Адушкина

Номер патента: 1721499

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Адушкина, Иванова, Пнев

МПК: G01N 27/48

Метки: водных, инверсионно-вольтамперометрический, кислоты, растворах, сульфаниловой

...фонового электролита используется 0,1 М раствор КИОз, рН анализируемого раствора может находиться в пределах 3-9, не влияя на результаты определения. Время электролиза 5 мин.Далее задают катодную развертку потенциала (оптимальная скорость развертки электрорастворения накопленного вещества в диапазоне потенциалов 0,37 - 0,10 В. Ток пика линейно зависит от концентрации сульфаниловой кислоты в растворе в диапазоне концентраций не менеедвух порядков, указанные зависимости предлагаются в качестве калибровочных графиков. Способ позволяет определять содержание сульфаниловой кислоты в водных средах в пределах 10 - 10 М.При больших концентрациях сульфаниловой кислоты в растворе (10 - 10 М)-4 -2 в аналитических целях можно использовать как ток...

Номер патента: 1455372

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Адушкина, Браташевский, Карасев, Коновалов, Любарский, Тенишев, Хажмурадов

МПК: H01J 47/20

Метки: искровых, камер, проволочных, телескоп

...4 съемок информации работаЕТ СЛедУкщим образом.1 рн возникновении искры в камеречерез соответствующую проволочку 2 15 протекает злектрическнй ток, Магнитное поле тока обуславливает местное растяаение кли сватке участка магкитострихционной линии 4 вблизи проволочки, по которой протекает ток, Импульс 20 механичесхой деформации распространяется вдоль мапкитострккцмониой линик со скоростью звука. В момент прохозщекия механического импульса под приемной катугпхой з магнитная проницая масть линии, находящейся внутри катуэвкк, изменяется, вызывая в приемной катущхе ЭЛС. Измеряя промежутки времени медку моментом появления искры в камере и моментом появления импульса ЗО напрягеэвэя в приемной катуаке, Определяется координата искры.Конструкция...

Номер патента: 645294

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Адушкина, Дживелегов, Черткова

МПК: H05K 3/36

Метки: многослойной, платы

...второго коммутационного слоя, нанесение изоляционного слоя осуществляютвакуумным напылением перпендикулярно кповерхности коммутационного слоя на высоту не более половины высоты коммутационного столбика с последующим травлением межслойной коммутации до удаленияизоляционного слоя с вершины коммутационного столбика.На чертеже (а - г) дана схема иления многослойной платы с коммуными слоями из меди с подслоем хизоляционными слоями из боросили30 стекла или моноокиси кремния,=ф - 6 ч 5294ДНа чертеже показан процесс формирова из мсдп снимаот с верхним растворпвния коммутационного столбика (а) и на- шимся слоем меди. Затем наносят второйпыление изоляционного слоя в вакууме (б). коммутационный слой.На ситалловую (диэлектрическую) подФормула...