Патенты с меткой «емкостного»

Номер патента: 1638752

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Сагутдинов, Селивахин, Суринов

МПК: H02G 7/00

Метки: емкостного, мощности, отбора, электроустановках

...напряжения на токопроводе 2 за счет емкости, существующей между первым и вторым выводом изолятора, на втором выводе 3 находится сигнал, пропорциональный контролируемому напряжению. Сигнал с второго вывода 3 при помощи второго такасъемного кольца 8 подается на выходной элемент 7,При загрязнении поверхности изолятора 1 и повышенной влажности по поверхности изолятора протекает активный ток утечки, величина которого зависит от компонентов загрязняющего слоя и уровня влажности. Поверхностный ток утечки поступает на первое токосъемное кольцо 4 и затем на заземление, Таким образом, сигнал на выходе устройства пропорционален напряжению на токопроводе и не зависит от тока утечки по загрязненному изолятору. Выполнение первого 4 и второго 8...

Номер патента: 1644291

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Злобин, Калин

МПК: H02H 9/08

Метки: дугогасящее, емкостного, замыкания, землю, компенсации, однофазного

...с ной нейтралью; на фиг.2 -схема устройства,кция представляет собой двухи магнитопровод без зазоров. Напервом стержне размещается рабочая обмотка 1, а нэ втором стержне - короткозамкнутая вторичная обмотка 2, На верхнем и нынснем ярмах магнитопровода располагаются две половины регулирующей обмотки 3. Они включаются по встречно-параллельной схеме,Устройство работает следу.ощим образом.При замыкании фазы на землю появляется напряжение смещения нейтрэли Оо, под действием которого по рабочей обмотке 1 протекает ток 1, Б обмотке 2 возникает ток. Благоцэря встречно-пэраллельному включению регулирующих обмоток результирующий переменный то,:. в ных ранен нулю. Такое вкл 1 очение регулирующих обмоток не оказывает влияния на результирующую...

Номер патента: 1647479

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Бронников, Сметанин

МПК: G01R 31/32

Метки: выключателей, емкостного, испытания, отключение

...таким, чтобы частота колебаний напряжения после отключения конденсатора 6 не изменилэсь. Цепочка, состоящая из конденсатора,8 и резистора 9, обеспечивает необходимое переходное восстэнэвливающееся напряжение на этом скачке,При указанных соотношениях параметров схемы воздействия на выключатели 4 и 5 практически одинаковы, различия в токе (ток е выключателе 4 увеличен нэ величину тока, протекающего через конденсатор 6) и напряжении(напряжение на выключателе 4 меньше на величину падения напряжения нэ реакторе 7) не превышают допустимых ГОСТом отклонений, поэтому одновременно могут испытываться два выключателя или два полюса одного выключателя. Условия испытания в режиме с маломощным источником при соответствующем выборе индуктивности...

Номер патента: 1649320

Опубликовано: 15.05.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчика, емкостного

...нарушаются механические, физико-химические, электрическиеи другие свойства диэлектрических оснований, во-вторых, - возможностями созданияи поддержания с требуемой точностьюнеобходимой теммературы. Поэтому при максимальной рабочей температуре датчика,равной 800 С, температура нагрева диэлектрических оснований выбрана равной 900 С,исходя из возможностей установки. Вакуумирование диэлектрических оснований до)- дА/ (Йми - к более глубокого по сравнению с рабочим при эксплуатации вакуума также имеет принципиальное значение, так как газоотделение повышается с увеличением вакуума.Поэтому, подвергнув диэлектрические основания одновременному воздействию высокой температуры (превышающей максимальную рабочую температуру) и вакуума более глубокого...

