Способ модуляции электромагнитного излучения

Номер патента: 329499

Автор: Мартыненко

ZIP архив

Текст

Со 1 оа Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства1, Кл. 6 0211 О Заявлено 18.Х 1.1969 ( 151320826-25)с присоединением заявкиКотвитет па делатвобретений и открытийри Совете МинистровСССР иоритет УДК 621,382(088,8 плетеньковано 09.11.1 та опубликования описания 28,111.1972 второбретенияаявитель, Мартыненко ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПОСО У С 51 ПЦЕР го полу Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при создании модуляторов электромапштцого излучения.Известен способ модуляции, основанный на поглощении электромагнитного излучения свободными носителями заряда в твердом теле, концентрацию которых модулируют. Недостатками этого способа являются малая глубина модуляции ц большая величина начальных потерь.Целью изобретения является создание способа модуляции электромагнитного излучения с большой глубиной модуляции и узкой полосой модулируемых частот, лежащей в необходимой области спектра электромап 1 цтного излучения.Для достижения цели используют полупроводниковый материал с определенной концентрацией свободных носителей заряда, величину которой в приповерхностном слое модулируют известным способом, модулируя интенсивность отраженного от этой поверхности электромапп 1 тного излучения, частота которого равна плазменной частоте свободных носителей заряда в материале.Способ основан па явлении плазменного резонанса в полупроводниках, которое характеризуется изменением отражательной способности поверхности от 0 до 1 для излучецця частоты ор -- при увелил-о(-. - 1) ниц концентрации свободных носителей в скин-слое на единицы проценгов от равновесной.К преимуществам способа можно отнести большую глубину модуляции, обусловлсццио острым плазменным резонансом, и малые начальные потери, так как ццтенсцвность цеослаблеццого модулятором цзлученця практическии равна интенсивности создаваемого генератором излучения.П р ц м е р. В полупроводниковой пленке дшгдмцческц цзмсц 5 цот (це изменяя ее состава и структуры) коццецтрдцшо свободных носителей заряда (например, ццжекццсй носителей заряда через р-а-переход илц световым пмпульсць 1 м возбуждением),Увеличение в девять раз коццецтраццц свободных носителей безьшерццоццо сдвигает спектр Я(а) в окрестности плазменной частоты ж в область в трц раза более высоких частот, чем частоты в исходном состоянии. При этом отражательная способность поверхности пленки для излучения частотой п 1 увеличится в несколько раз.Инерционность способа определяетццоцностью источника, возбуждающецроводццковую систему.Предмет изобретения Способ модуляции электромагнитного излучения путем изменения концентрации носителей в полупроводнике, отличаощийс тем, что, с целью повышения глубины модуляции, поверхность полупроводника облучают электромагнитным излучением с частотой, равной частоте плазме."шого резонанса плазмы в полупроводнике, и путем изменения концентрации носителей заряда в прино всрхностном слое модулируют интенсивностьотраженной от поверхности электромагнитной волны,Составитель А. Кот Корректор Е. Чироиова Типография, пр, Сапунова, 2 Редактор Т. Орловская Техрсд А. КамышииковаЗаказ 715/12 Изд, й 251 Тираж 448 ПодписиоеЦНИИПИ Комитета по дслам изобрстеиий и открытий ири Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская иаб., д. 4/5

Смотреть

Заявка

1513208

А. П. Мартыненко

МПК / Метки

МПК: G02F 1/015

Метки: излучения, модуляции, электромагнитного

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-329499-sposob-modulyacii-ehlektromagnitnogo-izlucheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ модуляции электромагнитного излучения</a>

Похожие патенты