G01R 33/032 — с помощью магнитооптических приборов, например приборов Фарадея

Номер патента: 1628022

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Буртов, Вагин, Кочубей, Фалин

МПК: G01R 33/032

Метки: импульсных, магнитных, магнитооптический, напряженности, полей

...пропорциональный напряженности магнитного поля, что приводит к изменению амплитуд оптических несущих на выходах бианализатора 3, причем, если на входе первого фотоприемника 4 амплитуда возрастает, на втором фотоприемнике 5 она уменьшается и наоборот, На выходах фотоприемников 4 и 5 формируется импульсное напряжение с частотой модуляции излучателя 1,. Информация о напряженности магнитного поля содержится в модуляции амплитуды этих импульсов, причем глубина модуляции однозначно связана с напряженностью магнитного поля, Цепь, состоящая, например, из усилителя 6 с регулируемым коэффициентом усиления, амплитудного детектора 8 и формирователя 10 управляющих сигналов, стабилизирует среднее значение амплитуды электрических импульсов на...

Номер патента: 1642413

Опубликовано: 15.04.1991

Автор: Деревщиков

МПК: G01R 33/032

Метки: магнитного, поля, пространственного, распределения

...сечения образца, чтобы получить пространственное представление о распределении магнитного поля, Удовлетворению этого требования служит также исполнение одной из половинок образца из материала, вращающими свойствами которого можно пренебречь, Возможное изменение направления светового пучка на скошенной границе двух сред с различными коэффициентами преломления предотвращается подбором коэффициента преломления оптического клея, который должен удовлетворять ля этой цели соотношению пз = п 1п 2 Оценка, например, для пары тяжелый флинт марки ТФ- плавиковый шпат дает значение пз=1,53, равное показателю преломления канадского бальзама,Устройство работает следующим образом,Лазерный пучок источника 1 коллимируется с помощью системы 2,...

Номер патента: 1659929

Опубликовано: 30.06.1991

Автор: Деревщиков

МПК: G01R 33/032

Метки: магнитного, поля

...последова- тельнО оптически связанные источник моно- хроматического поляризованного излучения, например, монохроматический источник света 1 с поляризатором 2, первый магнитоактивный элемент 3, тонкопленочный поляроид 4, второй магнитоактивный элемент 5 и регистратор угла поворота плоскости поляризации излучения (анализатор 6 и фотодетектор 7, соединенный по электрическому выходу с тного поля В нных точках упрощение ржит источйно полярим 2,первый енты 3 и 5 с постоянной ла поворота ия,анализам соединен- достижения элементами оляроид 4. 2Ы 1 о = соз а 1 сов аг: сонг(В 111 Н 1) х хсоз (ВгягН 2),(2) где Вг, 12, Н 2, аг - соответствующие параметры второго элемента 5, Фотодетектор 7 преобразует интенсивность (2 в адекватный 5 уровень...

Номер патента: 1665323

Опубликовано: 23.07.1991

Автор: Корнеев

МПК: G01R 33/032

Метки: датчик, магнитного, поля

...движущиесигнальные проводники 8-11, магнитныели, нии 12, оси 13 и 14, а - зазор между катуш кой и проводником, в. - интервал междуосями, 0 - диаметр катушек, т - толщинакатушек,Датчик работает следующим образом.Если в проводники 8-11 поступают импульсы тока информации, то во время действия импульсов вокруг проводниковнаводится переменное магнитное поле. Позакону электромагнитной индукции в обмотках 1-4 наводятся ЭДС, и с концов катушек можно снять импульса напряжения в, качестве информации. Все каналы датчикаявляются автономными и информация поним может передаваться параллельно импульсными методами или цифровым кодом,никакой экранировки и других мер по развязке каналов не требуется. Например, информация, передаваемая по...

Номер патента: 1674024

Опубликовано: 30.08.1991

Автор: Кобанов

МПК: G01R 33/032

Метки: параметров, плазмы, солнечной

...обращается в нуль. После этого с помощью лайншифтера 8 производят установку магниточувствительной спектральной линии на входной щели фотометра 9, Затем поляризатор удаляют, прибор готов к измерениям,Способ осуществлгнот ледующим образом,Наличие в солнечном свете лучей с циркулярной поляризацией обусловлено действием эффекта Зеемана, С помощью четвертьволновой фазовой пластины 1 циркулярно поляризованные лучи превращаот в линейно поляризованные по двум ортогональным направлениям, При этом для непо- ляризованной части солнечного света ничего не меняется и,. следовательно, четвертьволновая пластина на немагниточувствительную спектральну,о линию влияния не окажет, Совмещают с помощью призмы 3 и четвертьволновой пластины 2 направления...