Номер патента: 1651186

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Бурбело, Голоцуков, Мартинец, Чорноус

МПК: G01N 27/22

Метки: датчика, емкостного, параметров

...вп(и 1 +срз ) иОд" =09 вп(вг 1+рр ) с выхода операционного усилителя 8. Напряжение 09 пропорционально проводимости Ув образцового конденсатора 6:09 = -О 1 Ув В 12 = -01) в СвВ 12,где Св - емкость конденсатора 6;В 12 - сопротивление резистора 12.Отношение напряжения 01 з к Оэ после достижения первого состояния квази- равновесия (при условии В 10 = Я 1 - В 12) будет равнымили Оз сов 1 рз -09 Озсов 1 уз" - уъ(4) 09Оп- хоКомпонентный детектор 16 определяетотношение синфазной составляющей на 1пряжения к амплитуде напряжения 09 иосуществляет приведение измерительнойцепи к второму состоянию квазиравновесияпутем регулирования коэффициента передачи управляемого делителя 14 напряжения,осуществляемого изменением цифровогокода на выходах...

Номер патента: 1651236

Опубликовано: 23.05.1991

Автор: Ясинецкий

МПК: G01R 27/04

Метки: добротности, емкостного, радиоэлементов, типа

...из варикапе устанавливаю реццсе напряыение Е с тачтника 5 настоянного тарый годключен к вну ружттаму 2 проводникам т ранее измепомощью иснапряжения, когреннему 3 и нарезонатора. где 1 Г - ширина голосы пропускания контура, Подставляя 7) в выражение (6),Го(9,ЬЕ, - цтвским образом, выражение 9) абоснсзыв;.ет определение добротности раттсрт,".":твс для измерения дабратодержитварикап 1.г: к;:.:.";.:; - .,;.:;, - :. - тор с ц,;.Итраль Г":сст ";т;,. а, , напр;т;:.;ения. изоляторгта щтс: тт, гтЕ т т 1 г цк( МпацкГчтгтчг", т , хтс - , 1" свным алек тг" 3 ";тнь.м способам. например с памг:щью .:зм итепя мкасти,. Источника пас аскнага .гцряжт кия и вольтметра. к,; -:.;икал, ,:атарвй подключен;зьггите в ;с гьц,о ;исдают таксе ттас сянгте с "...

Номер патента: 1659909

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Дунаева, Корбит, Лапшин, Пекуров

МПК: G01R 27/26

Метки: датчика, емкостного, измерительный

...30 имп./пФ.На разностной частоте 0,5 кГц тот же относительный фазовый сдвиг в 1 соответствует задержке,Ь 1 =Ар Т/2 л= 30 мкс,где Т - период разностной частоты (для частоты 0,5 кГц Т= 2 мкс),При той же тактовой частоте 10 МГц данный интервал может быть заполнен 3000 тактовыми импульсами, что дает разрешающую способность при измерении 1 О/3000 или 0.00033 О, а чувствительность измерения изменений емкости - 3000 имп./пФ, т.е. в 100 раз выше.Таким образом, благодаря переносу не-. сущей в область более низких частот, осуществляемому с помощью блока вычитания частот, чувствительность и разрешающая способность увеличиваются пропорционально отношению несущей и разностной частот. Поскольку колебания с близкими частотами формируются из...

Номер патента: 1677667

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Гутников, Соловьев

МПК: G01R 27/26

Метки: датчика, емкостного, измерительный

...22 (в момент срабатывания коммутатора 23 управляемого сигналом логической единицы с выхода элемента 2 И 34) подается на вход ОУ 25, изменяет его выходное напряжение и уравновешивает ток, протекающий через паразитный резистор 8. В качестве образцовой меры активного сопротивления использован образцовцй резистор 10. Назначение разделительного конденсатора 9 (С 9) - формирование двухполярного тока, протекающего через образцовый резистор 8. При этом должно выполняться требование: ТВОС 9, где Т - половина периода выходного напряжения, снимаемое с выхода Т - триггера 31. Процесс уравновешивания реактивной составляющей емкостного датчика 6 заключается в приведении переменной составляющей выходного напряжения УСН 11 к нулевому...

