Устройство для поверки средств измерения магнитной индукции

Союз СоветскнхСоцналнстнческнхРеспублнк Оп ИСАКИИ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1866512(23) П риорнтет по делан изобретений и открнтий(54)УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОВЕРКИ СРЕДСТВ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНОЙ ИНДУКЦИИИзобретение относится к измерительной технике и метрологии и предназначено для исследования, поверок и аттестации средств измерения. магнитной индукции.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройст во для поверки магнитометров, содержащее трехкомпонентную систему взаимно перпендикулярных катушек магнитной индукции с обмотками для компенсации постоянного магнитного поля Земли и образ 10 цовыми обмотками, источники питания соединенные с обмотками компенсации и образцовыми обмотками, измеритель и ре гулятор силы электрического тока, вклю 1 ченные в цепь образцовой обмотки, образцовый квантовый магнитометр с устройством для измерения частоты прецессии, сверхпроводящий источник магнитной индукции, выполненный в виде сверхпроводя шей тонкостенной цилиндрической трубы, расположенной в гелиевом, криостате, устройство для измерения, регулирования и поддержания на заданном уровне темпера 2туры сверхпроводяшей трубы, герметичный трубопровод, соединяющий гелиевый криостат с устройством для измерения, регулирования и поддержания на заданном уровне температуры сверхпроводяшей трубы 13.Недостатком известного устройства для поверки магнитометров является недостаточно высокая точность измерений и относительно узкий рабочий диапазон в области сверхслабых магнитных полей,.обусловленные недокомпенсацией вариаций магнитного поля Земли и промышленных магнитных помех при переводе трубы в сверх- проводящее состояние.Цель изобретения - повышение точности и расширение диапазона измерений устройства для поверки средств измерения магнитной индукции.Эта цель достигается тем, что устройство для поверки средств измерения матънитной индукции, содержащее трехкомпонентную систему взаимно перпендикулярных катушек магнитной индукции с образцовыми обмотками, источники питания, из мерители и регуляторы электрического тока, включенные в цепи образцовых обмоток, образцовый квантовый магнитометр с измерителем частоты прецессии, поворотный механизм, сверхпроводяшую цилиндрическую трубу, гелиевый криостат и блок для измерения, регулирования и поддержания пв заданном уровне температуры сверхпроводящей трубы с кабелем и герметичным трубопроводом для их соединения, снабжено ферромагнитным экраном, в экранированном объеме которого размещен гелиевый криоствт со сверхпроводящим магнитным экраном, состоящим из одной или нескольких ковксиально расположенных сверхпроводящих цилиндрических оболочек с дном, с толщиной стенки на двв порядка меньше их диаметра, каждая иэ которых снабжена выводной трубкой гелиевого сифона и двумя ковксиально расположенными термоизолируюшими рубашками, одна из которых размещена на наружной, в другая - нв внутренней поверхности сверхпроводяшей оболочки, соленоидами, размещенными коаксиально сверхпроводяшей цилиндрической трубе снв. ружи и внутри ее полости, при этом упомянутая труба размешена в сверхпроводящем магнитном экране, коаксивльно ему, на термоизолируюшей рубашке, расположенной на внутренней поверхности сверхпроводяшей оболочки, выполнено осевое отверстие, трехкомпонентная система взаимно перпендикулярных катушек магнитной индукции размещена в экранированном объеме внутренней сверхпроводяшей обомочки, центр системы катушек совмещенцентром экранированного объема, ось одной иэ катушек совмещена с продольной осью внутренней сверхпроводяшей оболочки, в первичный преобразователь образцового квантового мвгнитометра размечен в центре экранированного объема сверх проводящего магнитного экрана и соединен с немвгнитным поворотным механизмом.На чертеже изображена структурнаясхема предлагаемого устройства.