Способ изготовления многослойной платы

1 11 646294 О ПИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических(43) Опубликовано 30.01.79. БюллетеньГосударствеииый комитет Совета Мииистрое СССР 53) УДК 621.396 6.181,48 (088,8) по дедам изобретений и открытий(45) Дата опубликован Авторы зобретения(71) Заявител 54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ ПЛ изготовления мноющий формироваподложке первого Изобретение относится к области техники изготовления интегральных схем и может быть использовано при создании микроэлектронных схем,Изготовление многослойных микроэлектронных плат на пленочных структурах связано с обеспечением надежного электрического контакта между проводящими элементами, лежащими в разных слоях.Известен способ соединения проводящих элементов при изготовлении многослойной платы, который заключается в том, что на первый проводящий слой наносится изоляционное покрытие, в котором травлением создаются отверстия для последующего соединения 1-го и 2-го слоев металлизации 1.Известный способ имеет ряд недостатков: применение травителей, состоящих из азотной и плавиковой кислот, требует использования стойких к воздействию этих травителей веществ фоторезистов, обеспечивающих необходимое маскирование участков, не подлежащих травлению; сильное подтравливание диэлектрика приводит к отслоению, трещинам и другим дефектам изоляционной структуры,Известен также способгослойной платы, включание на диэлектрической коммутационного слоя, формирование межслойной коммутации в виде коммутационного столбика, нанесение изоляционногослоя, формирование второго коммутацион 5 ного слоя 2.Недостатком этого способа является невысокая надежность коммутации.Целью предлагаемого изобретения является повышение надежности коммутации.10 Поставленная цель достигается тем, чтов способе изготовления многослойной платы, включающей формирование на диэлектрической подложке первого коммутационного слоя, формирование межслойной ком 15 мутации в виде коммутационного столбика,нанесение изоляционного слоя, формирование второго коммутационного слоя, нанесение изоляционного слоя осуществляютвакуумным напылением перпендикулярно кповерхности коммутационного слоя на высоту не более половины высоты коммутационного столбика с последующим травлением межслойной коммутации до удаленияизоляционного слоя с вершины коммутационного столбика.На чертеже (а - г) дана схема иления многослойной платы с коммуными слоями из меди с подслоем хизоляционными слоями из боросили30 стекла или моноокиси кремния,=ф - 6 ч 5294ДНа чертеже показан процесс формирова из мсдп снимаот с верхним растворпвния коммутационного столбика (а) и на- шимся слоем меди. Затем наносят второйпыление изоляционного слоя в вакууме (б). коммутационный слой.На ситалловую (диэлектрическую) подФормула изобретенияложку 1 испарением в вакууме наносят 5первый коммутационный слой 2 (медь с Способ изготовления многослойной плаподслоем хрома) толщиной 0,8 мкм. Затем ты, включающий формирование на диэлекв местах коммутации со вторым проводя- трической подложке первого коммутационщим слоем 3 методом фотолитографии и ного слоя, формирование межслойной комгальванического наращивания создают вы мутации в виде коммутационного столбика,ступ (коммутационные столбики 4) из меди нанесение изоляционного слоя, формировавысотой в 1,5 - 2 раза больше, чем толщина ние второго коммутационного слоя, о т л иизоляционного слоя 5. На подложку с ком- ч а ю щийс я тем, что, с целью повышениямутационными столбиками высотой 3 - надежности коммутации, нанесение изоля 4 мкм напыляют пленку боросиликатного 15 ционного слоя осуществляют вакуумнымстекла толщиной 2 мкм, а на коммутацион- напылением перпендикулярно к поверхные столбики толщиной 5 - 6 мкм пленку ности коммутационного слоя на высоту немоноокиси кремния толщиной 3 - 4 мкм. более половины высоты коммутационногоТравление межслойной коммутации до столбика с последующим травлением межудаления изоляционного слоя с вершины 20 слойной коммутации до удаления изолякоммутационного столбика и напыление ционного слоя с вершины коммутационноговторого коммутационного слоя показаны столбика.на чертеже (в и г), Источники информации,Подготовленнуютаким образом диэлектри- принятые во внимание при экспертизеческую подложку 1 помещают в травитель изобретениядля меди (200 г надсернокислого аммония, 1. Патент Японии48 - 469, кл. 596 4,50 г серной кислоты, воды до 1 л) на 30 - опублик. 1978,50 с, в результате чего изоляционный слой 2. Патент Англии1048636, кл. Н 1 К,5, лежащий на коммутационных столбиках опублик. 1966. Составитель Л, ГришковаКараулова Техред Н. Строганов Корректор О. Тюрина Тираж 944 Поо комитета СССРий и открытийаушская наб., д. з 2538/11 Изд.150 НПО Государственно по делам изобрете 113035, Москва, Ж, Р