Способ зондового контроля интегральных микросхем на пластине

(51)Н 05 К 1/1 КОМИТЕТ СССРНИЙ И ОТНРЬЮИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ П:ЛЬСТ П. К.За липнов о.Яр и А Ступен8 8) В 3941350,3599093, кл.3 ДОВОГО КОНТРОЛЯ ХЕИ НА ПЛАСТИНЕ, ательиое переме(21) 2916027/18-21(54)(57) СПОСОБ ЗОИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОвключающий последо щение пластины в положение контроля,подключение зондов, контроль электрических параметров каждой микросхемы,перемещение пластины в исходноеположение и на шаг, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью. повышения точности измерения и износостойкости зондов, для каждой микросхемыопределяют расстояние между контактными площадками и зондами, перемещают пластину на это расстояние и останавливают, затем перемещают ее вположение контроля,94448 Ь 1 О 15 20 ЗО 35 40 зондов,Изобретение относится к областимикроэлектроники, в частности кпроизводству интегральных микросхем,и предназначено для использованияпри зондовом контроле их электрических параметров. Известен способ зоцдового контроля интегральных микросхем на пластине, включающий последовательное перемещение зондов(опускание)на контактные площадки микросхем 1).Этот способ контроля не обеспечивает достаточной точности измерения из-за различного расстояния между зондом и контактной площадкой и каждой микросхемы на пластине, что приводит к различному контактному давлению, а также малому сроку службы зонда из-за удара его при соприкосновении с контактной площадкой.Ближайшим по своей технической сущности является способ зондового контроля, заключающийся в поочередно повторяющихся для каждой микросхемы операциях подъема пластин в положение контроля, подключения зондов, контроля электрических параметров микросхем, опускания пластины в исходное положение и перемещения ца шаг 2 ).Недостатками этого способа контроля являются низкий процент выхода годных изделий и малый срок службы зондов, обусловленные нестабильностью контактного давления при контроле разных микросхем на пластине из-за ее разнотолщинности и прогиба, а также явлением удара, сопровождающим соприкосновение контактных площадок и зондов,Цель изобретения - повышение точности измерения и износостойкости 2На фиг. 1-Ь показана последовательность технологических операцийпри зондовом контроле,Суть способа заключается в следующем. Перед зондовым контролем пластина, включающая интегральные микросхемы 1 - 3(фиг. 1),.поступающаяна контроль и обладающая прогибоми разнотолщицностью, регламентируемыми соответствующим ГОСТом, находится в исходном положении под зондами 4, выставленными по топологииконтролируемых микросхем. Исходноеположение выбрано таким образом,чтобы наименьшее расстояние междупластиной и зондами было не менеевеличины 2 , Она постоянна для конокретного типа оборудования и зависитот неплоскостности выставления зондов и высоты маркировочных капель.Оператором задается величина технологического натяга г , которая зависит от конкретного типа оборудования и типоразмера контролируемых микросхем. При неизменных изделиях и оборудовании эта величина постоянна,Затем для микросхемы 1, контроль которой будет осуществляться первым. с помощью датчика положения 5 определяется величина разновысотцости по отношению к наиболее высокой точке пластины д 2,.После этого пластина поднимается до соприкосновения зондов с контактными площадками микросхемы 1 ца величину Е -г +в, ц останавливается (фиг. 2).Дальнейший подъем пластин производится на величину технологического натяга Е,пластина вновь останавли - вается(фиг, 3), Затем осуществляют подключение зондои контроль электрических параметров. После контроля50 Цель достигается тем, что в способе зондового контроля интегральных микросхем на пластине, включающем последовательное перемещение пластины в положение контроля, подключение зондов, контроль электрических параметров каждой микросхемы, перемещение пластины в исходное положение и на шаг, для каждой микросхемы определяют расстояние между контактными площадками и зонда ми, перемещают пластину на это расстояние и останавливают, затем пере мещают ее в положение контроля.1 электрических параметров микросхемы 1 пластина опускается в исходное положение на величину г : Ее =Л +д 2 + 21 1 Н1 0 й (фиг, 1) и перемещается на один шаг (фиг. 4).