H01L 21/20 — нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание

Номер патента: 1743095

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Михайлов, Шпилёв

МПК: B23K 26/00, H01L 21/20

Метки: металлополупроводниковых, узлов

Способ изготовления металлополупроводниковых узлов, при котором металлические детали устанавливают на полупроводниковой пластине и приваривают к ней, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения технологии, в металлических деталях предварительно выполняют сквозные отверстия, оси которых располагают на расстоянии большем диаметра отверстий, а сварку осуществляют лазерным лучом, который вводят в каждое из упомянутых отверстий, оплавляя пластину, стенку отверстия и соответствующую деталь.

Номер патента: 1840166

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Егоркин, Емельянов

МПК: H01L 21/20

Метки: диэлектрик, диэлектрика, многокомпонентный, переходной, слой, структура, —полупроводник

Структура многокомпонентный полупроводник - переходной слой диэлектрика - диэлектрик, содержащая в качестве переходного слоя химические соединения одного или нескольких элементов, входящих в состав полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры, химические соединения выбраны таким образом, чтобы сумма их нормированных объемов была меньше нормированного объема полупроводника на 1-15å 3.