Сиповский

Номер патента: 1430367

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Ванганен, Павлов, Романченко, Рятсеп, Сиповский, Цурикова

МПК: C02F 1/66, C02F 5/10

Метки: вод, минерализованных, сильнощелочных, стабилизационной, сточных

...97,2 68,9 44,7 31,5 68,5 97,2 96 44,7 65,2 97,2 30,0 44 7 65 2 120 97 2 30 0 Изобретение относится к стабилизационной обработке щелочных сточных вод и может быть использовано в химических, коксохимических, нефтехимических и сланцеперерабатывающих производствах.Целью изобретения является повьппение степени стабилизации. 10В качестве реагента для стабилизационной обработки используют кислыйгудрон - отход серно-кислотной очистки в производстве ароматических углеводородов. 15Основными компонентами кислогогудрона являются, мас,%: серная кислота 50-65, органические вещества17-.29, в т.ч. сульфокислоты 13-20,Стабилизационной обработке подвергают поступающие на золоотвалы промьппленные и ливневые сточные воды,характеризующиеся высоким...

Номер патента: 270756

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Исаков, Сиповский

МПК: B01J 19/28

Метки: сатуратор

...смеси газообразным аммиаком.Для увеличения производительности и обеспечения безопасности процесса . в предлагаемом сатураторе барабан 15 на выходе оборудован кольцевым порогом и выполнен с отношением длины барабана к внутреннему диаметру кольцевого порога, равным или близким котангенсу угла естественного отко О са сатурируемого материала.На чертеже показан описываемый сатуратор.Он состоит из горизонтального вращающегося барабана 1 с кольцевым 25 порогом 2 и полками 3, заключенного в кожух 4, установленного на одной оси с барабаном шнекового питателя 5, патрубка б ввода аммиака, патрубка 7 и шнека 8 для выгрузки сату- ЗО рированного материала из барабана 1.При работе сатуратора сыпучий материал подается во вращающийся...

Номер патента: 1078551

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Гетманенко, Карпов, Серов, Сиповский

МПК: H02M 1/08

Метки: замыкания, защитой, короткого

...замыкания, содержащее задающий транзистор, подсоединенный своей базой через первый резистор к одной из клемм для подключения источника управляющего напряжения и к аноду первого диода, катод которого подключен к катоду второго диода, а коллектор задающего транзистора подсоединен к первой клемме для подключения источника питания через последовательно соединенные второй и третий резисторы, точка соединения которых подключена к базе мощного транзистора, эмиттер которого соединен с первой клеммой для подключения источника питания и коллектор подсоединен к катоду второго диода и первой клемме для подключения нагрузки, четвертый и пятый резисторы, при этом вторые клеммы для подключения источников питания и управляющего напряжения и нагрузки...

Номер патента: 898635

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Архипов, Бугай, Коробов, Лошаков, Сиповский

МПК: A01G 9/00

Метки: субстратов, торфомассы, формования

...распределителя жидких удобрений, откуда стекают равномерно по всей ширине ,движущегося сформованного субстрата. Распределитель слива изолирован от рамы выходного шибера и соединен с источником постоянного тока, а другим электродом является транспортер, по которому перемещается сформованный субстрат.Устройство для формования субстратов из торфомассы работает следующим образом.Торфомасса из смесителя поступает в бункер 1. При движении транспортер 2 захватывает торфомассу, барабаном 3 вы стилает слой заданной толщины и подает под пуансон 4 формующего механизма. Транспортер останавливается, шиберы 7 (входной и выходной) перекрываются. Пуансон 4 с формующей рамкой 5 опускается на, расстил торфомассы и начинается процесс формования и...

