Росницкий

Номер патента: 326637

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Жучков, Кугутов, Микаэль, Росницкий, Семенова

МПК: G11C 11/06

Метки: пмпульсов, формирователь

...в широком температурном диапазоне.Схема описываемого формирователя импульсов тока показана на чертеже. 20Формирователь импульсов тока соержит эмиттерцый повторГгель 1, выходной каскад 2, диоды 3 и )т.Работает формирователь импульсов т следующим образом.Эм)п Герццй повторитль 1 норм;)лицо от- (1)ыг ц СГ)вхСстцо с диодом,) ОГбесцсчцГС) пира)01 цсе и;)прлжецие нд б)е ) рц;исторд выходного каскада, 11 ри ср.батывдции схемы На эмиттерный повторитель поступает импульс 30 цди)лткгци 51 От)ицдтсльцо) 110 ллрцости, дм илцтуд) 150 торО ц )с 1,) ц 1 с т цо ) бсолОтцому :)цдчсцц вс.)цццц цсточццк терморегулц- РСХО) ) Ц Д Ц )51 ЖЕЦ ЦЛ, Ко 0)ЫЙ ЦОДКЛ 101 Еи 1( точк:). Эт;)м Обсспсч:в;)стсл ф;11;сировдцие цд 1 б,емом ) ровне эмилиоды цхпульс...

Номер патента: 282428

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гродзенский, Гуральник, Росницкий, Торотенков, Циолковска, Ярославцев

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...4/5 Областная типография Костромского управления по печати ческие струны из материала, имеющего относительное удл нсние не менее 40%,Предмет изобретения1. Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках, состоящий в том, что на ткацком станке в качестве основы натягивают технологические струны, в которые последовательно вплетают обмотки, после окончания плетения заливают обмотки компаундом или лакируОТ, а затем извлека 1 от технологические струны, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов матриц и устранения деформации обмоток, в процессе изготовле 5 ния технологические струны перемещают, а сформированные обмотки отделяют от зоны плетения зажимом-разделителем,2, Способ по п. 1,...

Номер патента: 219634

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гродзенский, Гуральник, Росницкий, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, ячейка

...током в адресной обмотке, и полем, размагничивания, которое возникает 10 при повороте намагниченности к осевому направлению и замыкании магнитного потока, обусловленного этой намагниченностью вне ЦТМП.Обмотка считывания должна быть узкой, 15 чтобы поле размагничивания было велико, аистинное поле возбуждения адресного тока считывания б было меньше минимального поля анизотропии ЦТЯП во всех точках запоминающей ячейки, благодаря чему величина 20 остаточной намагниченности не будет уменьшаться при сколь угодно большом числе возбуждений (обращений к ячейке). Это происходит в том случае, если угол поворота намагниченности не превышает некоторой критиче ской величины, при которой он полностью обратим.Поле размагничивания возникает...

Номер патента: 213419

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Росницкий, Торотенков

МПК: G01B 7/30, H03M 1/22

Метки: легкого, магнитнойпленки, намагничивания, оси, отклонения, угла, цилиндрической

...12 пленки будет усгановлена в направлении, которое условно будет считаться положительным, Для такого направления можно построить кривую разрушения 13.При разрушении этой намагниченности импульсом 2 осевого поля, когда амплитуда сигнала 4 равна нулю, конец вектора 14 осевого разрушающего поля Нр, лежит на кривой разрушения 13.После окончания установочного импульса 5 намагниченность 15 пленки будет установлена в направлении, которое будет условно считаться отрицательным. Для такого направления намагниченности можно построить кривую разрушения 1 б. При разрушении намагниченности 15, когда амплитуда сигнала 4 равна пулю, конец суммарного вектора 17 полей Нр, 14 и Нр 18 лежит на кривой 1 б.1.1 а этой же фигуре даны теоретическая...

Номер патента: 190414

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Росницкий, Торотенков

МПК: G11C 11/14, G11C 5/04

Метки: замкнутый, запоминающий, магнитный, тонкопленочиый, элемент

...магнитный запоминающий элемент тороидальной формы.Он состоит из цилиндрического проводника1 (подложки), изогнутого в виде тора и покрытого ТМП, тонкого слоя 2 ферромагнитного материала (кипера) для замыкания маг нитного потока по зазору (этот слой кипераможет быть сведен к минимуму и совсем прп малом зазоре отсутствовать), многопроводпой обмотки 3 возбуждения.Замыкание магнитного потока по воздуху в 5 небольшом зазоре при отсутствии кипера приводит к тому, что зтагнитное поле формы сосредоточено в основном в этом зазоре и практически не действует на ТМП запоминаюгцего элемента.20 Ось легкого намагничивания (ОЛН) анизотропной ТМП у элементов первого типа совпадает с окружностями сечений, плоскости которых содержат ось вращения тора,...

Номер патента: 187839

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Росницкий, Торотенков

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: запоминающего, магнитных, матрица, пленках, тонких, устройства, цилиндрических

...или устранено совсем. При этом оно будет мало зависеть от геометрических размеров запоминающей ячейки.Таким образом, геометрические размеры ячеек могут быть уменьшены до таких величин, которые обеспечивают существующий уровень технологии. Величина истинного поля возбуждения в ячейках предлагаемой матрицы будет близка к величине поля управляющих токов, это даст возможность снизить их амплитуды, Выход магнитного потока из пленки запоминающей ячейки будет локализован в месте подхода дополнительного магнитопровода к пленке. Благодаря этому запоминающие ячейки могут быть расположены весьма близко одна к другой.На чертеже показан один из вариантов выполнения предлагаемой матрицы.Цилиндрическая тонкая магнитная пленка нанесена на провод 1...

Номер патента: 114761

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Залькинд, Матюхин, Росницкий

МПК: G11C 11/06, G11C 8/10

Метки: запоминающего, коммутации, магнитного, матричного, проводов, селектирующих, типа, устройства

...импульсом, а все остальные триоды при этом находятся в запертом состоянии, После осуществления выбора адреса на сетки запертых ламп114761Л, и Л, подаются прямоугольные импульсы напряжения, отпирающие эти лампы.Сопротивления коллекторных цепей запертых триодов Ть Тз, Т, Т, и Т,+,Т велики, поэтому даже при импедансе, проводов матрицы несколько тысяч ом, ток в невыбранных проводах будет иметь некоторое количество процентов от номинального.Сопротивления коллекторных цепей выбранных триодов Т и Т, малы, так что амплитуда и форма импульса тока в выбранных шинах полностью определяются источниками тока Д, и Л Это позволяет коммутировать короткие прямоугольные импульсы тока мощными низкочастотными плоскостными триодами,Для возбуждения...

Номер патента: 104423

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Матюхин, Росницкий

МПК: H03K 3/30

Метки: задержки, линия, сердечниках, триггер, ферромагнитных

...и число витков 1 Г;(1 Гьа приложенное напряжение то же,что и в первом случае.В линии задержки (фиг. 3) каждаяпара сердечников У 1 и У; Уз и У 4,и т. д, предназначена для храненияодной двоичной цифры, Исходное состояние линии, когда каждая парасердечников хранит цифру О, таково,что все нечетные сердечники не перемагничиваются и напряжения на ихобмотках малы, а все четные сердечники перемагничиваются и на их обмотках получаются большие напряжения при поочередном замыканииключей К 1 и КПри подаче импульса напряженияили тока указанной на фиг, 3 полярности во входящую обмотку в то время, когда ключи К и К 2 разомкнуты,сердечник У 1 перемагничивается ибудет вторично перемагничен при последующем нажатии ключа Кь чтоприведет к тому, что...