Павлыгин

Номер патента: 1624382

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Колбанев, Курицын, Павлыгин, Шишкина

МПК: C08F 299/04, G02B 5/22

Метки: нейтральных, светофильтров

...в виде полимерной пленки толщиной 0,5 мм,П р и м е р 3. В качестве исходного пленкообразу ощего прозрачного полимеризационного вещества берут смесь олигокарбонагметакрилата ОКАЛи олигокарбонатметакрилата ОКУ.5 вязкостью 800 с 1 вводя г ацегоновую суспензию смеси порошков бора и активного угля и проводят ге же операции и при тех же режимах, чго и в примере 1.Г 1 р и м с р 4, В качестве полимеризацио но способно о пленкообразующего вещества используют прозрачный олигоэфирокрилат ГЛДФ- -а -метакрил- ю-метакрилоилдизтиленликольокси-олиго-(диэтиленг ликольфталат), вязкостью 600 сП, в который вводя г ацетоновую суспенэию смеси порошкгв бора и активного угля и проводят те же операции, чго и в примере 1, но полимериэация при когл; отпой...

Номер патента: 1413587

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Колбанев, Павлыгин, Шишкина

МПК: G03C 5/02

Метки: клина, сенситометрического

...суспенэию активного угля, диспергированного вацетоне (содержание активного углясоставляет 0,1% от массы олигомера),вакуумированием удаляют ацетон, добавляют инициатор полимеризации (0,75%перекиси бензоила от массы олигомера)ускоритель полимеризации (0,5 отмассы олигомера 0,25 -ного растворадиметиланилина в стироле), полученную смесь наносят на металлическуюматрицу с высотой рельефа 0,08 мм,обработанную антиадгезионным средством (0,025 -ным раствором иэобутилена в гексане), сверху накладываютстеклянную пластину, обработаннуюсредством, повышающим адгеэию к нейолигокарбонатметакрилата (1 -нымспиртовым раствором метакрилатметил"триэтоксисилана) и проводят полимери-.эацию при комнатной температуре втечение 24 ч.После разъединения...

Номер патента: 1269066

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Втулкин, Киреева, Колбанев, Павлыгин, Сивергин, Шишкина

МПК: G02B 5/22

Метки: нейтральных, светофильтров

...полимеризации - 0,5 мас.% перекиси бенэоила. После этого полученную смесь наносят на плоскую полированную стек.лянную пластину, сверху накладывают вторую стеклянную пластину таким образом, чтобы между нимибыл зазор, равный тол 69066 2щине образца, Проводят фотополимери:зацию при комнатной температуре приосвещенности 40000 лк в течение 3 чи затем окончательную полимеризациюпри 80 С в течение 4 ч. После разъема стеклянных пластин получают нейтральный светофильтр толщиной 0,3 мм.П р и м е р 2,. В олигомер МТС метакрил - (БИс -триэтиленгликоль) -се О бацинат 1 вязкостью 400 сП вводятспиртовую суспензию коллоидного графита, при этом содержание графитасоставляет 0,2 мас,% от массы МТС.Все операции проводят так же и при 15 тех же...

Номер патента: 1182479

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Бирюкова, Киреева, Колбанев, Павлыгин, Сивергин, Шишкина

МПК: G03C 5/02

Метки: клина, сенситометрического

...веОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54)(57) СПОСОБ ИЗГОТСИТОМЕТРИЧЕСКОГО КЛИщий нанесение на профматрицу слоя пленкооб ЯО 1182479Заказ 6105/46 Тираж 447 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1Изобретение относится к фотографической сенситометрии, точнее - к изготовлению сенситометрических клиньев,.Цель изобретения - увеличение механической прочности, тепло- и влагостойкости сенситометрического клина.П р и м е р, Металлическую подложку обрабатывают антнадгезионным средством (0,025 -ный раствор каучука в бензине), а стеклянную пластинку средством, повышающим адгезию к ней...

Номер патента: 905832

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Гинзбург, Павлыгин, Степанов

МПК: G06K 9/00, H04N 5/14

Метки: изображений

...11 на Фото- приемник 10, Сигналы с выхода блока развертки 5, поступая в блок считывания 1, осуществляют построцную развертку кадра изображения, Одновременно с разверткой по строке блок расфокусировки 3 через блок Фокусировки 6 поочередно Фокусирует и расфокусирует считывающий луц, Такт такого режима работы задается генератором тактовых импульсов 7.25В момент расфокусировки луча в блоке сравнения 9 происходит сравнение сигнала блока считывания 1 с сигналом Фотоприемника 10, Если различие в уровнях этих сигналов превосходит заданную в блоке сравнения 9 пороговую величину, то на выходе блока сравнения 9 вырабатывается импульс, поступающий в блок сопряжения 3 Этот сигнал является сигналом35 разрешения для записи кода числа,...

Номер патента: 371420

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Курбатов, Павлыгин, Пресн

МПК: G01B 9/021

Метки: интерферограмм

...которые регистрируются регистрирующими устройствами.Формирование интерферограмм в устройстве происходит следующим образом.На пути когерентного коллимированногопотока от источника 1 размещают фазовый объект так, что он частично перекрывает коллимированный поток. В результате на плоскопараллельную пластину 2 падает поток, часть которого возмущена фазовым объектом.Потоки, отраженные от задней и передней плоскостей пластины, сдвинуты один относительно другого на величину д. Величина сдви га зависит от толщины Ь пластины, угла Опадения потока на пластину, коэффициента преломления тт плоскопараллельной пластины и определяется выражениемзтп 2 6пЗОи - в 1 пе3Если величина сдвига меньше размера А объекта, то интерфврируют возмущенные потокив...

Номер патента: 309229

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Курбатов, Николаев, Павлыгин, Пресн

МПК: G01B 7/34

Метки: датчик, осадка, толщины

...вторым диэлектрическим основанием с нанесенными электродами, располагаемым на боковой части корпуса сосуда.На фиг. 1 и 2 представлены соответственно 20 эскиз датчика и его компановка в сосуде с ж идкостью.Датчик содержит плоские электроды 1 в виде плоских гребенок, нанесенных на плоское . диэлектрическое основание 2, устанавливае мое на дне сосуда 3. Кроме того, датчик имеет второе диэлектрическое основание 4 с нанесенными электродами, распологаемым на боковой части этого сосуда. Электроды 1 включены в схему 5 измерения емкости.Датчик функционирует следующим образом.Осадок 6, в виде тонкого слоя покрывающий основание 2, приводит к изменению емкости между электродами, нанесенными на это основание. Баланс схемы 5 измерения емкости...