Патенты с меткой «которых»
Установка для отбора газа из полостей цистерн при опорожнении одной из них и заполнении другой материалами, газовая фракция которых представляет собой вред для окружающей среды
Номер патента: 1806084
Опубликовано: 30.03.1993
Автор: Петер
МПК: B67D 5/00
Метки: вред, газа, газовая, заполнении, которых, материалами, них, одной, окружающей, опорожнении, отбора, полостей, представляет, собой, среды, фракция, цистерн
...в наджидкостной полости цистернй 3, подлежащей заполнению, через трубопровод 13 направляется в холодильную камеру низкотемпературной ловушки 6. Нагревающийся в ловушке 6 жидкий азот превращается в газ и при опорожнении цистерны переходит в газовое пространство цистерны. В ловушке 6 поступающий из цистерны 3 газ конденсируется, полученный при этом конденсат, через тру1806084 оставитель Е. Фиш ехред М.Моргентал ан Корректор В,Петр едакт аказ 960 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 45 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 10 бопровод 13 снова поступает в цистерну 3. Несконденсировавшийся остаточный газ через...
Способ управления замком с запирающими стержнями, по меньшей мере один из которых выполнен изогнутым
Номер патента: 1838558
Опубликовано: 30.08.1993
Автор: Горностаев
МПК: E05B 47/00
Метки: выполнен, замком, запирающими, изогнутым, которых, меньшей, мере, один, стержнями
...при попытке управления замком без использования ключа воспринимают силовую нагрузку, работая на срез,На фиг,1 и 2 изображены общие виды вариантов конструкции замков с запирающими стержнями, по меньшей мере один иэ кс(торых выполнен изогнутым, в положение "Закрыто"; на фиг.3,4 - в положении "Открыто": на фиг.5 и 6 показано расположение запирающих стержней в положении "Закрыто" и "Открыто" соответственно.Замки содержат корпус 1 с выполненными на внутренней поверхности кольцевыми канавками 2 и пазом 3. обойму 4 с пазом 5, пластину 6 и установленные в ее отверстиях 7 запирающие стержни 8, ключ 9щий выступы 10 или магниты 11 длления запирающими стержнями 8и 4).Замки работают следующим обВ положении "Закрыто" (фиг,пирающие стержни 8 под...
Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами
Номер патента: 1200778
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Бротиковский, Зайцев, Курцин, Рыбак
МПК: H01L 21/308
Метки: защищены, которых, кремниевых, никелирования, поверхности, полупроводниковых, свинцово-силикатными, стеклами, структур, участки
Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.