Номер патента: 873492

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Архипов, Гаврильчик, Симонова, Сиповский, Чистяков

МПК: A01G 9/10

Метки: производства, субстратов, торфа, формованных

...перемешиваетсязО и превращается в текучую нейтрализованнро формомассу, имеющую рН солевое, 6,6 и содержание влаги 95%.Однородная нейтрализованная торфомасса выстилается на сетчатом транспор 35 тере выстилающим аппаратом слоем топшиной 90 мм и поступает в формующую .сгекцию, где производится отжим избыт%- ка воды и формование с нанесением каювок и посадочных лунок влажных торфоблоков.Влажные отформованные торфоблокиимеют толщину 50 мм,и содержат 87% влаги еОтформованные торфоблоки размером500 ф 500 мм (в общей плите 1000 ф45(1000 мм) имеют нанесенные вдоль ипоперек разделительные канавки глубиной 27-29 мм, образующие в каждомторфоблаке 25 квадратных ячеек размером,100 э 100 мм, 3 ыеющие в центрекаждой ячейки конусные посадочные лун ки...

Номер патента: 904607

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Равич, Сиповский

МПК: A01G 31/00

Метки: производства, субстратов, торфа, формованных

...слоях не менее 15%,при 55 которой возможно восстановление водспоглотитеьных свойств, т.е. не снижается качество продукции. При увеличении, длительности нагрева возрастает энергоТемпература теплоносителя,(; СИз табл. 1 следует, что эффективная сушка субстратов возмокна при 100- 160 С в течение 2,0-0,25 ч. Зто означает, что приведенные параметры сушки позволяют за небольшой промекуток времени (малые энергозатраты) максималь 07П р и м е р 1. Отформованные субстраты сушат при 100 С 2 ч до влажности поверхностных слоев не менее 15% (влажность срединных слоев торфоблоков около 78%). Затем субстраты выдерживают при нормальных условиях 8 ч, влажность поверхностных слоев торфоблоков при этом достигает 40%. Повторив нагрев с теми же...

Номер патента: 745008

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Зеленко, Михайлов, Нилов, Сиповский, Шапиро

МПК: H04L 1/04

Метки: дискретной, информации, искажений, канале, обнаружения, приемников, связи, сигналов, частотно-манипулированных

...фиг, 2 видно, что при изменениидлительности импульсов более чем на50% ото/Л уровень второй гармоникисигнала начинает падать, а следовательно, падает и чувствительность устрой":ства к помехам, вызывающим такие искажения.5008 ф С помощью конденсатора (на чертежене показан) в блоке дифференцирования 2 устраняется постоянная составляющая из спектра последовательности импульсов с выхода формирующего узла 1, Это приводит к тому, что на выходе конденсатора среднее значение напряжения станет равным нулю, т.е, произведение амплитудыположительного импульса на его длительности будет равно произведению амплитуды отрицательного импульса на его длительность (станут равны площади поло 10 жительного и отрицательного импульсов). Если сигнал не...

Номер патента: 666102

Опубликовано: 05.06.1979

Авторы: Архипов, Сиповский

МПК: B30B 9/10

Метки: субстратов, торфомассы, формования

...ста ОВка цляформовянкя субстратов 111 сбоку:, на1 ГИ-. 2 - формуощий мех 1101 В рязреУ о 1 сВо для фор1 ,бто тОВ из тОГфомассы Входит 1стяОВку, вкл 10 ча 10 щу 0 Выстцлгпощцй . х . зм с букером , 01 вЯнчонУ 11 с Су сетча. тым транспортером 2, Паз; .Вццваюцгцй пааПОЯН 3 КО у 0 ц цй 1: П 0 Я Б Б це Вертикальго ОреИВпаО 01011 уансоня 4 с нюкнцм расол 01 кеце.;1 цроццлндров 5. ГЬ станинес торцовых сторон укреглены два упоявляекь.:х ццбепа 7, Иа верхних концах шцберов установлены ОГОянчктельн 11 е упорь ЭКо. Орые фкк. сируют пОЙОжгцце тГ 8110 рсь. 9 гя кОтО:- ой расположен Вцоратор 1 О. 11. Пуансон натянута сеГкя 1 1. ко Орая служит ЦЛЯ ОТВОДЯ ВОДЫ ПРЦ ПЕССЯ 1 ЯНИЦ. К КРЕПцтСЯ ПОДПРУжкпЕНЯЯ фоРМУ 10 ЦЯЯ РЯМ кя 12, которая посредством...

