на поверхности мениска различные окисные и шлаковые образования и препятствует попаданию их в зону формирования боковой поверхности отливки. Благодаря удержанию окислов и шлаков на верхней части мениска расплава в области крышки, оставшаяся часть мениска по периферии слитка остается в процессе литья чистой, свободной от окислов и шлаков, что обеспечивает формирование слитка с плотной кристаллической структурой и качественной боковой...

Номер патента: 849115

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Задерей, Тертишников

МПК: G01R 33/02

Метки: управляемое, феррорезонансное

...гоаесЬапса 1 Оезцп" 17,У 8, 1973. р. 77-83.й. ЕДИ. 1973, )цпе 20, 9734( прототип3 8491На чертеже изображено управляемое феррорезонансное устройство.Фгррорезонансное устройство содержит два С-обраэных сердечника 1 и 2, повернутых относительно друг друга на 90 О и состыкованных вместе, На сердечнике 1 размещены входная обмотка 3, выходная обмотка 4, на сердечнике 2 - обмотка 5 ущ явления. Входная обмотка 3 выполнена в виде двух О взаимно изолированных ленточных электропроводников 6 и 7 с двумя выводами: один от начала проводника б и второй вывод от конца ленточного проводника 7, при этом каждый виток в каждом ленточном проводнике входной обмотки 3 изолирован.Устройство работает следукщим об разом.При приложении к входным зажимам обмотки 3...

Номер патента: 843012

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Великодный, Задерей, Ивкин, Казьмин, Тертишников, Яценко

МПК: H01H 36/00

Метки: импульсный, ключ, кнопочный, магнитный

...полученияс обмотки датчика максимальной амплитуды напряжения импульса.Используя подобную проволоку в качестве сердечника датчика и магнитнуюсистему предлагаемого ключа, можнопоследовательно изменять направлениенамагниченности сердцевины сердечника по всей длине с высокой скоростью,не зависящей от скорости изменения возвоздействующего на датчик магнитногополя. Это в свою очередь, позволяетполучать с сигнальной обмотки датчи-.ка электрические импульсы напряжения,не зависящие от скорости нажатия наклавишу переключателя, с высоким отношением сигнал-шум.Принцип действия предлагаемых импульсных магнитных кнопочных ключейсостоит в следующем.В исходном состоянии импульсногомагнитного кнопочного ключа магнит843012 Формула изобретения ное...

Номер патента: 817924

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Задерей, Иванов, Кардаков, Солдатов, Тертишников

МПК: H02M 7/06

Метки: напряже-ния, переменного, постоянное

...разность напряжений обмоток 4 и 5 (1)4), на диодах 6-7 и 10-11, образуя таким образом треугольник напряжений приложенный к трехфазной мостовой схеме, что позволяет получить на ее выходе выпрямленное; с частотой пульсаций равной 6 сети и соответ. ствующимм уров нем пульс аций.Наиболее благоприятйый режим выпрямления и минимальный уровень пульсаций (фиг, 2) наступает, когда коэффициент магнитной связи, угол р поворота полусердечников,приближается, к" 30 , т,е, 90 -30 =60 , При мень ших углах уровень пульсаций возрастает от расчетного, однако частота остается равной 6 Е сети,что позволяет уменьшить массогабаритные показатели индуктивно-емкостного фильтра. 40Расчетные отношения напряжений вторичных)обмоток паратранса к среднему...

Номер патента: 806238

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Белебашев, Гордеев, Ловцов, Новиков, Платунов, Тертишников

МПК: B22D 11/14

Метки: кристаллизаторе, литья, непрерывного, полу-непрерывного, слитков, электро-магнитном

...и сплавов, а тонкий слойфлюса, вытягиваемый закристаллизфвавиийся боковой поверхностью слитка,застывая на слитке, образует корочку,защищающую от окисления его боковуюповерхность,В случае литья слитков с Флюсом,распределительно-демпфкрующая чаша4 устанавливается в обечайку 3 таким образом, чтобы ее перфорированная перегородка 5 была бы полностью.заглублена во флюсовую ванну, а прилитье беэ защиты жидкой зоны слиткафлюсом перегородка может заглубляться под зеркало расплава. Величиназаглубления в расплав стенок чашиопределяется необходимостью в большей мере задерживать неметаллические твердые включения от попаданияих на боковую поверхность жидкойзоны слитка и снижения металлодинамнческого и конвективного воздействия расплава ка...

Номер патента: 806236

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Белебашев, Гордеев, Ловцов, Новиков, Платунов, Тертишников

МПК: B22D 11/01

Метки: литья, непрерывного, слитков

...поля. Это обеспечивается поддержанием высоты жидкой зоны слитка на 5-20 выше номинальной регулятором 5 расхода металла, а величины напряжения на индукторе - регулятором б.Номинальная величина металло- статического давления. расплава. равна величине давления электромагнитного поля в.зоне раздела фаз твердой.и жидкой зон на боковой поверхности отливки.Регулирование расхода жидкого металла и величины напряжения на индукторе для обеспечения постоянного превышения силы металлостатического давления над силой давления электромагнитного пОля на границе раздела твердой и жидкой Фаэ произ" водят после того, как в процессе литья поддон (затравка) 7 с частично закристаллизовавшимся металлом выйдет из области максимального давления...

Номер патента: 782088

Опубликовано: 23.11.1980

Авторы: Задерей, Иванов, Кардаков, Солдатов, Тертишников

МПК: H02M 7/06

Метки: переменного, постоянный

...тока в постоянный на фиг. 2 содержит паратранс 19,первичная обмотка 20 которого, подсоединена к входным выводам преобразователя, 35Вторичные обмотки паратранса .21 и 22выполнены с отводами от средних точекобмоток и промежуточными отводами, которые в каждой обмотке равноудалены от ееконцов, Каждый конец обмотки 21 черезвыпрямительные диоды 23 - 26 подключенык каЖому промежуточному отводу обмотки 22. В свою очередь, каждый конец обмотки 22 через выпрямительные диоды 27 -30 подключен к каждому отводу обмотки 21.Подключение выпрямительных диодов к кон- ицам обмоток выполнено противополярно,то есть к концам обмотки 21 выпрямительные диоды 23 - 26 подключены анодами, ак концам обмотки 22 выпрямительные диоды 27 - 30 подключены...

Номер патента: 391618

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Задерей, Тертишников, Цилинский

МПК: H01F 30/14

Метки: bhbjihj, изменения, фазыui-ffitiio-ii

...фазы выполне- Оно в виде магнитного моста на Ш-образномсердечнике 1 с входной обмоткой 2 в однойдиагонали, выходной обмоткой 3 в другойдиагонали, управляющей обмоткой 4 в одномиз плеч и дополнительно введенной шунтирующей обмоткой б в смежном плече, нагруженной на сопротивление б (7 - сопротивление нагрузки).Центральный стержень Ш-образного сердечника, выполненного из магнитомягкого зО- магнитное сопротивление ярмабез выходной обмотки;- сопротивление нагрузки;- число витков выходной обмотки; - частота.гнит 1 ные сопротивления участков ас, - активные, соответствующие магнит- сопротивлениям Рм 1 (х, ме Ямз, причем На Ях,е МОжЕт МЕНЯТЬСЯ В ЗаВИСИМОСтн а управления в управляющей обмотке 4. гнитное сопротивление участка аа явкомплексным,и...