Патенты с меткой «термоэлементов»

Номер патента: 336739

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Никитин, Тарасов

МПК: H01L 35/08, H01L 35/34

Метки: коммутации, термоэлементов

...она ры служат легированнь 1 й ицид марганца (р-ветвь) и монобальта (п-ветвь), Образцы требуеов вырезают алмазным диском из лучеппых направленной кристалшлифуют в оправках на абразив- Коммутационная пластинка пзгоз сплавов железо-никель-хром,етвями высший сил силицид ко мых размер 1 б слитков, полизацией и пых кругах товляется ) Выбор коммутационной пластинки нз сплава железо-никель-хром обусловлен тем, что введение хрома в состав сплава железо-никель в количестве до 140,существенно повышает устойчивость коммутационной пластинки при нагревании на воздухе, способствует лучшему залуживанню ее при пайке и обе.- печивает оолее длительный срок службы термоэлементов.Образцы и коммутационную пластинку ставят на графитовую подставку. нижняя...

Номер патента: 307455

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Колетвинов, Люскин, Николаев, Павленко

МПК: H01L 37/02

Метки: ветвей, основе, растворов, сплавов, твердых, термоэлементов

...при температуре 375 оС в течение 3 час, "1 "- типа при 360 оС в течение 2 час.Термоэлектрическая эффективность получаемых по описанному способу образцов "р" и "тт "- типов проводимости выше, чем у образцов, проходивших термообработку в вакууме по извест.ной технологии и на воздухе. ов из сплавов на осноез - ВЬгТез ("р" - тип), и является метод порошкоМетод заключается в том, что предварительно спрессованные из размельченных сплавов ветви "р" и " и " - типов проводимости проходят термообработку в защищенной от влияния кислорода среде. В качестве такой среды используют вакуум, инертньй газ или водород,В условиях серийного выпуска термоэлементов известньй метод изготовления ветвей "р" ии "-типов предполагает наличие вакуумных ус....

Номер патента: 534812

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Алексеев, Бажин, Стафеев, Хорунжин

МПК: H01L 35/34

Метки: ветвей, термоэлементов

...низкая доброт,ность получаемых ветвей термоэлементов,Более высокие значения добротности дости"гаются при изготовлении ветвей методомгорячего выдавливания 23,Известен способ изготовления ветвейтермоэлементов путем выдавливания черезфильеру помещенного в контейнер термоэлектрического материала ГЗ,ВЕЙ ТЕРМОЭЛЕЫЕНТЗаказ 5517/254 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 133035, Москва, Ж 35, Раушская набд, 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 при замерзании, После этого контейнер герметично закрывают и охлаждают любым известным способом (например, с помощью тер-.моэлектребатарей) до замерзания жидкости,4 В закрытом контейнере, создается высокое...

Номер патента: 616599

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Алексеев, Петров, Соловьев, Тихонов, Хорунжин

МПК: H01L 21/66

Метки: ветевей, индикатор, полупроводниковых, проводимости, сплавов, термоэлектрических, термоэлементов, типа

...при разбраковке ветвей с токовым сечением ток 1 ммаЦель изобретения - повышение производительности при определении типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы.Для определения типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветвей термоэлементов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы в качестве индикатора используют водный раствор азотнокислой меди,Известно, что при травлении медных изделий перед гальваническим нанесением металлических покрытий, изделия опускают в водный раствор азотной кислоты 2, при этом идет следующая реакцияЗСцфВННО- ЗСц(ЮО)т+2 КО+1 НОПолучающаяся в результате реакции азотнокислая медь взаимодействует с веществом,п-ветви616599...

Номер патента: 669432

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Красильников, Нечипорук, Семенюк

МПК: H01L 35/02

Метки: термоэлементов, цепочек

...ширина которых равна одному из боковых рс.- меров термоэлемента, длина значительно превышает другой боковой размер, а Высота равна высоте термоэлемента, размещают между электропроводцичи платами 12, 13, 14, имеющими прорези, в которые вставляют дистанционные пластины 15, позволяю щие избежать шунтирования соседних брусков в процессе групповой пайки. Отрезая от блока резами, перпендикулярными ооковой поверхности полупроводниковых брусков, влосы толщиной равной боковочх рдзчер) тЕрМОЭЛЕМЕНта, ПОЛуЧаЮт двуХКИСКИдпыс цпочки термоэлементов с пдрдллс,ьным пит;- ниеч каскадов.Пример 1. Предлагаемый способ Оыл использован при изготовлении однокаскядных термоэлектрических микромодулей. Электропроводящие платы были выполнены В виде...

Номер патента: 780085

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Владимиров, Степанов

МПК: H01L 35/34

Метки: асимметрии, мостового, термоэлементов, типа

...- Ор 4 и Ой 1Поскольку укаэанйЬе ТЭДС и падения напряжений имеют встречное включение то напряжение 0 между выводами разнородных термоэлектродов припитании термоэлемента постоянным током составляет 20О,=(Е- Ет+ (Еп- Еп, ++ (ц, -о)Это напряжение через, Фильтр 6 подается на милливольтметр,7, который измеряет величину напряжения, соответствующую сумме трех составляющих асимметрии.фильтр 8 не пропускает постоян- .ного напряжения,поэтому милливольт-метр 9 показывает нуль,:Одновременнопроисходит зарядка накопительногокондесатора схемы 5. С выхода этойсхемы напряжение, пропорциональноенапряжению У, подается на вход усилителя 13, Усиленное усилителем 13напряжение подается на один вход вычитателя 14На другой его вход поступает напряжение с выхода...