Устройство содержит трехкомпонентную систему катушек 1,состоящую из трех взаимно перпендикулярных пар катушек 2, 3, 4, например катушек Гельмгольца, ось одной иэ пвр катушек 2 ориентирована по вертикали, в оси других катушек 3 и 4- по горизонтали, Каждая пара катушек 2, 3 и 4 содержит образцовые обмотки, предназначенные для создания заданного эталонного магнитного поля. Образцовые обмотки в каждой иэ пар катушек 2, 3 и 4 соединены последовательно, в каждая иэ6512 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 4пар обмоток раздельно подключается через переключатель 5 к источнику 6 питания. Б цепи питания образцовых обмотокустановлен измеритель 7 и регулятор 8силы электрического тока,Устройство содержит также сверхпроводяший магнитный экран 9, состоящий издвух ковксиально расположенных сверхпроводящих тонкостенных оболочек 10, 11с дном, термоиэолируюших рубашек 12, 13,14 и 15, а также трубок гелиевых сифонов 16, 17 и 18, Между внутренней рубашкой 13 наружной ободочки 10 и наружной рубашкой 14 внутренней оболочки 11установлен зазор 19, в котором размещена трубка гелиевого сифона 17, Трубкагелиевого сифона 18 размещена в полости 20 внутренней оболочки 11, а трубкагелиевого сифона 16 размещена в гелиевой ванне гелиевого криостата 21, снаружи сверхпроводящего магнитного экрана 9. Нв внутренних термоизолирующихрубашках 13 и 15 в центрах дниш выполнены отверстия 22 и 23 соответственно.В месте отверстий 22 и 23 соответственно расположены области 24 и 25 внутренних поверхностей оболочек 10 и 1 1 незащищенные термоизолируюшими рубашками,Трехкомпонентная система катушек 1размещена в рабочем экранированном объеме 26 сверхпроводящего магнитногоэкрана 9 так, что ее центр совмещен сцентром рабочего экранированного объема26, ось пары катушек 2 совмещена с проЯдольной осью внутренней сверхпроводяшейоболочки 11, Под рабочим экранированнымобъемом понимается объем, окружающийсредство и объект измерения, изолированный (до заданного значения магнитнойиндукции на верхней его границе) от воздействия внешних постоянных и переменных магнитных полей. Ф сверхпроводящеммагнитном экране 9, состоящем из сверхпроводящих оболочек 10 и 11 с дном, экранированный рабочий объем 26 расположен в нижней части внутренней оболочки11, выше ее днв. Центр рабочего экранированного объема расположен посрединеего, т.е. высота экранированного объемаравна 8, то его центр лежит на расстоянии 0 /2 от дна внутренней оболочки.Устройство содержит также сверхпроводящую цилиндрическую трубу 27, размещенную в экранированном объеме 26 сверхпроводящего магнитного экрана 9, коаксивльно ему, источники магнитной индукциинапример соленоиды 28 и 29, размешены коаксиально сверхпроводяшей тру5 886 бе 27, Соленоиды 28 и 29 раздельно подключаются через переключатель 30 к источнику 31 питания, В цепи питания соле ноидов установлены измеритель 32 и регулятор ЗЭ силы электрического тока, Сверхпроводящий магнитный экран 9, трех- компонентная система катушек 1, сверх- проводящая труба 27, соленоид 28 размещены в гелиевом криостате 21, который размещен в экранированном объеме 34 фертаиавливается и стабилизируется заданноезначение давления газообразного гелия вкриостате 21, а, следовательно и заданное значение температуры и ее стабильность сверхпроводящего магнитного экрана 9 и сверхпроводящей трубы 27, Приэтом температура экрана 9 и трубы 27измеряется косвенным путем - измеряя.давление газообразного гелия над зерка О дом жидкого гелия в гелиевой ванне криостата 21 с помощью дифференциальногоманометра блока 38. В центре рабочегоэкранированного объема 26 сверхпроводяшего магнитного экрана 9 размещены пер вичные преобразователи 40 и 41, соедионенные соответственно с образцовым квантовым магнитометром 42 и поверяемыммагнитометром 43. Образцовый квантовый магнитометр 42 соединен с иэмери- уО телем 44 частоты прецессии, а первичныепреобразователи 40 и 41 соединены с немагнитным поворотным механизмом 45,Устройство для проверки средств измерения магнитной индукции работает сле дующим образом.