Одновибратор

Союз Соеетскик Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 06.Ч 111.1970 ( 1467293/26-9)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 14,Ч 11,1972, Бюллетень2Дата опубликования описания 23.Ч 111.1972 М. Кл. Н 03 с 32 Комитет по делам забретеиий и открытий при Совете Министров СССР, В. Былов, А. В. Гославский и А. А, Яковл Заявите НОВИБРЛТО нои тсхзовано в )гормиропульсов,ОРОМ ВКЛО импуль ть испол качестве чьности иодцовцорах 1- - 4. ДОПОЛЦ В;ОДНОИ Известен одновибратор на двух основных транзисторах и одном ускоряющем и-р-п типа.Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности, повышение помсхоустойчи вости и стабильности длительности выходных импульсов, ускорение восстановления. Достигается оца тем, что в предлагаемом одцовибраторе между источником коллекторцого напряжения и коллекторцыми нагрузками ос новных и-р-п транзисторов включены два дополнительных транзистора р-п-р типа, причем база первого дополнительного транзистора через параллельную йС-цепочку соединена с коллектором второго основного транзистора, 20 а база второго дополнительного транзистора через параллельную ЯС-цепочку соединена с времязадающим конденсатором и через дополнительный включенный в прямом направлении диод - с коллектором первого основ ного транзистора; между коллектором первого основного транзистора и его коллекторной нагрузкой включен диод, причем катод диода соединен с коллектором этого транзистора, а между коллектором дополнительного транзи мп 1,4 и,5ты и пасыап ряжения гд Изобретение относитсянике. Устройство может бэлектронной аппаратуре ввателя задержки и длите стОра п Врсмязадающим конденсатчсц резистор.На чертеже изооражсца схематора,Одновибратор собран на трацзисТранзисторы 1 и 2 основные, 3 и 4тельные. На транзисторе 5 собразапускающий каскад.В исходном состоянии трацзпстозакрыты, транзисторы 2 и 3 открьщепы. Конденсатор 6 заряжен доЕ - С си., -ии,е Е - напряжение источника коллекторного питания;Оси, - напряжение база - эмиттер насыщенного транзистора 2;сг,и, - напряжение коллектор - эмиттерцасыщсцого транзистора 3.Мощность в исходцом состоянии потрсбляется по базовым цепям транзисторов 2 и 3.При подаче на вход одцовибратора положительного запускающего импульса закрывается транзистор 2 и открывается транзистор 4, что вызывает закрывание транзистора 3 и открывание транзистора 1. После этого начинается разряд конденсатора 6 по цепи: источник коллекторного напряжения - резистор 7 - транзистор 1 (временцо устойчивое сосостояние). Прп этом мощность во время псКорректор С. Сатагулова Редактор Б. Федотов Заказ 2587(12 Изд.1146 Тираж 406 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Мшшстров СССРМосква, )К, Раушская наб., д. 475 Типография, пр. Сапунова, 2 реброса схемы потребляется по коллекторным цепям очень короткое время, а во временно устойчивом состоянии - по цепи разряда конденсатОра б и ПО базовы:51 цепям транзпсторов 1 и 4.Длительность выходного импульса определяется постоянной времени разряда кондснсатора 6, Диод 8 стабилизирует время разряда конденсатора при изменении питающего напряжения и температуры.После того как конденсатор б разрядится до напряжения открывания транзистора 2 последний открывается, вызывая открывание транзистора 3 и закрывание транзистора 1, что, в свою очередь, приводит к закрыванию транзистора 4. Схема переходит в устойчивое исходное состояние, и начинает заряд конденсатора б по цепи: источник коллекторного напряжения - транзистор 3 - резистор 9 - транзистор 2.Резистор 10, определяющий время восстановления схемы, можно сделать достаточно малым без увеличения потребления дополнительной мощности от источника.Большой запас помехоустойчивости обсспс чен тем, что для ложного срабатывания схемы от помехи недостаточно перевести один из транзисторов в другое состояние, а необходимо переключить дза транзистора. 1. Одцовибратор на двух основных транзисторах и одном ускоряющем п-р-п типа, отги чаюирйс;г тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, повышения помехоустойчивости и стабильности длительности выходных импульсов, между источником коллскторного напряже 1 гпя и коллекторными на грузками основных гг-р-п транзисторов включены два дополнительных транзистора р-гг-р типа, причем база первого дополнительного транзистора через параллельную гхС-цепочку соедицеца с коллектором второго основного 15 транзистора, а база второго дополнительноготранзистора через параллельную ЯС-цепочку соединена с времязадающим конденсатором и через дополнительный включенный в прямом направлс 1 гпи диод - с коллектором основно го транзистора.2. Одновибратор по и. 1, отличагощит:г тем,что, с целью ускорения восстановления, . ежду коллектором первого основного трацз 11 стора и его коллекторцой нагрузкой включен 25 диод, причем катод диода соединен с коллектором этого транзистора, а между коллектором дополпительпого транзистора и времязада 1 огцим конденсатором включен резистор.