Способ исследования радиационных нарушений от осколков деления в твердых телах

, Кл,01 М 23/00 присоединением заявкиГооудаоотоеииый коцит Совета Мииистрао ССС ио деиаек изооретеиий и открытий(4 о) Дата опубликования описания 27.05.78 53) УЙК 539.1(088. 8) 2) Автор изобретения В. К. Горшков 71) Заявитель 4) СПОСОБ ИССЛЕООВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ НАРУШЕНИ ОТ ОСКОЛКОВ ДЕЛЕНИЯ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ уше- мате позволяют осуионных нарушеьных осколков Изобретение относится к области физики твердого тела, в частности к способам исследования радиационных нарушений от осколков, деления тяжелых ядер вдоль их пробега в тех материалах, на поверхности которых от осколков деления образуются следы углубления в результате химического протравпивания образцов после их облучения осколками деления.Известны методы исследования радиационных нарушений, основанные на эффекте Холла, на сравнении кривых распределения потенциала, измеренных до и после облучения .образца, на иэьерении удельного сопротивления образцов (11.Однако все эти методы нешествить исследование радианний вдоль пробега индивидуалИзвестен способ исследования воздействия индивидуальных осколков деления на тонкие (толшиной в жскопько сотен ангстрем) материалы по следам от осколков деления в том случае, когда осколки проходят вдоль поверхности образца 21, С помощью электронного микроскопа на поверхности образцов наблюдают следы в виде треков, и по ихвиду судят о характере и величине нарний, которые соэдщот осколки в данномриале Вдсоть, своего пробега,Однако скорее всего, видимые треки представляют собой открытые каналы, которые образуются в результате раэрьща тонкого слояпутем испарения материала вокруг траектории ,пролетающих осколков. Поэтому по такимследам суждения о радиационных наруяоэнияхкоторые создают осколки вдоль своей траектории внутри твердого тела, могут оказаться ошибочными.Прототипом изобретения является методисследования радиационных нарушений от осколков деления, заключающийся в химическом прстравливании облученных материалои определении относительной величины плот й ности радиационных нарушений, созданных осколками деления или сохранившихся к момэоету травления образца, по относительному раз.меру следов, которые образовались от оскаотков 3, Этим способом, наприьер, сравнимют ппогности радиационжах нарушений отп(аученных данных:указывает на их досто-"верность. Об Относительном распределевщплотности нарушений от осколка деления вдольпробега его в стекле судилось по Относительному изменению Мф и 1 (Мр) е Гфи этомбыли установлены неизвестные ранее физические и радивпионные свойства поверхностных слоев твердых сред, существование которых поаке было подтверждено принципиально другим способом в эксжриментах сметаллическими образцами,Формула изобре те ни я151, Способ исследования радиационных нарушений от осколков деления в твердых телах, заключающийся в химическом протрав ливании облученных материалов и- определении относительной величины плотности ради ационных нарушений, созданных осколками деления или сохранившихся к моменту травления образца, по относительному размеру следов, которые образовались от осколков, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа, набор идентично облученных образцов иэ исследуемого материала подвергают предварительному химическому протравливвнию нв различную глубину Ьф пр в йределах длины пробе а осколков, причем каждый последующий образец на большую глубину, чем предыдущий, после чего образцы отжигвют при температуре О,7, 0,8 от темжрвтуры вавления материала, .звтем химичес- З 5 кое травление проводят. многократно (например,4 6 раз на общую глубину,4-5 ф,в промежуткак межщ вправлениями измеряютнаибольший размер 3 поверхностного контура следов, образовавшихся от осколков депения, для каждого образца устанавливаотизменение 3 1(Ь), по которому оцределяют глубину следов 1 и величину скоростиМ вправления материала вдоль траекторииосколков на расстоянии ЯрЬр . Фр от исходной поверхности образца и по Ч г(Я)судят об относижльном распределении плотности радиационных нарушений вдоль пробега осколков деления,2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что ая каждого образца величины 6, и Ч определяются по форМуламо,28 АЗ(22,Ф 4 Ю (АЬ)М Ч )С 02 агс 1 д 025 ЙР (ьИ) Рщ в2 Р,+ ЬРф ,где Зп - наибольший линейный размер поверхностного контура следов, после которогозависимость 3 ф х Ь) начинает подчинятьсяновоЯ закономерности;АД - прирост того же размера в результате последующего стравливания слоя образца толщиной АЙЧ- скорость химического травлещГянеоблуче нного материал а.Источники информации принятые во внимание при эксгертизе:1, Вавилов В. С.,Оействие излучений наполупроводнике, 196 3, с. 206-210.2. Прввцюк Н. ф Голянов В, М."ВЕгдвйуСОЬф, 1961, Ио 34, р, 160.3. Горшков Б К. Предприятие п/яВ, 1976, И 21,Составитель В. Кириллов Редактор П, Горькоаа Техред Н, Андрейчук Корректор А. Гриценко Заказ 3315/5 Тираж 1112 Подписное ЦНИИ ПИ Государстаениого комитета Совета Министров СССР по дел Оы изобретении и открытии 113035, Мвжаа, Ж, Рауиская наб.д,. 4/5