ферромагнитный экран 35 устройстванаходится под воздействием магнитных полей Земли, промышленных установок иэлектрофицированного транспорта. В экранированном объеме 34 ферромагнитногоэкрана 35 индукция внешнего магнитногополя Во ослабляется ферромагнитнымисдоями экрана 35 до значения В. Ободочки 10 и 11 магнитного экрана 9 находится в нормальном состоянии (при температуре значительно превышающей критическую температуру Тс материала оболочек 10 и 11 - температуру перехода всверхпроводяшее состояние) и под дейст О вием индукции магнитного поля В, которое пронизывает упомянутые оболочки,полость 20, трехкомпонентную системукатушек 1, трубу 27, соленоиды 28 и29, первичные преобразователи 40 и 41 45и поворотный механизм 45, Подачей жидкого гелия в трубку гелиевого сифона 17начинает охлаждаться оболочка 10. Благо 50 ромагнитного экрана 35,Гелиевый криостат 21 должен быть изготовлен из немагнитного материале, так как в противном случае, магнитные включения в стенках криостата 21, особенно его внутренних оболочек 36, расположен ных в экранированном объеме 26 сверхпроводящего магнитного экрана 9, будут создавать остаточное магнитное поле ко нечного значения в экранированном объеме 26 сверхпроводящего экрана 9 нли искажать однородность замороженного ноля сверхпроводяшей трубы 27 изменять его значение, т.е. фактически создавать магнитные помехи.Кроме того, материал, из которого изготовлен криостат 21 должен быть непроницаем для газообразного гелия, так как в противном случае газообразный гелий из гениевой ванны криостата 21 проникает в изолирующие вакуумные промежутки крностата 21 и жидкий гелий испаряет ся из него, а следовательно, сверхпроводящий магнитный экран 9 и сверхпроводящая труба 27 не смогут быть переведены в сверхпроводяшее состояние. Гелиевый криостат 21 герметично соединен трубопроводом 37 с блоком 38 для измере. ния, регулирования и поддержания на заданном уровне температуры сверхпроводящего магнитного экрана 9 н сверхпрово дящей трубы 27 и кабелем 39. В состав блока 38 может входить вакуумный насос, дифференциальный манометр, мано стат, вакуумные трубопроводы и вакуум ные вентили. Изменяя давление газообразного гелия над поверхностью жидкого гелия в гелиевом криостате 21, изменяется температура жидкого гелия, а следоватедьно, и температура трубы 27. Откачивая вакуумным насосом блока 3.8 газообраз. ный гелий по трубопроводу 36 из ге 812 6 даря наличию на оболочке 10 термоизолирующих рубашек 12 и 13, изготовленных, например из пенопласта, и отверстия 22 во внутренней термоиэолирующей рубашке 13 быстро охлаждается только областьлиевого криостата 21, можно понизить температуру сверхпроводящего экрана 9 н трубы 27 значительно ниже 4, 2 К температуры кипения жидкого гелия при нормальном атмосферном давлении. С помощью маностатв, дифференциального мано метра и системы вакуумных вентилей ус 24 внутренней поверхности оболочки 10,расположенная в месте отверстия 22. Осмтальная часть оболочки, защищенная отдоступа к ее поверхности холодного испаряющегося газообразного гелия и жидкогогелия термоиэолирующая рубашками 12 и13 охлаждается значительно медленнее и, в основном, только эа счет передачи холода от открытой области 24 внутренней поверхности оболочки 10 по дну и стенкам упомянутой оболочки. Для устранения доступа холодного газообразного гелия к поверхности оболочки 10 термоизолируюшие рубашки 12 и 13 выполнены по форме аналогичными соответствующим. поверхностям оболочки 10 и плотно прилегают к этим поверхностям, при этом длина руба шек 12 и 13 превышает длину оболочки 10, Таким образом, после начала охлаждения на оболочке 10 возникает температурное поле, которое имеет равномерный градиент температуры вдоль оболочки, наиболее низкой температурой обладает область 24 внутренней поверхности оболочки 10, а наиболее высокой температурой обладает открытый конец оболочки 10.