Состав для обезжиривания

Союз СоветскмнСоцмалмстмчесимкРеспублик ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯк ытоескомю свидетельству 1 и 899620(51)М. Кл. С 09 К 3/32 Говударвтвснный квмнтвт СССР ав двлви изобретений и открытий" ,лф,Институт электроники АН Белорусской СС,(71) Заявитель(54) СОСТАВ ДЛЯ ОБЕЗЖИРИВАНИЛ Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для очистки, например,полупроводниковых пластин при изготовлении интегральных схем,Известны органические растворители, применяемые для обезжириванияв полупроводниковой технологии, вчастности для удаления с поверхностиполупроводниковых пластин остатковгрубых органических загрязнений,применяемых для наклеивания пластинна полировальные диски, широко используется трихлорэтилен Г 13,Однако трихлорэтилен плохо растворяет пицеин и пихтовый бальзам.4 з-за подверженности растворителягидролизу, снижающему растворяющуюспособность трихлорэтилена, нельзядопускать попадания в него воды.При гидролизе растворителя на очищаемой поверхности остается большоеколичество трудноудалимых ионов хло"ра, поэтому перед работой необходима 2его стабилизация. Кроме того, дляповышения эффективности обезжиривания необходимо нагревание растворителя. Трихлорэтилен при соприкосновении с пламенем, нагретыми предметами,ф а также при длительном действии света разлагается с образованием паровхлористого водорода и фосгена, в связи с чем не допускается его кипячение электрическими нагревательными16элементами, процесс требует сложногоаппаратурного оформления,Наиболее близким к предлагаемомупо технической сущности и достигаемому результату является состав для15обезжиривания, состоящий из перекисиводорода, аммиака водного и воды всоотношениях 1:1:4; 1:1:5; 1;1:6;2:1:7. При температуре 75-80 С сос 20тав обезжиривает поверхность полупроводниковых материалов, растворяявоск, пицеин, пихтовый бальзам, глифталевую и другие смолы и компаунды,минеральные масла и жиры и, связываяДиаминПерекись водорода 20"50 50-80 П р и м е р 1 . Для приготовления состава для обезжиривания используют 1,2-диаминоэтан марки "хц" и перекись водорода марки "осч". Компо- ф 5 в комплексы ряд металлов 1 и 11групп (Ац, М 1, Си, Сд, Со и др,1, пе.реводит примеси тяжелых металлов врастворимое состояние 21.Недостатком указанного состава Бявляется длительность и трудоемкостьпроцесса очистки.Для обезжиривания полупроводниковых материалов необходимо приготовить тройную смесь, состоящую из фперекиси водорода, аммиака водногои воды, и обеспечить ее достаточноеколичество для полного погруженияв нее очищаемого материала,Для эффективности процесса обезжи" 1 Вривания необходимо обеспечить нагревание смеси до 75"80 С, далее вгорячий раствор погрузить полупровод"никовые пластины и выдержать их всмеси в течение 10 - 12 мин. Общее 20время, необходимое на очистку в перекисно-аммиачном растворе, составляет25 - 20 мин.Кроме того, необходимость создания условий для нагревания и контроля температуры раствора в промыш"ленных масштабах требуетесложногоаппаратурного оФормления и энергетических затрат,Целью изобретения является сокращение времени обезжиривания и упрощение процесса очистки.Эта цель достигается тем, что состав для обезжиривания, включающийперекись водорода и азотсодержащийкомпонент, в качестве азотсодержащего компонента содержит диамин приследующем соотношении компонентов, об.В:ненты состава берут в следующем соотношении, об,: Перекись водородаДи амин 50 50 По истечении активной цепной реакции процесс обезжиривания завершается, пластины промывают в потоке деионизированной воды и высушивают центрифугированием при 2500 об/мин.П р и м е р 2 . Для обезжиривания полупроводниковых пластин готовят состав, содержащий, об.9; Перекись водорода 75 Диамин 25 В приготовленный раствор комнатной температуры погружают кремниевыепластины и выдерЮивают в течение времени протекания активной цепной реакции,Инкубационный период, предшествующий реакции, составляет 20 - 20 сюактивная реакция, а следовательно,очист ка продолжается в те чение1 5 - 2 мин.П р и м е р 3 , Перекись водородаи диамин смешивают в кварцевом стакане в соотношении 80 : 204 В полученный раствор помещают кремниевыепластины, время их обезвоживания со;ставляет 1,5 - 2 мин.Результаты определения качестваочистки пластин предлагаемым и известным составами приведены в таб"лице. Для эфФективной очистки смешивают два реактива при комнатной температуре. Активная цепная реакция начи" нается через 5-6 мин после смешения и продолжается в течение 1 мин. При этом происходит активное пенообразование, поверхность пластин очищается. Температура раствора достигает 117 С.899620 20-50 Диамин формула изобретения Составитель В. СальниковРедактор И. Николайчук ТехредМ.Надь Корректор А. Дзятко Заказ 12057/33 Тираж 657 Подписное ВПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, М, Раушская наб д, 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Из таблицы видно, что срок обеэжиривания уменьшается в 4 - 1 О раз, при этом увеличивается пенообраэование и число светящихся точек в поле зрения микроскопа и контроле вольт Фарадных характеристик, свидетельствующих об эффективности очистки.Таким образом, предлагаемый состав позволяет улучшить качество полупроводниковых пластин при изготовлении в интегральных схем. Состав для обезжиривания, включа ющий перекись водорода и азотсодержащий компонент, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью сокращения армени обезжиривания и упрощенияпроцесса очистки в качестве аэотсодержащего компонента он содержитдиамин при следующем соотношениикомпонентов, об.3: Перекись водорода 50-80 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Федоров Л. П. и др. Производство полупроводниковых приборов, М., "Энергия", 1979 с. 176. 2. Поляжек К. П, и др, Очистка поверхности кремниевых пластин растворами на основе Н О. Труды МИЭМ, 1974, вып. 40 (прототип).