Номер патента: 1674025

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Гаврилов, Панов, Селибер, Червинский

МПК: G01R 33/032

Метки: вращения, магнитооптического, мера, угла

...5 плоскость падения была параллельна гра ням трапеций 1 и 2. Излулчение пересекает грань 3 под прямым углом 3, отражается от зеркала на грани 5 и выходит из стекла через грань 4 также под прямым углом 10 (фиг.З), В случае полярного эффекта Керрамеру ориентируют так, что излучение проникает в нее через грань б (под прямым углом) отражается от зеркала на грани 5 и выходит из стекла также через грань 6 15 (фиг.4). Для измерений в геометрии аффекта Фарадея мера располагается в держателе образца магнитооптической аппаратуры таким образом, чтобы рани трапеций 1 и 2 были перпендикулярны потоку излучения: 20 он пересекает грань трапеций 1, распространяется в стекле и выходит из призмы через грань 2 (фиг.5), На фиг.35 также указано направление...

Номер патента: 1689893

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Глудкин, Опадчий, Трифонов

МПК: G01R 33/032

Метки: «и—или», импульсных, магнитной, полей, составляющей, электрической, электромагнитных

...угла результирующего поворота плоскости поляризации, пропорциональногонапряженности измеряемого поля. Если угол25 поворота не превышает л/10, вторую составляющую можно считать пропорциональной произведению полной оптическоймощности, прошедшей через устройство, нанапряженность измеряемого поля. Таким30 образом, низкочастотные флуктуации полной оптической мощности являются источником мультипликативнай и аддитивнойпомехи одновременно, спектр которой сосредоточен в полосе частот 0 Гц - 100 кГц,.35 Сигналы на выходах фотоприемников 4 и5 О 1 и О 2 соответственно также имеют двесоставляющие: первая - синфазная и пропорциональна полной оптической мощности, авторая - парафазная и пропооциональна40 произведению полной оптической мощности на...

Номер патента: 1689894

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Бачурин, Пестов, Тимофеев

МПК: G01R 33/032

Метки: магнитного, поля, характеристик

...напряжения, фотосмеситель 6 с фотоприемником 7 разностной частоты, первый регистратор 8, блок 9 управления и синхронизации, блок 10 согласования, блок 11 оперативной памяти, блок 12 постоянной памяти, вычислитель 13 и второй регистратор 14,Выход кольцевого лазера через фотосмеситель 6 оптически связан с входом фотоприемника 7, выход которого соединен с входом первого регистратора 8, выход которого через блок 10 согласования, блок 11 оперативной памяти и вычислитель 13, второй вход которого подключен к выходу блока 12 постоянной памяти, соединен с входом второго регистратора 14, Второй упрарляющий вход блока 11 оперативной памяти и первый управляющий вход управляемого источника 5 постоянного напряжения, выход которого соединен с...

Номер патента: 1705786

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Боголюбов, Руссо

МПК: G01R 33/032

Метки: измерительного, магнитооптического, преобразователя, характеристик

...7 постоянного магнитного поля и изменением тока источника 9 устанавливают рядзначений Н 1,Н 2,Нп постоянного магнитного поля, На выходе ФПУ 3 регистрируютсоответствующий ряд сигналов и измеряютих параметры: 01,02 О. Изменение амплитуд сигналов на выходе ФПУ 3 вызываютповоротом плоскости поляризации ОИ, распространяющегося внутри МД 5 поддействием постоянного магнитного поля.Постоянная составляющая сигнала непропускается ФПУ 3, а переменная составляющая поступает на выход. Соответствующая математическая обработкаполученных значений Н 1,Н 2,.,Нв, О 1,02О(например, по методу наименьших квадратов) позволяет рассчитать коэффициентпреобразования МОИП,Передаточная функция МД определяется выражением(1)и,гдето=С- длина пути ОИ между входной...