Номер патента: 1677772

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Бобков, Зихерман, Кресов

МПК: H02J 3/00

Метки: высоковольтной, емкостного, линии, мощности, отбора, электропередачи

...мощности .от высоковольтной линии электропередачи работает следующим образом,Напряжение линии электропередачи снимается. с емкостного делителя 1 напря. Клюкина дательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Г а,1 изводстяе жения уменьшенным в несколько рэз и подается на обмотку высшего напряжения нелинейного трансформатора 2. Здесь оно вторично снижается до уровня, на,30-40 превышающего номинальное напряжение 5 потребителя. Дальнейшее снижение напряжения до номинального уровня происходит в линейном шунтирующем реакторе 3. Регулировка величины выходного напряжения установки производится выбором ответвле ния реактора 3, используемого для подключения нагрузки 5.Настройка в линейный резонанс индуктивности линейного реактора 3 и емкости...

Номер патента: 1693684

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Захарян

МПК: H02J 15/00

Метки: емкостного, заряда, накопителя, электроэнергии

...1 Яэ нагрузку 13 происхс- ДИ Погргь За)1 Ы К 1331)Я КОММУ 1 тоол П р 3 еес Оэз пя с ки 91 э 1 оп иедр 1 н) нэгрулр у 13 может пооисходить звтомети 3 еск 33, если в качестве к 09191 утэторэР испОльзовать Газоразряднь 3 й коммутэтоо, например, искровой раз)ядки, Кроче того, газорэзряднз) нагпузкэ 3 наприме 31, газора;,ц)яднь)й игп. НИК ИЗЛуЧЕяия) МОЖЕТ бцтЬ Г)ОДК)3 К) 383 ла НОГОС 18 ДСТВЭНЯО К Ъ ОЧКЭМ Д И; 91 коммутатооэ 1.), В зтсм случае услои ) и 9 1 Г ят Ц ИДС:У, Сз 3.3.Злр .= .32 3 ь 3-3 з,ГД 8 1.)прПРОбивное нэприкение ГЭЗОРэзрядного и.;точника излучения,а в)89 я, и;.Обходимое для зе)е)33 Гки Яэкопй.тела 1 до Яэп ряжения 3.3 лр 3 Г 3 осле) вклк)ченияисточн 11 ка или посл разрядки нэкОпит 8 ля 1на Яэгоузку 33), очевидно меньше...

Номер патента: 1693704

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Кувшинов

МПК: H02M 9/06

Метки: высоковольтного, емкостного, накопителя, питания, стабилизированная, энергии

...ически неизменным ст( чником зарядного напряжения 1, Разсть напрскений(Оз-.Об) приложена в об.атном направлении к диодным ячейкам высОковольГНОГО тиристОрнОГО ключа 7 и вызывает рост тока 14 накопительного реакГора 4, В момен" времени Т 1, кОГДа 14 == 1 пор срабатывает датчик зарядного тока 16, на Вь 1 ходе которого появляется сигнал О 1 б, вызывак;щий размь кан(ле;(л 1 оча 15, а в момент времени ".г, когда Оз == Ос, ток накопительно О Рва КГОРаДгГ( И(аЕТ МВКСИМВЛ ЬНОГО ЗНа - ения 1 к, Е( момент времени тз напряжение емкостного накопителя энергии 6 Достигает пс(рога срабатывания датчи(а напрях(ения 12, который формирует С,(Г 14 а(1 ВКЛЮс 4 ЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТИРИ- сторного кл,оча 7, С выхода логического эле(лента ИЛ 4 14 управляющий...

Номер патента: 1700677

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Рыжков, Рыжкова

МПК: H02H 9/08

Метки: быстродействующей, емкостного, замыкания, землю, компенсации, настройки

...соединен с входом интегратора 8, выход которого соединяется с входом сумматора 7,Устройство работает следующим образом.За исходное состояние схемы принятарезонансная настройка компенсации при всех включенных отходящих линиях, Сигнэлы на всех выходах нуль-индикаторов 10 равны нулю. При этом сигнал на выходе измерителя б расстройки компенсации равен "О", а на выходе интегратора 8 равен значению, обеспечивающему на выходе сумматора 7 уровень напряжения, пропорциональный величине емкости конденсаторнол приставки 4, необходимой для острой настройки в данный момент, т.е. комбинация "О" и "1" на выходах АЦП поддерживает схему в исходном состоянии острой настройки .При отключении какой-либо линии, например релейной защиты при коротком...

