Стекло

Соеа Соеетскик Соцнаинствцежнх Ресиубинк(Я) М. Кл, С 03 С 3/10 Гаауйарствееей юарт ссср ю дулам м 36 мязпФ в аырнтв(54) СТЕКЛО Изобретение относитса к составам ств кол и предназначено дли использовании и элементах схем, выполненных на стеклин ных подложках методом толстоппеночной технологии.Известно стекло, содержащее 1 вес,Ъ:РЬО 65-72510 14 15Вяоэ5 6СоО 1-13Т 1 О до 0,510АС О до 03Епо 1 аСдО 4Мп 0 1 5 1,Такое стекло имеет температуру оплаве 5 ленин 510-520 С (температура раэмиг ченим 360 оС и коэффициент термическо го расширении 74 101/град.Это стекло было предназначено длн по 26 лучениа пленок толщиной до 3 мкм.Наиболее близким по составу к предлагаемому ивпнетсн стекло, включающее, вес,Ъ: РцО 65 75 ЬО 8 12 В 20 з 7 8 2 пО 5-15 СцО 0,5-3 СдО О) 5-1,5 А,Оз до 0,5 (2.Ко иднент термического расширении 85 10 1/град.Такие стекла не беспечивают получе нин элементов схем методом толстоппе ночной технологии иэ даст. Мель изобретении - снижение кристал лиэапионной способности стекла, дригодного к использованию в составах паст длн получении элементов схем с примене нием толстопленочной технологии ва стеклянных подложках, коэффидиент термического расширения которых составляет 80-90; 10 1/град.Это достигаетсн тем, что стекло подол" нительно содержит Ст 0 и СоО при следующем соотношении компонентов, вес Ж68 806 154-122 151- 8 51- 51 51- 5приведены свойства состаФО РОО 810 В 0 СцО 7.00 СЙО С О СоО В таблице вов стекола Полученнаи плата, подвергалась десятв 40 кратному термоииклированию 20-500- 20 С, Результаты термоциклироваииа показали, что покрытие сохраняетси целостньм без трещин, раковин, пэсечек. 45Соиротивпение пленки изменяется впределах не более 10%.Второй вариант касты, Диэлектрическаи паста содержит, вес,%:Предлагае мое стеклосостава 3 80,0 Полученное стекло было использовано дщ приготовления двух вариантов паст: проводниковой и диэлектрической.Первый вариант пасты. Проводникован паста содержит, вес.%;Серебро 78,0Предлагаемое стеклосостава 1 9,0Поли винил-бутиловыйэфир с молекулярнымвесом ЗООО 10,0Винилбутиловый эфир З,ОПасту использовалн для получении токоведущих дорожек методом толстопленоч-ной технологии на подложках из натрий- известкового стекла. Толщина полученной пленки составлила 1 О 12 мкм. Вжнгание пасты производили при 540 С в течение 15 мнн, 30В процессе термообработки стекло рае плавлилось, смачивало подложку и металлические частицы пасты, растекалось по поверхности подложки и обеспечивало спекание покрытии при 540 С.3Покрытие получалось сплошное, без трещину пузырей и раковин. Поливинилбутиловыйэфир с молекуларнымвесом ЗООО 15,0Винилбутиловый эфир 5,0Пасту использовали дли получении ди электрического слои методом толстопле ночной технологии на подложку с проводниковой разводкой. Полученный слой тол шиной 40 мкм после термообработки прио510 С в течение 1 Ь мин приобретал вид ровного плотного стеклинного,покрытияэ имеющего четкий контур.После проведения испытаний на термо циклирование в режиме 20-500-20 Со 10 циклов) покрытие оставалось без видимых трещин, сколов, посечек, т.е. узлы обладали высокой термомеханической проЧ- постыл. Удельное обемное сопротивление пленки составлило (1-7)10 ом.см.11Таким образом, в рассмотренных примерах полученные элементь 1 (проводниковаа разводка и диэлектрический слой) обладают высокими термомеханическими свойствами и стабильными электрическими характеристиками,Одновременное введение окиси хрома и закиси кобальта, а также выбор основного минералогического состава позволили получить стекло с требуемым комплексом физико=химических свойств, пригодного дпя использования в толстоппеночной технологии. Предлагаемый состав стекла обеспечивает получение толстых слоев при достаточно низких температурах термообработки (540 ОС), что особенно важно при изготовлении изделий микроэлектроники не допускающих высокотемпературной об работки, как с точки зрении деформации подложки, так и с точки зрения возмож ного ухода параметров элементов микросхемы.Использование предлагаемого стекла в составах паст наносимых методом тол стопленочной технологии, позволяет удов летворить род сложных требований; хорошее растекание по подложке и обеспечение четкого контура пленки, коэффициент термического расширении, равный80-90 10 1/град, и температуруооплавления 540 С.643447 Составитель Лв БерсеневРедактор А. Морозова Тех 1 Н Н. Бабурка , Корректор В. Кривошапко Заказ 7930/21 Тираж 555 Подписное ОНИИ 1 И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий Хв 3033 р Мдсквв, Ж 33, Рдушсквв квбд 4/БФилиал ПП 1 Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Формула изобретении Стекло, включающее РЬ 0,510,В О СОО,ХйО, С 60, о т л и ч а ю щ ее с н тем, что, с целью снижении крис- фс.таллизаанонной способности, оно дополни тельно содержит С О, СоО при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ:РЬО 68-80510 6-15 16В,О 4-12 СоО 2 151 нО 1- 5СВО 1- 5СгО 1- 5СОО 1- 5Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе,1, Авторское свидетел ство СССРВ 258544, кл. С 03 С 310, 1966,2. Авторское свидетельство СССРМ 349652, кл, С 03 С 3/10,1971,