Шиповникова

Номер патента: 1775759

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Быков, Шиповникова

МПК: H01P 1/18

Метки: свч-фазовращатель

...проводник расположен с зазором относительно заземленного экрана и его толщина лежит в пределах (0,5 - 0 9) Н, где Н расстояние между сигнальным проводником и заземленным экраном, согласно изобретению, ширина дополнительного проводника выбирается впределах (1 Ж 1) В/, где ЧЧ - ширина сиг 5 нального проводника,На фиг.1 показана конструкция устройства; на фиг.2 - зависимость фазового реэьбового разброса д(ЬР) от шириныдополнительного проводника.10 На фигурах и в тексте приняты следующие обозначения1 - сигнальный проводник;2 - заземленный экран;3 - диэлектрический вкладыш;15 4 - дополнительный проводник;т - толщина дополнительного проводника;Н - расстояние от сигнального провод.ника до заземленного экрана;20 Ю - ширина сигнального...

Номер патента: 1663646

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Быков, Шиповникова

МПК: H01P 1/10

Метки: свч-ограничитель

...прохождение сигнала и такое дающих устройствах. Цель изобретения - увеличение широкополосности в режиме прохождения сигнала, развязки и ширины полосы в режиме запирания, СВЧ-ограничитель содержит первый отрезок 1 линии передачи, четвертьволновый шлейф 2, диод 3, второй полуволновый отрезок 4 линии передачи, дополнительные диоды 5: В режиме прохождения сигнала диод 3 и дополнительные диоды 5 открыты, что обеспечивает прохождение сигнала и компенсацию влияния четвертьволнового шлейфа, В режиме эапирания диод 3 и дополнительные диоды 5 закрыты. 1 ил. включение второго отрезка 4 линии передачи, при котором происходит компенсация влияния четвертьволнового шлейфа 2, что увеличиват широкополосность, В режиме развязки диоды 3 и дополнительные...

Номер патента: 1626271

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Быков, Шиповникова

МПК: H01P 1/18

Метки: сверхвысокочастотный, фазовращатель

...круглой поверхностью. Оси заземленного основания 1, диэлектрическоговкладышд 2 иось, проходящая через концывнутреннего йроводника 3, к которым жестко прикреплены выводы 4, параллельны,Выводы 4 проходят через отверстия в торцовых стенках 5 заземленного основания 1,которые могут быть соединены с ним либо спомощью пружинных контактов, либо с помощью дросселя (не показаны).Заземленное основание 1 установленос возможностью вращения вокруг оси 6, которая совпадает с осью, прохожящей черезвыводы 4, или параллельна ей, Механизмвращения может быть выполнен в виде зубчатых колес 7,Сверхвысокочастотный фазовращательработает следующим образом.При повороте заземленного основания1 вместе с закрепленным внутри него диэлектрическим вкладышем 2 за...

Номер патента: 1446657

Опубликовано: 23.12.1988

Авторы: Вовчук, Деневич, Ежкова, Зуев, Копыл, Крамер, Лившиц, Рулева, Светачева, Столбов, Чередниченко, Шиповникова, Шишов

МПК: H01B 19/00, H01B 3/40

Метки: компаунда, отверждения, эпоксидного

...корпуса. Результаты испытаний показаны на фиг. 1 и 2, из которых видно,что оптимальный режим криолиза -температура не выше - 10 С в течениене менее 20 ч.Значение параметра ЭКМ ЭМ "з".2электрическихпотерь Диэлектрическаяпроницаемость на частоте 1 мГц, не более 4,8 Удельное объемное электричес"кое сопротивление, Ом см 10 - 15- 10 -101,195 0,2 Влагоемкостьпосле годовойвыдержки вводе, % Механическаяпрочность.,кг/см 234 218 Модуль Инга,кг/см 8,104 4 1, ОФ 60 10130 .1060 10130 1 ОТКЛР Результаты испытаний загерметизированных приборов приведены в табл. 2. Были проведены испытания на диодах 2 Д 212, 2 Д 106 и выпрямительных столбах 2 Ц 103, 2 Ц 111, 2 Ц 113 и получены положительные результаты. Тех" нологический выход годных приборов возрастает...