Номер патента: 1702523

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Никитин, Шарабыров

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостного, зарядки, накопителя

...счетчика 16 появляется сигнал, триггер 18 опрокидывается и запирает верхний транзистор модуля 7.1, ток в силовой цепи прекращаетсяЧерез К тактов задающего генератора 1 (где 1 - коэффициент деления делителя 2 частоты), на втором выходе счетчика 3 появляется сигнал, который через элемент И 4.3 поступает на первый вход узла 6.2 формирования скважности, который аналогичным образом, на своем первом выходе формирует сигнал и отпирает верхний транзистор модуля 7,2. Если протекающий в силовой цепи ток при этом выше минимально допустимого, то состояние счетчика 16 не изменяется и по очереди включается третий, четвертый, и-й модули, Если ток в заряженном конденсаторе снизился ниже установленного уровня (фиг. 2,а), срабатывает компаратор 14...

Номер патента: 1718366

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Бронников, Дягилев, Раскулов, Тобиас, Шипицын

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостного, зарядки, накопителя, энергии

...эквивалентной емкостью конденсатора и накопителя и суммарной индуктивностью дросселей до напряжения, величина которого зависит, в основном, от соотношения емкостей конденсатора 10 и накопителя 6. Диод 3, шунтируя дроссель 4 при смене полярности на нем, предотвращает чрезмерное повышение напряжения на накопителе по сравнению с напряжением на конденсаторе 10 в конце данной ступени заряда, а дроссель 9 обеспечивает небольшое превышение на накопителе 6 для надежного эапирания тиристоров в конце этапа. После эапирания тиристоров моста (11) конденсатор 10 дозаряжается до напряжения источника 5, В мо 5 10 15 20 25 30 35 мент 1 г подается отпирающий импульс на тиристоры, расположенные в синфазных плечах моста, например тиристоры 11 и 12, и после...

Номер патента: 1719892

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Куликов, Островский, Павленко

МПК: G01D 5/18

Метки: датчика, емкостного, многосекционными, параметра, перекрытия, переменной, площадью, преобразования, сигнала, физического, электродами

...блока 19 подсоединен через второй блок разности 20 и ключ 21, управляющий вход которого соединен с выходо компаратора 12, к индаору тоного стсчета 22.Способ преобразования сигнала емкостного датчика физического параметра заключается в следующем. Ротор 3 совершает поступательное перемещение и одновременно возвратно-поступательное движение, задаваемое вибратором 5, с постоянной амплитудой, величина которой меньше расстояния между полосками статора и ротора, но больше порога чувствительности преобразователя 7, и периодом, меньшим времени перемещения ротора при его поступательном движении на эту величину, а время нахождения ротора в крайних положениях больше времени измерения преобразователя 7.В зависимости от положения ротора...

Номер патента: 1723473

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Городецкий, Зиновьев, Русских

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчика, емкостного, настройки

.... приращений емкостей от влияющих фактоную за одно целое с корпусом, пластину 3, 1:5 ров, а следовательно, снижение погрешно. установленнуюсзазором, которыйопреде- сти. Затем окончательно закрепляют ляется кольцом 4. На поверхностях мембран-:пластину с мембраной путем, например, ны 2 и аластин 3, обращенных друг к другу, . сварки и замеряют измерительную и опор- сформированы методом напыления элект.- ную емкости при двух предельных. рабочих роды 5 и 6 измерительной емкости (Си). и 20 температурах, например при минимальной электРоДы 7 и 8 опоРной емкости (Со), кото и максимальной 12, с последУюЩим РасчеРые подкЛючены к электРонномУ блокУ С том отношений Си 11/Сой иСи 2/Со 2, помоЩью пРовоДников 9. ЗлектРонный гДе Сит 1, Ситг, Сот,...

