Патенты с меткой «низкомодульных»

Номер патента: 954814

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Аникин, Савчик

МПК: G01B 11/16

Метки: датчик, деформаций, низкомодульных

...зель- мренкя деформации низкомодульньФормула изобретения15 3 95481 материалов, общий вид; на фиг. 2 - разрез датчика по А-А на жг. 1;"на фиг,3- схема измерения деформации с иомошью датчика.Датчик для измерения деформацчй 5 низкомодульных материалов состоит из эластичного круглого корпуса 1 и фото чувстгчтельных прямоугольных элементов 2, выполненных из селенида кадмия и расположенных на корпусе таким обра О зом, что угол между осями элементов и лью симметрии датчика равен 45. Датчик посредством выводов 3 соединен с измерительным прибором 4, В резиновой втулке 5 закреплен световод 6, другой торец которого соединен с источником 7 светаеДатчик для измерения деформаций низкомодульных материалов рабогает следуюшюм образом, ОДля измерения...

Номер патента: 1142482

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Наймарк, Самигуллин, Симоновский, Худяк

МПК: C08G 18/32

Метки: низкомодульных, полиэфируретанов, растворе

...ИСО-групп 3 64 вес.7 после чео ф : 50го охлаждают до 20-24 С.21,84 гполученной изоцианатсодержащей смеси растворяют при 20-24 Св 67,35 г ДМФ и к полученному раствору добавляют при перемешивании0,61 г ЭГ, а затем 0.18 г ОКО, Затеитемпературу поднимают до 80 С и краствору образовавшегося низкомоле-кулярного ПЭУ порционно добавляют 0,25 г МДИ.В результате получают гомогенный раствор высокомолекулярного ПЗУ с концентрацией 25,16 вес.7. и вязкосотью, измеренной при 25 С на реовискозиметре при=5,346 с , равной 35,7 Па с,=1,17 дл/г.П р и м е р 3, К 102,9 ммоль ПОПГ ММ 1097 добавляют 5,4 ммоль ПКЛ ММ 1848, что составляет 5,24 мол.% от ПОПГ и перемешивают при 20-24 Со в атмосфере осушенного инертного газа. Затем температуру поднимают...

Номер патента: 1359714

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Бобряшов, Ермолов, Зарудный, Лащеников, Табуйка, Титов, Шационок

МПК: G01N 3/38

Метки: низкомодульных, упругости, характеристик

...два электромагнита 9 и 10 для возбуждения крутильных колебаний образца, установленных с возможностью перемещения в горизонтальной плоскости. Устройство снабжено приспособлением для вертикального перемещения подвижной траверсы, выполненным в виде винта 11 и маховика 12, и поворотным столом 13, на котором установлены электромагниты 8, 9 и 10. Стол 13 связан через шаровую опору 14 с подвижной траверсой 4. Электромагниты 9 и 10 соединены с механизмами 15 точного перемещения, в частности, микрометрическими винтами в направлении, перпеццикулярном оси установки образца 6. Подвижная траверса 4 снабжена винтами 16 для фиксации ее относительно направляющих 2. Устройство содержит также источник импульсного тока питания электромагнитов и аппаратуру...

Номер патента: 1539578

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Долгов, Евграфов, Талицкий

МПК: G01N 3/32

Метки: динамических, низкомодульных, резонансный, характеристик

...онамических характеристи низкомодульных материа Цель изобретенияа, соединяют свободной поверх слоя исследуемого материала й неподвижной опоройВозбужзгибные колебания подложки,10 ф 2 Р) где Еи- динамический модуль упругости и коэффициентмеханических потерь исследуемого материала соответственно;- толщина подложки и слояисследуемого материаласоответственно;ПЛОтность и коэффициент 20механических потерь материала подложки соответственно;- резонансная частота составного образца и подложки соответственно; 11 и Н маркси- частоты, при которых амплитуда колебаний составного образца составляет0,707 амплитуды его резонансных колебаний,Повьппение точности обусловлено ьь тем, что при соединении составного образца свободной поверхностью слоя...

Номер патента: 1601503

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Сергеева, Цейтлин

МПК: G01B 5/06

Метки: низкомодульных, толщины

...от действия первой силы.На чертеже представлена схема наг:,ружения индентора при осуществлении .способа,Способ осуществляют следующим об;:разом.Контролируемое изделие 1 из ниэкомодульного материала, например полимерную пленку, помещают. на жесткое основание 2 и .воздействуют приложенной к сферическому индентору 3 ,заданной силой Р 1 на противоположную основанию поверхность, Измеряют расстояние от индентора до основаник :с помощью какого-либо измерителя 4 перемещения, например, с помощью часового индикатора, шкала которого предварительно настраивается на нуль при упоре шдентора 3 закрепленного на конце штока индикатора, в жесткое основание 2. Затем увеличивают нагрузку на индентор 3 до величины, соответствующей второму значению...