Способ изготовления шаблона микрополоскового фильтра

СООЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСОУБЛИН 19) (И) 5 Н О 1 Р 1 в 1/00 БРЕТЕН ЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТДО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ПНТ СССР ОПИСАНИ(71) Институт Физики им.Л.В.Киренского и Конструкторское бюро Производственного объединения "Искра"(56) Заикин В.А Рекшинский В,А,Подстройка частоты узкополосных микрополосковых фильтров изменением конфигурации резонаторов. Электроннаятехника, Сер. 1. Электроника СВЧ,1984, вып. 9, с. 14"17,Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств, /Под ред. В.И.Вольмана. Радио и связь,1982, с. 264-268,(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШАБЛОНАМИКРОПОЛОСКОВОГО ФИЛЬТРА(57) Изобретение относится к техникеСВЧ. Цель изобретения - упрощение изготовления шаблона фильтра, выполненного на диэлектрической подложке сдиэлектрической проницаемостью Е 1 9,При изготовлении макета данным способом каждый из полупроводниковых проводников (П) 1 наносят на отдельнуюдиэлектрическую подложку 2 с Е Р 9.При этом кромки 3 у П 1 удалены откраев отдельнай подложки 2 на расстояние 1 не менее половины ее толщины.Отдельные подложки 2 размещают на общем металлическом основании 4, а настройку макета проводят при подачена него СВЧ-сигнала путем их взаимныхперемещений. Перенос топологии маке1541691 та на шаблон осуществляют путем копирования размеров и положения П 1 для их изготовления на одной подложке в масштабе 1/К, где К - отношение5 4средней заданной частоты полосы пропускания к средней частоте полосы пропускания фильтра, шаблон которого выполнен в масштабе 1;1. 1 ил.Изобретение относится к техникеСрЧ и может быть использовано приразработке миниатюрных цастотно-селбктивных устройств.Целью изобретения является упрощение изготовления шаблона фильтра,выполненного на диэлектрической подложке с диэлектрической роницаемостью не менее 9,На чертеже показан макет микрополоскового фильтра (решетчатого),изготовленный согласно предложенному 20способу.Способ изготовления шаблона микрополоскового фильтра, содержащего полуволновые проводники 1, заключаетсяв том, что при изготовлении макета 25каждый из них наносят на отдельнуюдиэлектрическую подложку 2, имеющуюту же диэлектрическую проницаемость( Е З 9), что и проницаемость диэлектрической подложки, причем кромки 3голуволнового проводника 1 удаленыот краев отдельной диэлектрическойПодложки 2 на расстояние 1 не менеег 1 оловины ее толщины, отдельные диэлектрические подложки 2 размещают1 а общем металлическом основаниинастройку макета проводят при подаЧе на него СВЧ-сигнала путем ихВзаимных перемещений. Перенос топо 1 огии макета на шаблон осуществляютпутем копирования размеров и положения полуволновых проводников 1 дляих изготовления на одной .диэлектрической подложке в масштабе 1/К, гдеК " отношение средней заданной частоты полосы пропускания к среднейчастоте полосы пропускания микрополоскового фильтра, шаблон котороговыполнен в масштабе 1:1.50Способ осуществляют следующим образом,Отдельные диэлектрические подложкивыполняют, например, из керамики1 БИС, которая имеет ту же толщину,что и диэлектрицекая подложка буду"щего микрополоскового Фильтра. Каждую отдельную диэлектрическую подпожку 2 металлизируют с двух сторон,а на одной стороне изготавливают полуволновой,проводникДиэлектрическая проницаемость отдельной диэлектрической подложки 2,равная диэлектрической проницаемостидиэлектрической подложки микрополоскового Фильтра, выбирается не менее9 для того, чтобы электрической связью между полуволновыми проводниками 1 можно было бы пренебречь в сравнении с магнитной связью 8 этом слуцае отсутствие диэлектрика в макетемикрополоскового фильтра между отдельными диэлектрическими подложками2 (при условии, что 1 не менее половины толщины отдельной диэлектрической подложки) не сказывается на параметрах микрополоскового фильтра,что повышает точность настройки.Для того, чтобы обеспечить макетирование микрополоскового фильтра назаданную частоту, при изготовлениишаблона следует учесть различие втребуемой средней частоте полосы пропускания и полуценной на макете микрополоскового Фильтра в виде масштабного множителя К. Упрощение изготовления шаблона микрополосковогофильтра достигается благодаря возможности вести настройку путем взаимных перемещений отдельных диэлектрических подложек 2 на металлическомосновании й с их последующей фиксацией,Формула изобретенияСпособ изготовления шаблона микро- полоскового фильтра, включающий изго" товление макета, его настройку и перенос топологии макета на шаблон, о Т л и ч д Ю щ и Й С я ТРИР Чтоу с целью упрощения изготовления шаблона микрополоскового фильтра, выполненного на диэлектрической подложке с диэлектрической проницаемостью не менее 9, каждый полуволнсвой проводник наносят на отдельную диэлектрическую подложку на расстоянии от ее краев до кромок полуволнового проводника не менее половины ее толщины,Редактор А,Шандор Корректор М.Самборская т жЗаказ 285 Тираж 439 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д . 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул.Гагарина, 101 отдельные диэлектрические подложкиразмещают на общем металлическом основании, настройку макета проводятпри подаче на него СВЧ-сигнала путемвзаимных перемещений отдельных диэлектрических подложек, а перенос то"пологии макета на шаблон осуществляют путем копирования размеров и положения полуволновых проводников вмасштабе 1/К, где К - отношение средней заданной частоты полосы кропускания к средней частоте полосы пропускания микрополоскового фильтра, шаб-.лон которого выполнен в масштабе 1:1.