Номер патента: 1731442

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Горегляд, Котов, Сержантова

МПК: B22F 7/04

Метки: внутренней, емкостного, оборудования, поверхности, упрочнения

...твердого агрегированного пигмента с пленкообразователем и диспергирование пигмента, Смесь характеризуется высокой вязкостью за счет большого содержания пигментов и наполнителей,В качестве мелющих шариков в диспергаторе используют стеклянный бисер, выпускаемый в соответствии с ТУ. В зависимости от степени диспергирования пигмента, в диспергатор загружается бисер строго одного размера, Диспергирование обеспечивается в результате трения, возникающего в пигментной пасте при движении ее между бисером и металлической поверхностью стенок контейнера. Сам диспергатор представляет собой неподвижный цилиндр с рубашкой для водяного охлаждения и вращающимся валом с насаженными на не 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 го дисками, Объем бисера,...

Номер патента: 1732436

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Пуресев

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостного, зарядки, накопителя, энергии

...выключения диода 19 является равенство встречных токов через него, после чего этот диод выключается и ток, протекающий через первичную обмотку трансформатора, вновь замыкается через источник. Поскольку схема инвертора симметрична, принцип работы инвертора в другие полупериоды в различных стадиях зарядного процесса повторяется.В моменты, когда диод 19 не проводит ток, энергия от источника поступает в емкостной накопитель энергии и запасается в реактивных элементах инвертора, При включенном диоде 19 энергия от источника в инвертор не поступает, а заряд емкостного накопителя энергии осуществляется за счет частичного отбора энергии из реактивных элементов инвертора. Время, в течение которого диод 19 нахОдится в проводящем состоянии,...

Номер патента: 1768329

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Волков, Рыжаков, Цапулин

МПК: B08B 5/00

Метки: датчика, емкостного, полости

...датчика. Резонансные частоты, нава очистки. Поставленная цель достигается 15 пример емкоем костных низкочастотныхтем, что в способе очистки полости емкост- акселероме ртров составляют величины отного датчика, заключающемся в том, что че о 700 Гдо ц в зависимости от диапазонарез полость прокачивают рабочий агент, измерения акселерометра, поэтомуионизакоторый ионизируют путем создания в нем цию газа в полос бти при ора следует провоэлектрических разрядов, в качестве рабоче дить на частотах свыше,700 Гц, напримерго агента выбирают инертный газ, дополни Гц а возбц, а воз уждение упругого элементательно возбуждают инерционный элемент на частоте б лизкои к резонансной, напридатчика за счет приложения к рабочим об- мер 300 Гц.кладкам...

Номер патента: 1772888

Опубликовано: 30.10.1992

Автор: Лебедев

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостного, зарядки, накопителя, энергии

...с сигналом с резистора 12 подаются на первый вход блока 3 управления, с выхода которого сигнал подается на вход стабилизатора 2 тока и напряжения - происходит стабилизация тока. При достижении заданной величины напряжения на вход стабилизатора 2 подается сигнал для стабилизации напряжения по цепи: выход компаратора 8, второй вход блока 3 управления, с выхода блока 3 управления навход стабилизатора 2 напряжения,5 10 15 20 25 При нормальной работе сигналы с датчика 6 тока и резистора 12 эквивалентной цепи равны, при изменении параметров накопителя 7 энергии или эквивалентной цепи - комплексного сопротивления 16, накопительного элемента 15, ключевого элемента 14 или резистора 13 - появится отклонение напряжения, величина которого позволит...

Номер патента: 1777234

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Вавинов, Перунов

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостного, заряда, накопителя

...соответственно, точками соединения накопительного конденсатора 2,3(2.5) и резистора 4.7(4,11) и точкой соединения высоковольтного вентиля 3,4(3.6) и резистора 4.8(4.12) последующей ступени подключены зарядно-разрядные резисторы 4.5(4.9) и 4.6(4.10). Точки соединения резистора 4,3 и накопительного конденсатора 2,1, высоковольтного вентиля 3.2 и резистора 4.4 первой ступени подключены к выводам источника 1 зарядного напряжения через зарядные резисторы 4.1, 4.2, параллельно управляемому коммутатору 5,6 и накопительному конденсатору 2,6 подключен разрядный резистор 4.13.Устройство для заряда емкостного накопителя работает следующим образом,Накопительные конденсаторы 2.1, 2.6 через резисторы 4.1-4.2 заряжаютсл от источника зарядного...