Номер патента: 485936

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Исаков, Сиповский

МПК: B65G 65/30

Метки: дозатор, питатель, слабосыпучих

...валу 4 дозцрующцй секторный 5 ротор 5, лопастной рыхлцтель 6 и привод 7.1-1 ад разгрузочным отверстием 2 емкости 1 между дозирующцм секционным ротором 5 и лопастным рыхлцтелем 6 установлен секторный козырек 8, предупреждающий сквозную 1 О просыпку материала из емкости 1 в патрубок3. На секторном козырьке 8 с помощью прижимной планки 9 закреплен упругий элемент, например плоская пружина 10. Разгрузочное отверстие емкости пцтателя выполнено удли цепным, в виде паза 11, расположенного подуглом 20 - 70 к п, оскости, проходящей через ось вращения ротора ц центр разгрузочного отверстия.Пцтатель-дозатор работает следующим об разом.Загруженный в емкость 1 сыпучий материалпри вргщеццц вала 4 от привода 7 захватывается секциями дозирующего...

Номер патента: 478412

Опубликовано: 25.07.1975

Авторы: Нилов, Сиповский, Шапиро

МПК: H03D 3/00, H04L 27/14

Метки: приема, сигналов, частотно-манипулированных

..."2 путем глубокого ограничения по амплитуде, затем ввиду того, что спект такой последовательности содержит только нечетные гармоники, осушествляют детектирование сигнала на одной из нечетных гармоник характеристических частот, после чего формируют исходный модулируюший сигнал.На чертеже изображена функциональная схема устройства приема ЧМ-сигнала.Устройство содержит последовательно соединенные усилитель-ограничитель 1, частотный дискриминатор 2 и пороговую схему 3.Устройство приема ЧМ-сигнала работае следуюшим образом.Принимаемый ЧМ-сигнал поступает на вход усилителя-ограничителя 1 на выходе которого формируется последовательность прямоугольных импульсов со скважностью "2"; Спектр такой последовательности со-47812 Составитель Г,Теплова...

Номер патента: 388346

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Сиповский

МПК: H03B 5/24

Метки: транзисторный, чм-генератор

...7 це пи обратной связи, резисторы 8 и 9, источники 10 и 11 питания.Колебательный контур включен между базой и эмиттером каждого из транзисторов. Положительная обратная связь с контуром ЗО осуществляется через резистор 7. Питание транзисторов производится от источников 10 и 11 постоянного напряжения. Резисторы 8 и 9 включены в цепь эмиттера транзисторов и служат для выравнивания параметров тран. зисторов.Во время положительной полуволны синусоиды открыт транзистор 2, и положительная обратная связь с контуром осуществляется через него, резистор 7 и отвод катушки индуктивности. Транзистор 1 заперт.Во время отрицательной полуволны синусоиды открыт транзистор 1, и обратная связь осуществляется через него. Транзистор 2 заперт. Таким...

Номер патента: 387532

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Сиповский

МПК: H04L 1/04

Метки: дискретной, информации, искажений, канале, обнаружения, приемников, связи, частотно-манипулированных

...2 второй гармоники г,фильтр 4 нижних ч 5 и схему ИЛИ Ь.ь устройстве принятый сигнал поступает извходных цепей приемника на формирующий 5 узел 1. Формирующий узел усиливает сигнал,ограничивает по амплигуде и формирует его в импульсную последовательность. Фронты импульсов соответствуют моментам пересечения нуля входным сигналом.10 При чисто синусоидальном сигнале скважность импульсов равна двум, 1 акая импульсная последовательность содержит в своем спектре только нечетные гармоники основной частоты, При наличии искажений скважность 15 меняется, при этом в спектре импульсной последовательности появляются составляющие четных гармоник. 1-1 аибольший уровень имеет вторая гармоника сигнала. Фильтр 2 второй гармоники выделяет ее из спектра,...