Способ защиты полупроводниковогоприбора ot перегрузок

Союз Советских Социалистичесних Реса убликОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИ ИТИЛЬСТВУ рц 851614(51)М. Кл.З с присоединением заявки Йо Н 02 Н 7/10 Государственный комитет СССР но дедам изобретений и открытий(72) Автор изобретения С,Г. БузыкинЗаявитель осковский ордена Ленина энергетнческй(54) СПОСОБ ЗЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВО ПРИБОРА ОТ ПЕРЕГРУЗОКолупроводехнике азработрных пе 5 лупроводм фиксипри перегок време до при- импульИзобретение относится к никовой преобразовательной и может быть применено при ке различного рода транзист реключающих устройств.Известен способ защиты п никового прибора, при котор руют ток коллектора прибора рузке на постоянный промежу ни, а затем запирают прибор хода очередного отпирающего са 111.Недостатком этого способа является низкая надежность.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является способ защиты полупроводникового прибора от перегрузок, при котором измеряют один из электрических параметров прибора, 20 интегрируют полученный сигнал, сравни" вают полученный интеграл с заданным и при достижении заданного уровня Формируют сигнал защиты 21.Недостатком этого способа является низкая надежность защиты транзистора при изменении температуры окружающей среды в широких пределах.Цель изобретения - повышение надежности защиты транзистора при измеии температуры окружающей среды вроких пределах.Указанная цель достигается тем. что интегрируют. напряжение змиттерколлектрр транзистора по времени и сравнивают его с заданным значением, причем это заданное значение изменяют по линейному закону обратно пропорционально росту температуры, а сигналом защиты является сигнал запирания транзистора до прихода следующего отпирающего импульса.На.чертеже изображена блок-схема, реализующая предлагаемый способ,Схема состоит из транзистора 1, коммутирующего нагрузку 2, который имеет схему 3 стабилизации тока эмиттера при перегрузках, Напряжение коллектор-эмиттер интегрируют интегратором 4, устанавливаемюм в нулевое состояние сигналом, инверсным управляющему и, таким образом, имеющим нулевое выходное напряжение к приходу отпирающего транзистор 1 сигнала. Напряжение с интегратора 4 совместно с напряжением температурно зависимого источника 5 поступает на компаратор 6, управляющим ключом 7.При перегрузке ток эмиттера транзистора 1 стабилизируется схемой 3851614 Формула иэобраеения Составитель В.РыковаРедактор Ю.Ковач Техред М. Рейвес Корректор В. Бутягае 675 омитет ткрытиушская аказ 6379/79 ТиражВНИИПИ Государственного по делам изобретений и 113035, Москва, Ж, Р ПодписиСР б., д.4/5 филиал ППП "Патентф, г.ужгород, ул.Проектная,4 путем соответствующего изменения его тока базы. Возрастающее при этом напряжение коллектор-эмиттер интегрируют схемой. В момент равенства напряжения на выходе интегратора напряжению источника 5 компаратор б открывает ключ 7, который в свою очередь запирает транзистор 1.Поскольку напряжение на выходе интегратора продолжает возрастать, транзистор 1 поддерживается в закрытом состоянии до прихода следующего им-. О пульса. За время паузы интегратор устанавливается в нулевое состояние, и, таким образом, в начале следующего периода транзистор 1 отпирается и процесс повторяется, 15Исполь зовайие предлагаемого способа по сравнению с известными обеспечивает повышение эффективности защиты силовых переключающих транзисторов от перегрузок по мощности и перегре- ;щ ва, наиболее полное использование силовых транзисторов по мощности, повышение эффективности работы защитных транзисторов на нагрузку с большой кратностью пускового тока, а также независимость максимальной температуры кристалла силового транзистора при перегрузке от температуры окружающей среды, что дополнительно увеличивает универсальность и эффективность особенно в широком диапазонетемйературы окружакщей среди. Способ защиты полупроводниковогоПрибора от перегрузок, при которомизмеряют один из электрических параметров прибора, интегрируют полученный сигнал, сравнивают полученныйинтеграл с заданным и при достижении заданного уровня фермируют сигнал защиты, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения надежности защиты транзистора при изменениитемпературы окружающей среды в широких пределах, интегрируют напряжениеэмиттер-коллектор. транзистора повремени и сравнивают его с заданнымзначением, причем это заданное значение иэменяют по линейному закону обратно пропорционально росту температуры, а сигналом защиты является сигнал запирания транзистора до прихо-.да следующего отпирающего импульса.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Сборник "Электронная техника вавтоматике" М "Советское радио",1977, вып,9, с. 234 "237.2, Авторское свидетельство СССР9 279582, кл. Н 02 Н 3/20, 1969.