Вследствие этого, первоначально в сверх проводящее состояние переходит область 24, температура которой достигла значения критической температуры Тс сверхпроводникового материала иэ которого изготовлена оболочка 10. Так только ниж няя часть дна оболочки 10 становится сверхпроводяшей, силовые линии магнитного поля В в силу эффекта Мейсснера обтекают эту часть оболочки. По мере . продвижения границы сверхпроводяуей фа- ЗО зы к открытому концу оболочки 10 все большая часть материала оболочки и ее внутренняя полость оказываются в ослабленном магнитном полее. В ослабленном полеоказываются оболочка 11 (кото 35 рая благодаря наличию термоизолирующих рубашек 14 и 15 находится в нормальном состоянии), полость 20, трехкомпонентная система катушек 1, труба 27, источники магнитной индукции 28 и 29, перфвичные преобразователи 40 и 41 и поворотный механизм 45, После перехода в сверхпроводяшее состояние всей оболочки 10 подается жидкий гелий в трубку гелиевого сифона 18 и охлаждается оболочка45 11. Благодаря наличию на оболочке 11 термоизолируюших рубашек 14 и 15, изготовленных иэ пенопласта, и отверстия 23 во внутренней термоиэолируюшей рубашке 15 быстро охлаждается только область50 25 внутренней поверхности оболочки 11, расположенная в месте отверстия 23.Остальная часть оболочки 11, защищенная от доступа к ее поверхности холодного испаряющегося газообразного гелия и жидкого гелия термоизолирующими рубашками 14 и 15 охлаждается значительно медленнее и, в основном, только за счет передачи холода от открытой области 25 2 8внутренней поверхности оболочки 11 по дну и стенкам упомянутой оболочки. Для устранения доступа холодного газообразного гелия к поверхностям оболочки Т 1 термоизолируюшие рубашки 14 и 15 выполнены по форме аналогично форме соответствующих поверхностей оболочки 10 и плотно прилегают к этим поверхностям, при этом длина рубашек 14 и 15 превы-, шает длину оболочки 11, Таким образом, после начала охлаждения на оболочке 11 возникает температурное поде, которое имеет равномерный градиент температуры вдоль оболочки, при этом наиболее низкой температурой обладает область 25внутренней поверхности оболочки 1 1, а наиболее высокой температурой обладает открытый конец оболочки 11. Вследствие этого, первоначально в сверхпроводяшее состояние переходит область 25, температура 1 которой достигла значения критической температуры Т сверхпроводникового материала, из которого иэготовлена оболочка 1 1. Так только нижняя часть дна оболочки 1 1 становится сверхпроводяшей, силовые линии магнитного поля Ьц в силу эффекта Мейсснера обтекают эту часть оболочки. По мере продвижения границы сверхлроводяшей фазы к открытомуконцу оболочки 11 все большая часть материала оболочки и ее внутренняя полость 20 оказываются в ослабленном магнитном поле Ь . В ослабленном поле Ь оказываются трехкомпонентная система катушек1, труба 27, соленоиды 28 и 29, первичные преобразователи 40 и 41 и поворотный механизм 45. Сверхпроводяшая труба 27 находится при этом в нормальном состоянии, поскольку критическая температура Тс материала, иэ которого изготовлена труба 27 ниже температуры 4,2 Ткипения жидкого гелия при нормальном атмосферном давлении. Дая дальнейшего ослабления магнитного поля может испольэоваться третья, четвертая и т.д, сверх- проводящие оболочки с термоиэолируюшими рубашками аналогичной конструкции. Количество сверхпроводящих оболочек в сверхпроводящем экране устанавливается исходя из необходимого значения остаточного магнитного поля 9 ,равного 10 "4 Тл.Эффективное экранирование постоянной части магнитного поля Земли, вариаций магнитного поля Земли и промышленных магнитных помех, проникающих в полость 20 оболочки 11 через ее открытый конец и экспонеициально затухающих вглубь поло ти обеспечивается выбором размеров ободочки 11 - отношения длины оболочки ,32 силы тока. Путем откачки паров газообразного гелия из гедиевой ванны гелиевого криостата 21 по герметичному трубопроводу 37 блоком 38, температура трубы 27 понижается ниже Тс, т.е, труба 27 переводится в сверхпроводяшее состояние. Затем температура сверхпроводяшей трубы 27 понижается до значения равного или меньшего 0,8 Тс и на этом 1 О уровне поддерживается неизменной с точностью равной или больше 0,001 К. Вышеизложенное требооание вызвано тем, что при Т близкой к Т изменение глубины проникновения магнитного поля в стенки 15 трубы 27 от изменения ее температурыона несколько порядков больше, чем при температуре трубы 27 меньшей иди равной 0,8 Тс,а следовательно, стабильность замороженного поля сверхпроводящей трубы 27 приТ 4 0,8 Тс, на несколько порядков выше. Требования к стабильности температуры трубы определяется также требованиями к температурной стабильности площади поперечного сечения трубы 27, кор 5 ф торая также влияет на стабильность замо.