Номер патента: 1778858

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Петров

МПК: H02H 9/08

Метки: автоматической, емкостного, компенсации, сети

...проводимости Ьг дугогася щего реактора. Второй функциональный преобразователь предназначен для корректировки величины Ь при изменении фазного напряжения сети, т.е, учитывает нелинейность вольт-амперных характеристик дугогасящего реактора. Заграждающие фильтры подавляют составляющую промышленной частоты во входных сигналах, а фильтры низких частот - составляющие выше частоты 1 о. Полосовые фильтры выделяют составляющие сигналов частоты 10, а преобразователи напряжения преобразуют их в пропорциональные сигналы постоянного тока,На фиг.1 представлена функциональная схема устройства для автоматической компенсации емкостного тока сети; на фиг.2 - функциональная схема блока деления;К высоковольтной нейтрали силового трансформатора...

Номер патента: 1780150

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Никитин, Шарабыров

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостного, зарядки, накопителя

...по Гпод 2, поскольку на вторую входную шину сумматора 10 поступэот инверсные сигналы, и Фактически выполняется операция вычитания кода задержки из кода базового адреса,10 15 20 Таким образом, перемещаясь в поле ячеек ОЗУ, базовый адрес Аб прсизводиг активизацио одной из них в момент прихода импульсое нэ инфармационнье шины величина которой в каждом цикле раосты устройства Формируется счетчикам 8 кодо задержки по тактам задакщего генератора 1 при наличии на его входе 2 сигнала с датчика 4 потребляемого тока (фиг, 2 а, 2 б),30 Сдвиг между импульсами дешифратсра 13 составляет величину Т/2 п, где Т - период рабочей частоты транзисторных преобразовательных модулей (фиг, 2 в), С появлением импульсов нэ выходах дешифратора 13 соотеетству 1 ощие...

Номер патента: 1780151

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Карпов, Мифтахов, Никитин, Шарабыров

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостного, зарядки, накопителя

...выходом преобразовательного модуля, упоавллющий вход ключа 17 через резистор 19 и мостовой выпрямитель 20 подключен к выводам дополнительной обмотки 21 трансформатора.Устройство работает следующим обра 55 5 10 15 20 25 30 ф) 5 40 45 Устройство содержит и основных преобразовательных модулей 1.11,п и М резервных преобразовательных модулей 2.12.К однополярные силовые входы которых соединены с одним из выходных зажимов источника питания 3, ко второму зажиму которого через датчик потребляемого тока 4 подключены силовые входы преобразовательныхх модулей другой полярности, выходы основных и резервных модулей через свои мостовые выпрямители 5.15.п и 6.16,1 соединены последовательно-согласно и подключены к обкладкам емкостного накопителя 7,...

Номер патента: 1781637

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Андреев, Гутников, Рудаков, Соловьев, Тимошенко

МПК: G01R 27/26

Метки: датчика, дифференциального, емкостного, измерительный

...Неинвертирующий входОУ 30 подключен к общей шине устройстваи через ключ 28 соединен со вторым выводом конденсатора 26. Второй вывод конденсатора 26 соединен с выходом ОУ 30 иявляется выходом СД 25. Входы управленияключей 28 и 27 являются соответственнопервым и вторым входами управления СД25.Устройство выборки-хранения (УВХ) 31содержит ключ 32, первый вывод которогоявляется информационным входом УВХ 31,Второй вывод ключа 32 соединенс неинвертирующим входом ОУ 33 и через конденсатор 34 подключен к общей шине устройства,Выход ОУ 33, являющийся выходом УВХ 31соединен С неинвертирующим вхОдом этОгОусилителя. Вход управления ключа 32 является входом управления УВХ 31.Недостаточная чувствительность прототипа обусловлена его функцией...

Номер патента: 1783334

Опубликовано: 23.12.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчика, емкостного

...элементу усилием, приложенным к центру пластины, Величина усилия определяется в соответствии с заявляемым соотношением. Жестко закрепляют пластину на упругом элементе, например, при помощи сварки. Причем зоны закрепления выполняют на одинаковом расстоянии от выводных проводников, Прекращают воздействие усилия. Далее приступают к операции вакуумирования, Предварительно целесообразно поместить упругий элемент и пластину в корпус с герметизирующим отверстием, Все предыдущие действия аналогичны действиям при реализации способа по прототипу. По- мещают датчик в установку электронно-лучевой сваки ОЗЛЗВ, создают в камера вакуум 10 Па. Герметизируют датчик, заваривания герметизирующее отверстие электронным лучом, После герметизации....