Номер патента: 918996

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Васильев, Мазуренко, Меткин, Мороз, Помазанов, Рачков

МПК: H01L 35/34

Метки: коммутации, термоэлементов

...свинца и цинка..Пайка термоэлементов происходит в 20 атмосфере 90% азота + 10% водорода в специально собранной аппаратуре с программным; циклом 12.Недостатками данного способа коммутации является низкая технологичность 2 (необходимость в ручных операциях, связанных с пайкой), невысокая эффективность термохолодильника вследствие большого переходного электросопрогивления на плоскости полупроводник - комму-, 30 тационная шина (толстые слои никеля и припоев на основе свинца, цинка и алюминия).Наиболее близким к предлагаемому .по технической сущности является способ. Зф коммутации термоэлементов, заключающийся в том, что на полупроводники предлагается наносить гальваническим путем слой никеля или кобальта на никель- слой серебра, на серебро...

Номер патента: 1305903

Опубликовано: 23.04.1987

Авторы: Березин, Киселев

МПК: B65B 15/04, H05K 13/02

Метки: лентами, липкими, между, преимущественно, радиодеталей, термоэлементов, укладки

...26,имеющие равные диаметры Й, за одиноборот выхоДного вала редуктора посредством хРапового механизма 31 поворачиваются на угол Ч/2, соответствующий шагу Т передвижения цепочки (фиг, 4),Загруженные в вибробункеры термоэлементы (один из вибробункеров загружается термоэлементами с электронной проводимостью, а другой - с дырочной проводимостью) по лоткам 5и б поочередно поступают в гнездатранспортирующих роторов 7 и 8 и равномерно расположенные в последних,причем транспортирующие роторы установлены на валах 10 и 11 так, чтопри их одновременном повороте наугол М/2 оДно из гнезд 9 транспортирующего ротора 8 располагается напротив выходного отверстия лотка б,при этом очередной термоэлемент 1сразу постуйает в очередное гнездо...

Номер патента: 1379752

Опубликовано: 07.03.1988

Автор: Семенюк

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: термоэлектрической, термоэлементов, эффективности

...поперечногосечения термоэлементов. Б и Б401 г Составитель В. ГолубевТехред М.Дидье Корректор С. Шекмар Редактор А. Козориз Заказ 978/48 Тираж 772 ПодписноеВНЙИПИ Государственного комитета ГССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие,г,ужгород,ул,Проектная,4 Й к - длина термоэлементов;Б - площадь поперечного сечениятермоэлементов;К - сопротивление образцовогорезистора 15,1=1 для первого термоэлемента, Е 2для дополнительного термоэлемента.Расчетные формулы приведены дляслучая, когда произведение длины накорень квадратный из отношения периметра сечения к площади сечения первого термоэлемента в два раза большеэтой величины дополнительного...

Номер патента: 1597971

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Инглизян, Шевченко, Шмакова

МПК: G01N 25/18, H01L 35/34

Метки: батарей, ветвей, измерений, теплофизических, термоэлектрических, термоэлементов

...измерений ТЭ Б и ветвей те рмоэлементов.Устройство состоит из опорного фланца 1, в котором имеются отверстия 2 для вывоя)5 Н 01 1 35/34,6 потока достигается тем, что в устроистве для теплофизических измерений термоэлектрических батарей и ветвей термоэлементов, содержащем опорный фланец, нагревательный элемент, тепловой экран, защитный колпак с вмонтированным в него нагревателем, теплоизоляционную засыпку, термодатчики и датчики теплового потока, на опорном фланце и под нагревательным элементом соосно с ними дополнительно установлены теплопроводные вставки с сечением в плоскости, перпендикулярной оси устройства, равным сечению испытуемого образца, и высотой, выбираемой из условия МЛ= 0,5 - 2, где т - высота тепло- проводных...

Номер патента: 1836755

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Батрак, Копаев

МПК: H01L 35/34

Метки: термоэлементов

...20 л/мин имеет место неустойчивость образующейся струи, а при расходах, превышающих 35 л/мин происходит срыв струи.Вслед за газоплазменным напылением никеля проводят дополнительное упрочнениЕ20 пОлученной структуры с использованиемтермообработки, что позволяет наряду с повышением термоэлектрической добротности улучшить термомеханическиехарактеристики ветвей, коммутационныхшин и их контактных соединений. Так приупрочнении при помощи отжига в инертнойсреде экспериментально установлен диапазон температур 430-460 С, т.к. при мень- ших температурах не удается сформировать30 достаточно прочные структуры, а при больших значениях температур резко возрастает сублимация пОлупроводника.Соответственно указанным температурамсоответствуют времена...

Номер патента: 2001129

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Викторов, Смакович, Улановский, Фрид

МПК: C21D 8/12

Метки: дисков, сферических, термобиметаллов, термоэлементов, форме

...вцентре диска путем его деформации в направлении активного слоя со степенью деформации 20-50 приводит к возникновению в центре диска выпуклости малого диаметра, порядка 1 мм. Данная деформация расширяет диапазон использования термоэлемента от -200 до -550 С.Данные опытного опробования термоэлементов приведены в табл.2.Как видно из приведенных данных лучшие результаты показывают примеры 3-5, соответствующие параметрам и редложенного спОсоба. Данные примеры свидетельствуют, что в термоэлементах значительно снижается допуск на термочувствительность и разброс температуры срабатывания, По получении стабильной структуры свидетельствует максимальный прирост прецизионного предела упругости Л Оо,осе= 30-35 .Экономическая эффективность...