Номер патента: 1705787

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Давиденко, Куц, Тычко

МПК: G01R 33/032

Метки: магнитного, напряженности, поля

...фазы. Предварительное облучение слоя 6 начинается с момента открывания оптмческо. го затвора 4, происходящего после подачи управляющего импульса с первого выходе генератора 17 импульсов, Одновременно происходит запуск развертки запоминающего осциллографа 18. Предварительное облучение слоя 6 приводит к появлению в его объеме наведенной энизотропии, ось которой совпадает с первой осью легкого намагничивания слоя 6, и перестройке доменной структуры освещаемой области слоя 6. Характер такой перестройки зависит от исходного состояния доменной структуры слоя б. и может быть различным. Тем не менее, к моменту формирования в освещаемом обьеме слоя б однородного распределения наведенной энизотропии.иэменения доменной структуры...

Номер патента: 1725174

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Власко-Власов, Инденбом, Никитенко, Полянский

МПК: G01R 33/032

Метки: визуализации, магнитных, полей

...успевают отклониться на некоторое расстояние от равновесного положения, увеличивая тем самым область размытия до 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 менной структуры, в то время как в области с высокотемпературной фазой магнитное поле может еще не проникать и домены поэтому еще не отклоняются от своих равновесных положений. Поэтому амплитуда колебания доменов, т.е. ширина их области размытия, зависит от температуры сверхпроводящих областей и амплитуды внешнего поля, причем над высокотемпературными областями домены в индикаторной пленке могут быть и неподвижными, если в них не проникает магнитное поле. Следовательно, по топограмме амплитуды колебания доменов в пленочном датчике при заданной амплитуде внешнего магнитного поля, т.е. по их...

Номер патента: 1589796

Опубликовано: 15.07.1992

Автор: Антонов

МПК: G01R 33/032

Метки: датчик, магнитного, поля

...разрешение характеризуется числом разрешимых состояний 10 Широкополосное излучение источника 3 с помощью линзы 4 вводят В монохрома" тор 5. Монохроматическое излучение с длиной волны Л, выбранной в диапазоне длин волн Л 1- Л 2, пропускают через паляриэатор 7 и с помощью обьектйвэ 8 вводят в световод 1 датчика 9, Под воздействием магнитного поля вследствие эффекта Фара-. дея состояние поляризации оп гического излучения, распространяющегося в световоде, изменяется, При этом наиболее эффективно магнитооптическое взаимодействие для данной длины волны происходит при прохождении оптического излучения по 2 виткам световодэ, радиус й которых равен или близок значению. Определяемому выражением Л = 1(Г/В, Излучение с выхода световода 1...

Номер патента: 1818602

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Зубов, Кринчик, Кузьменко, Мацкевич, Якштас

МПК: G01R 33/032

Метки: магнитного, поля, пространственного, распределения

...датчика б и попадает на регистрирующую систему, которая фиксирует изменение интенсивности отраженного света. Для измерения составляющих поля, параллельных плоскости пленки, в оптическую систему вводится поляризатор 4 и призма 3 косого освещения, На р-компоненте света без анализатора изменение интенсивности отраженного от датчика 1 света пропорционально составляющей поля пер1818602 .пендикулярной плоскости падения света имеют линейные участки от нескольких зрс(экваториальный эффект Керра). Для изме- тед до 3 кЭ. Величина полярного эффекта. рения поворота плоскости поляризации Керра для использованного носителя тако. света пропорционального составляющей ва, что его можно надежно измерять при поля параллельной плоскости падения све- б ....

Номер патента: 1561697

Опубликовано: 27.07.1999

Авторы: Бурков, Григорянц, Малков, Орехов, Потапов, Шаталин

МПК: G01R 33/032

Метки: волн, волоконно-оптический, датчик, плотности, энергии

Волоконно-оптический датчик плотности энергии волн, содержащий токонесущий элемент, закрепленный на диэлектрической подложке с пазом, в который установлен волоконный световод, контактирующий с токонесущим элементом, при этом на противоположную токонесущему элементу сторону диэлектрической подложки нанесено проводящее покрытие, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измерения плотности энергии и частоты волн, участок световода, расположенный в пазу, покрыт резонансной поглощающей пленкой из ферро (или антиферро-)магнитного материала.