роженного поляБлагодаря явлению захвата магнитногопотока трубой 27 при ее переходе в сверх- проводящее состояние, приложенное эталонное полезамораживается в ней.По сигналу с первичного преобразования 40 образцового квантового магнитометра 42, поступающему на измеритель 44 частоты прецессии определяется значение замороженного эталонного поля 8,Затем первичный преобразователь 40 образцового квантового магнитометра 42. удаляется с центра сверхпроводяшей трубы 27 и на его место устанавливается первичный преобразователь 41 поверяемого магнитометра 43. Затем производится отсчет его выходного сигнала, т.е. осуществляется его поверка. Вследствие того, что токи, поддерживающие замороженное магнитное 45поле в полости сверхпроводящей трубы 27 являются незатухаюшими (сверхлроводник ,обдадает идеальной проводимостью), то замороженное поде обладает чрезвычайно высокой стабильностью. Теоретически рассчитано и экспериментально подтверждено, что относительная стабильность замороженного магнитного поля сверхпроводяшей трубы, стабильность температуры которой порядка 0,001 К, не хуже чем 10 , т.е.стабильность индукции поля 10 Тл, не хуже чем + 10 Тл. При этом промышленные магнитные помехи и вариации магнитного поля Земля экранируются ферромагнитным экраном 35, сверхпроводящим маг 9 М 6512 10к ее диаметру В, Чем больше отношение./3, тем выше коэффициент экранирования в нижней части полости 20 оболочки11, т.е, в экранированном объеме 26.По сигналу с первичного преобразователя 40 образцового квантового магнитометра 42, поступающему на измеритель44 частоты прецесс. и с высокой гочностью определяется значение остаточногомагнитного поля 9, Затем первичный преобразователь 40 удаляется с центра экранирования объема 26 и на его место устанавливается первичный преобразователь41 поверяемого магнитометра 43. Затемпроизводится отсчет его выходного сигнала, т.е. осуществляется его поверка,Задаваемое значение вертикальной составляющей эталонного магнитного поляо 9А 0создается путем подачи электрическоготока от источника 6 питания через переключатедь 5 в катушки 2, постоянные которых определяются расчетным или экспериментальным путем. Необходимые значения тока в катушках 2 устанавливаютсярегулятором 8 и измеряются измерителем7 силы тока. Задаваемые значения горизонтальных составляющих эталонного .магнитного поля,Ц)Всоздаются поочереднопутем подачи электрического тока от источника 6 питания через переключатель5 соответственно в катушки 3 и 4, С помощью поворотного механизма.45 производится вращение первичных преобразователей 40 и 41 для совмещения их магнитных осей чувствительности с соответствующими магнитными осями катушек 2, 3и 4, Учитывая, что магнитные катушки 2,3 и 4 размещены в гелиевой ванне гелиевого криостата 21 и находятся притемпературе 4,2 К жидкого гелия, ихмагнитные постоянные обладают высокойстабильностью, вследствие высокой стабильности температуры жидкого гелия, порядка 0,01-0,0001 К, и низких значенийкоэффициентов температурного расширенияматериалов, используемых ддя изготовления катушек 2, 3 и 4, С помощью катушек 2 3 и 4 создаются эталонные поля,.например, в диапазоне от 10 фдо 10 Тл.Для создания заданного значения эталонного поля в диапазоне, например, от 10до 10Тл подается электрический токот источника 3 1 питания через переключатель 30 в источник магнитной индукции,например соленоид 28, постоянная которого определяется расчетным иди экспериментальным путем. Необходимые значения тока в соленоиде 28 устанавливаются регулятором 33 и измеряются измерителемнитным экраном 9 и сверхпроводяшей трубой 27. Сверхпроводяшая труба 27 выполняется цилиндрической исходя из высокихтребований к однородности замороженногомагнитного поля, После проведения поверки магнитометра 43 в замороженном поле бс помощью блока 38 температуратрубы 27 повышается до значения