Чадаева
Способ осушения прилегающих к водоприемнику территорий с пойменным участком
Номер патента: 1693196
Опубликовано: 23.11.1991
Авторы: Бубнов, Иоффе, Карюк, Пономарев, Чадаева
МПК: E02B 11/00
Метки: водоприемнику, осушения, пойменным, прилегающих, территорий, участком
...позволяющие использовать территории на участке А-Б для застройки.В результате предотвращения притока вод от материка 2 на пойменном участке остаются грунтовые воды, являющиеся результатом инФильтрации и производственных утечек и их сброс осуществляют через дополнительные ветви 7 дренажной сети, которые выполняют из ряда искусственных овальных водоемов 8, соединенных между собой каналами 9, при .этом дополнительные ветви 7 как и основной канал,выполняют с глубоким заложением и нулевым уклоном дна, размещая их на площади пойменного участка в зависимости от конкретных построек с впадением их в основной канал со стороны водоема. Сброс вод на пойменном участке осуществляется в основном в дополнительные ветви 7 и частично в основной канал 5...
Устройство защиты электромагнитов искателей декадно-шаговых автоматических телефонных станций от перегрева
Номер патента: 1370795
Опубликовано: 30.01.1988
Авторы: Гурвич, Журавский, Чадаева
МПК: H04M 3/10
Метки: автоматических, декадно-шаговых, защиты, искателей, перегрева, станций, телефонных, электромагнитов
...представлена структурная электрическая схема предлагаемого устройства,Устройство защиты электромагнитовискателей декадно-шаговых автоматических телефонных станций от перегрева содержит блок 1 задержки времени, исполнительное реле 2, размыкающий контакт 3, электромагнитыискателей 4,4 , источник 5 управляющих импульсов, пороговый блок6 и источник 7 отключающего сигнала.Устройство работает следующим образом.При нормальной длительности промежутка между импульсами 14-18 мсзадержка срабатывания блока 1 задержки времени выбирается равной 2030 мс. Время задержки срабатыванияисточника 7 выбрано исходя из технических условий, на декадно-шаговыеискатели, которые разрешают нахождение обмоток электромагнитов ис-,кателей 4,4под током в течение не...
Способ изотермического отжига проката
Номер патента: 1086020
Опубликовано: 15.04.1984
Авторы: Голубев, Жидяева, Коваленко, Краснопольский, Легейда, Чадаева
МПК: C21D 1/26
Метки: изотермического, отжига, проката
...-10860вавшегося при предыдущем нагреве,в ходе очередного нагрева до температуры Ас. Сохранение устойчивого аустенита, образовавшегося при нагреведо температур, превышающих Ас +дТ 51приводит к образованию при охлаждении пластинчатого перлита.Максимальная температура нагревасадки, достигаемая при первом нагреве, составляет (Ас+ДТ) - (Ас + 10фДТ+ДТ). Ограничение температуры нагрева садки обеспечивает уменьшениеокалинообразования, обезуглероживания и снижает требуемое для полнойсфероидизации количество нагревов, 15а также предотвращает рост зерна.Изобретение может быть использовано в любой садочной печи периоди -ческого действия, например колпаковой или камерной. Осуществление 20нагревов и охлаждений согласно предлагаемому способу...
Преобразователь постоянного тока в постоянный
Номер патента: 572881
Опубликовано: 15.09.1977
Авторы: Горячев, Финклер, Чадаева
МПК: H02M 3/155
Метки: постоянного, постоянный
...- заперт, В момент подключения нагрузки 3 через резистор 15 на базу транзистора 14 подается отпирающий сигнал, в результате чего транзистор открывается, подключая цепь питания к задающему генератору 13. Последний периодически коммутирует ключ 16. При первом замыкании ключа 16 на обмотке 11 формируется импульс включения тиристора 6, что, однако, не приводит к изменению состояния схемы. В момент размыкания ключа 16 на обмотке 10 трансформатора формируется импульс включения силового тиристора 1. Последний отпирается, подключая цепь нагрузки 3 к источнику питания 2. Так как потенциал катода разделительного диода 4, к которому подключен резистор 15, становится, примерно, равен потенциалу эмиттера транзистора 14, последний запирается, однако...
Просветления оптических деталей
Номер патента: 341771
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Байгожин, Березниковска, Панфиленок, Родионова, Чадаева
МПК: C03C 17/30
Метки: оптических, просветления
...ОПТИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ фен иларсинотио) -проп личествс 0,4 - 1,0/о. И сят пленку на поверх тической детали. Дета ется в термостате при глтриэтоксиспла з этого раствор ность вращающе ль с пленкой пр120 С в течение в кои напойся оп- огрева 1 чйс. ния оптических десисплана, отлп аюащиты деталей ог еждений, оно со.этоксисилан 99,0 - ифениларсинотио)- 1,0,я просветле е тетраэток с целью з ских повр%): тетра того, -7-(д тсилан 0,4 -ытие дл на основ тем, что, иологиче(в вес, крометриэтокс талеи тиееся микроб держит 99,6 и, пропил Изобретение относится к оптическому пройзводству, например, при создании оптических покрытый с фунгицидньтми свойствами,Известны покрытия для просветления оптиЧеских деталей на основе тетраэтоксисилана. 5Цель...