В это время для микросхемы 2, контроль которой будет осуществлять" ся второй, с помощью датчика 5 положения определяется величина разновысотности по отношецию к микросхеме 1 аХ . После этого пластина поднимается до соприкосновения зондов с контактными площадками микросхемы 2 на Величину 2 -дя =1,Фд" 17 ц остаС навливает св (фи. 5 1.20 3 94448Дальнейший подъем пластины производится на величину технологического натяга г и она вновь останавливается Фиг, 6).После контроля электрических пара 5 метров микросхемы 2 пластина опускается в исходное положение на величинугг=2+2=г+аг +2 =г +дг -Юг +г (Фиг.412 2 л 1 2-1 н о 1-о 2-1 Н и перемещается еще на один шаг.В это .время для микросхемы 3, контроль которой будет осуществляться третьей, с помощью датчика 5 положения определяется величина разновысотности по отношению к микросхеме 2 дг (Фиг, 4). После этого пластина йоднимается до соприкосновения зондов с контактными площадками микросхемы 3 на величину г гг+ г = гЫ + Ь г + Л г и остайавливается.Далее описанный цикл повторяется для каждой микросхемы.Пример выполнения способа.Для осуществления изложеннего способа зондового контроля электрических параметров микросхем на полупроводниковой пластине ф 76 мм с пригн- бом и раэнотолщинностью, которые характеризуют в конечном итоге разно- высотность соседних микросхем Лг 1,в разных точках поверхности пластины эта величина разная ), в качестве технологического оборудования применяют серийно выпускаемые измеритель Элекон С-Ф" и зондовая установка ЭМ. 35Перед зондированием пластина устанавливается в исходное положение таким образом, чтобы наименьшее расстояние между пластинами и зондами. было не менее величины г =0,20 мм. 40 Оператором задается величина технологического натяга г 11=0,07 мм. Численные значения этих величин постоянны для укаэанного оборудования и контролируемых микросхем. Затем 45 для микросхемы, контроль которой осуществляется первым с помощью датчика положения, определяется величина разновысотности по отношениюк наиболее высокой точке пластины 50 О =О, После этого пластина поднимается цо соприкосновения зондов с контактными площадками первой микросхемы на величину г-г +Лг=0,2 мм и останавливается. 6 4Дальнейший подъем пластины производят га величину технологического натяга г =0,07 мм и она вновь останавливается.После контроля электрических паря. метров первой микросхемы пластина опускается в исходное положение на величину г-г,г-г +г, - г =0,2+0,07= =0,27 мм и перемещается на один шаг.В это время для микросхемы 2, контроль которой осуществляется вторым, с помощью датчика положения определяется величина разновысотности по отношению к предыдущей микросхеме 1 йгг,=0,015 мм. После этого пластина поднимается до соприкосновения зондов с контактными площадками микросхемы 2 на величину г = 2 +л +дг =0,2+0,015=0,215 мм и останавливаетсяДальнейший подъем пластины производится на величину технологического натяга 2 =0,07 мм и она вновь останавливается. После контроля электрических параметров микросхемы 2 пластина опять опускается в исходное положение на величину 2 = =г Мгчг +аг=0,2+0,015+0,07=0,285 мм и перемещ;.ется еще на один шаг,В это время для микросхемы 3,контроль которой осуществляетсятретьей, с помощью датчика положения определяется величина разновысотности по отношению к предыдущей микросхеме 2 йг 1=0,02 мм.Послеэтого пластина поднимается до соприкосновения зондов с контактными площадкам, микросхемы 3 на величину2,-2,+дг,ьг, =0,2+0,015+0,02:=0,235 мм и останавливается.Далее описанный цикл повторяетсядля каждой микросхемы,Таким образом, остановка пластины в момент соприкосновения зондов и контактных площадок исключает явление удара при данном способе контроля, а движение зондов на контактные площадки в положении контроля электрических параметров постоянно для любой микросхемы, так как разновысотность компенсируется добавочной величиной подъема пластины, определяемой для каждой конкрет ной микросхемы.944486 хред М.Над орр Заказ 276 1/1 Тираж 7 ВНИИПИ Государстве по делам изобрет 113035, Москва, Ж 94нного комитета Сений и открытий35, Раушская иаб ПодписноеССР Патент илиа едактор Л.Письма Ужгород, ул. Проектная