Номер патента: 1796935

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Арбузов, Белозубов, Ларкин, Маланьин

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчика, емкостного, помощью

...что устройство для измерения давления с помощью емкостного датчика снабжено тремя резистора ми и вторым инвертирующим усилителем, вход которого через первый резистор соединен с выходом генератора, а через второй резистор - с выходом первого инвертирующего усилителя, при этом третий резистор 3 О подключен между выходом и входом второго инвертирующего усилителя, выход которого через введенную в датчик термозависимую емкость соединен со входом первого инвертирующего усилителя. 35Изобретение поясняется чертежом. Устройство содержит генератор 1, первый 2 и второй 3 резисторы, опорную 4 емкость, третий 5 резистор, второй 6 усилитель, термозависимую 7 емкость, рабочую 8 емкость, 4 первый 9 усилитель.Устройство работает следующим...

Номер патента: 1798734

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Андреев, Гутников, Логинов, Соловьев, Тимошенко

МПК: G01R 27/26

Метки: временной, датчика, емкостного, измерительный, интервал, параметров

...В качестве устройства формирования цикла работы преобразователя применен счетчик . Джонсона и дешифратор 26, преобразующий двоичный код в сигнал на одном из десяти выходов. На тактовый вход счетчика с дешифрованными выходами 26 подает-.ся напряжение прямоугольной формы от генератора 25, Форма выходного напряжения генератора 25 приведена на фиг.2,1. Частота работы генератора 25 должна быть стабилизирована кварцевым резонатором.Напряжение управления работой ключа 11 (фиг, 2.2) снимается с выхода 08 счетчика 26, который является первым выходом БУ 27, С выхода "перенос" счетчика 26 снимается сигнал (фиг.2.3), который управляет работой коммутатора 2 и задает цикл работы преобразователя, При работе ключей 2 и 3 на образцовом 4 и измеряемом...

Номер патента: 1805535

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Жулев, Пантелеев

МПК: H02M 7/02

Метки: емкостного, заряда, накопителя, энергии

...через выпрями. 1 ели 5 и 6 и ппямосещенные диоды 8 и 9.суммируются в накопительном конденсаторе 10.По мере роста напряжения на накопительном конденсаторе 10 доля реактивной энергии колебательного контура 3 падает до нуля в момент, когдаОы =02= О 6 8 (1) где О - приведенное напряжение накопительного конденсатора;Ов - йапряжение источника питания 11; Ог - напряжение вторичной обмотки трансформатора 4, приведенное к первичной обмотке;0 - добротность колебательногоС- контура 3В этот момент схема управления 12 вырабатывает положительный импульс, поступающий. на управляющий электрод тиристора 7, при этом диоды 8 и 9 оказываются под обратным напряжением и ток через них прекращается, а выпрямители 5 и 6 оказываются последовательно согласно...

Номер патента: 1807530

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Козин

МПК: H01L 21/02

Метки: величин, емкостного, механических, преобразователя

...пз, уменьшеннойна толщину соединительного шва междумембраной и основанием пс,шНа фиг, 4 изображена пластина послестравливания защитной маски в областяхсоединения мембран и оснований, 50На фиг. 5 изображена пластина послевыявления легированного "стоп" - слоямембраны 8 и получения упоров 9 заданнойТОЛЩИНЫ (Пз - Пс.ш.).На фиг, 6 изображено основание 10 с 55пьедесталами 11 высотой (Ьисх 2), превышающей толщину пластины, для обеспеченияпосадки мембран через упоры на основание. В основании проведено легирование+бора для создания проводящего р слоя 12 и на их поверхности создан дизлекгриче ский слой 13, изолирующий при сборке мем брану от основания, На вершине пьедестала сформированы адгезионные области 14 для соединения мембран и...