вышекритической температуры т и труба 27переводится в нормальное состояние, а замороженное поле В 1 "сбрасывается". Соленоидом 28 создается второе заданноезначение эталОнного магнитного поля В ,температура трубы 27 вновь понижаетсядо значения 0,81 с и нв этом уровне стабилизируется, Труба 27 при переходе всверхпроводяшее состояние замораживаетполе Взначение которого определяетсяя 3образцовым квантовым мвгнитометром 42,а затем в этом поде поверяется поверяемый магнитометр 43, При дальнейшем замораживании в сверхпроводяшей трубе 27ряда заданных значений эталонного магнитного поля В, 6+4, В-,процедуранагрева трубы7 выше Т и охлажденияниже Тс повторяются вьппеописанным способом. Для создания заданного значенияиндукции калибровочного поля подаетсяэлектрический ток от источника 3 1 пита ния через переключатель 30 и источник. 30индукции, например соленоид 29. Необходимые значения тока в соленоиде 29 устанавливаются регулятором 33 и измеряются измерителем 32 силы тока,1Таким образом, учитывая высокую вре 35менную стабильность замороженного магнитного поля порядка 10 в диапазонеполей 10 -10 Тл, а также высокую-14 - Ъсуммарную эффективность экранироввнияферромагнитного экрана, сверхпроводящего магнитного экрана и сверхпроводяшейтрубы, позволяющих уменьшить внешниемагнитные помехи до значения порядка+10 Тл, можно сделать вывод о том,что погрешность поверки с помошью пред 45лагаемого устройства в пиапаэоне полей110 "4 10 7 Тл будет составлять 110%, в в диапазоне полей 10 -10 Тл 10 4 - 10 7%. Б то время как для известного устройства погрешность поверки50только в диапазоне полей 10 - 10 Тлбудет составлять 0,1-10 %, что на трипорядка хуже, Приведенные выше данныетакже показывают, что предлагаемое устройство, .в отличие от известного, позво 55ляет производить поверку магнитометровс низким порогом чувствительности и высоким классом точности в диапазоне полей 10 4-20Тл, т.е. позволяет рвс 8 М 812 12ширить рабочий диапазон примерно нв четыре порядка.Формула изобретенийУстройство ддя поверки средств измерения магнитной индукции, содержащеетрехкомпонентную систему взаимно перпендикулярных. катушек магнитной индукциис образцовыми обмотками, источники питания, измерители и регуляторы электрического тока, включенные в цепи образцовыхобмоток, образцовый квантовый магнитометр с измерителем частоты прецессии, поворотный механизм, сверхпроводяшую цилиндрическую трубу, гедиевый криостат ибдок ддя измерения, регулирования и поддержания на заданном уровне температурысверхпроводяшей трубы с кабелем и герметичным трубопроводом для их соединения,о т л и ч а ю ш е е с я тем, что, с цедьюповышения точности и расширения диапазонаизмерений, оно снабжено ферромагнитнымэкраном, в экранированном объеме которого размещен гедиевый криоствт со сверхпроводяшим магнитным экраном, состояшим из одной или нескодьких коаксиальнорасподоженных сверхпроводящих цилиндрических оболочек с дном, с толщиной стенки на два порядка меньше их диаметра,каждая из которых снабжена выводнойтрубкой гелиевого сифона и двумя коаксивльно расположенными термоизолируюшими рубашками, одна из которых размещенана наружной, в другая - на внутренней поверхности сверхпроводяшей оболочки, соленоидами, размешеннымн коаксиадьнооверхпроводяшей цилиндрической трубе снаружи и внутри ее полости, при этомупомянутая труба размещена в сверхпроводящем магнитном экране, ковксиальноему, на термоизолирующей рубашке, расположенной нв внутренней поверхности сверхпроводящей оболочки, выполнено осевоеотверстие, трехкомпонентная система взаоимно перпендикулярных катушек магнитной индукции размещена в экранированномобъеме внутренней сверхпроводящей оболочки, центр системы катушек совмещен.с центром экранированного объема, осьодной из катушек совмещена с продольнойосью внутренней сверхпроводящей оболочки, а первичный преобразователь образцового квантового магнитометра рвзмешенв центре экранированного объема сверхпроводящего магнитного экрана и соединен с немагнитным поворотным механизмом,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССР позаявке2685134/18-21,кд. Я 01 Р 33/02, 1978,