Способ дозирования проводящих и полупроводящих электричество сыпучих материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ пц 61768 Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 19.0 21) 2386400/18 нением заявки спр Государственныи комитет Совета Министров СССР.78. Бюллетень2 по делам изобретении и открытийала опубликованкя описанная 17.07,7 АНИЯ ПРОВОДЯЩИХЕКТРИЧЕСТВО СЫПУЧИХ АЛОВ Изобретение относится к области дозирования и может быть использовано вразличных отраслях промышленности, вчастности в сварочном производстве длядозировани я компонентов порошкового 5электрода,Известны способы бесконтактного дрования сыпучих материалов черезпускное отверстие неизменного сеченприменением электрического поля, осноные на взаимодействии частиц, возбуемых электрическим полем,Наиболее близким к изобретению является способ, основанный на воздействиина материал в области его истечсния электрическим полем и регулировке расходаматериала при истечении через отверстиенеизменного сечения посредством изменения параметров электрического поля.Известные способы не позволяют дозировать проводящие материалы из-за явленияэкранирования электрического поля, а следовательно, отсутствия взаимодействия частиц внутри сыпучего проводящего материала, 25Цель изобрете астиприменения и остидозированияПоставленная цель гается тем, чтопо предлагаемому сп па материал 30 ози- выия с ван жданапряженияхности разтся сильное ы верхнего линии есте- электричевижной наого отверных от наистечением ч 1 о линия ния - расширение обл уменьшение энергоемк дости особу(54) СПОСОБ ДОЗИРО ОЛУПРОВОДЯЩИХ 3 МАТЕвоздействуют переменным электрическим полем, при этом материал располагают в электрически изолированной от возбудителей поля области.На фиг. 1 и 2 показаны принципиальные схемы устройств для осуществления способа.Сыпучий проводниковый материал 1 подается в бункер 2 (фиг. 1), изготовленный из электроизоляционного материала. Продолжение бункера составляет прямоугольный канал, образованный электроизоляционными стснками 3. В канале сыпучий материал образуст насыпь с углом естественного откоса. К верхней и нижней степкам 3 канала установлены плоские электроды 4, подключенные к источнику 5 высокого переменного напряжения. При подаче на электроды 4 в объеме канала вблизи повер дела насыпь - воздух возбуждае поле, которое отрывает частиц слоя (из границы насыпи - по ственного откоса). Эти частицы ским полем удаляются от непод сыпи по направлению выпуски стия. На место частиц, оторван сыпи, из бункера свободным поступают новые частицы так, 617685естественного откоса остается без изменения.По принципиальной схеме (фиг. 1) отбор и транспортировка частиц в направлении выпускного отверстия осуществляется в области межэлектродного пространства, изолированной . от обоих возбуждающих поле электродов. По принципиальной схеме, показанной на фиг. 2, эта область изолирована от одного электрода и через сыпучий материал сообщается с вторым электродом. Механизм отрыва и транспортировки частиц по этой схеме имеет некоторое отличие от предыдущего. Особенность этой схемы обусловлена тем, что до отрыва сыпучий материал находится в контакте с одним из электродов, При подаче на электроды 4 напряжения на частицах верхнего слоя возникает сильное поле и с этих точек возмущаются завихрения воздуха, которые способствуют отрыву частиц от насыпи. Завихрения распространяются преимущественно в сторону выпускного отверстия. По сравнению с первой схемой возникшее здесь у частиц верхнего слоя электрическое поле больше, что улучшает условия отрыва. Вместе с тем завихрения затрудняют транспортировку материала. Выбор конкретной схемы зависит от электрофизических свойств дозируемого материала.Как по первой, так и по второй схемампри наличии переменного электрического 5 поля частицы отрываются от насыпи и приобретают дополнительную скорость по направлению выпускного отверстия. Количество и скорость транспортируемых частиц (т. е, расход материала через выпускное 10 отверстие) при прочих равных условияхопределяется величиной приложенного напряжения. Изменяя величину приложенного напряжения, производят дозирование материала.Формула изобретенияСпособ дозирования проводящих и полупроводящих электричество сыпучих материалов, основанный на воздействии на ма териал в области его истечения электрическим полем и регулировке расхода материала при истечении его через отверстие неизменного сечения посредством изменения параметров электрического поля, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширенияобласти применения и уменьшения энергоемкости, на материал воздействуют переменным электрическим полем, при этом материал располагают в электрически изо лированной от возбудителей поля области.617686 оставитель Б, Херсонски Техред Н, Рыбкина Подписи Тираж 892та Министров Соткрытийя наб., д. 4/5 ипография, пр. Сапунов едактор Т. Рыбалов Заказ 1352/12НПО Изд.544сударственного комитета Сов по делам изобретений и13035, Москва, Ж, Раушск орректоры: 3. Тарасова и Р. Беркович
СмотретьЗаявка
2386400, 19.07.1976
АРМЯНСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ МЕХАНИЗАЦИИ И ЭЛЕКТРИФИКАЦИИ СЕЛЬСКОГО ХОЗЯЙСТВА
ЦАТУРЯН АРТАШЕС ИСАКОВИЧ, КАЗАРЯН САМВЕЛ АРАЗОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01F 13/00
Метки: дозирования, полупроводящих, проводящих, сыпучих, электричество
Опубликовано: 30.07.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-617685-sposob-dozirovaniya-provodyashhikh-i-poluprovodyashhikh-ehlektrichestvo-sypuchikh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ дозирования проводящих и полупроводящих электричество сыпучих материалов</a>
Предыдущий патент: Дозатор жидкостей
Следующий патент: Устройство для дозирования и подачи порошковых материалов
Случайный патент: Способ определения bbicokhx температур газов