Способ регистрации осколков деления ядер элементов

Белью изобретения является устранениеисследованных кристаллах, а такж. к нек; фона следов атомных ядер с С= 24-36 при торому сокрашению цлинь слецов ионоводновременном выявлении следов осколков 136Хе, которые использовалнсь для имиделения,Согласно изобретению, поставленная цель б тации треков осколков спонтанного делениядостигается за счет того, что в качестве ядер с ЕЭ 100 (не более, чем на 2 С)чувствительного элемента вьбирают кристал". Для минералов сливина, диопсида, фторфлоголическое вещество, пороговая чувствитель-тида температура, при которой происходитность котоРого лежит в области атомньх избирательное устранение сл;".св,уекоренньхномеров 7 от 14 15 и выше, причем это ве-О ионов вплоть до криптона со,:гавляет 90-;95%щество, после облучения его тяжелыми иощь от температуры отжига следов осколков деми и осколками, сажигают при температуре ленин (а также следов ионов ксенонасоставляюцей 90-95% от температуры, не- , 136, ), Время отжига при этих условиобходимой для отжига следов осколков делеФния в вешестве, выбранном в качестве чувст ях составляет 4-48 час.в ительного элемеита детектора.4Способ реализуется следуюшим образом. Р " м Р На Фна 1"лДетекторы с чувствительньми элемента- . ны следы ионов криптона и ксенона энерги.-,ми, выполненными иэ полевого шпата, пиромей 1 Яэв на нуклон в слюде (фторфлоготит),ксена, оливина, синтетической слюды, квар С пода на фиг, 1, а поцьергалась контоли- .ца и т, доблучали ускоренньж тяжелагируемому отжигу прн температуре 560-2:ионами Р 15, А 3 1, Са 20, Т 1 2224 и туение 14 вс, сцсда ьа фиг. 1, О - =-РИ 3,г, е, , С;р К, контрольная,25 26 30 32 36 Как следует иэ фиг, 1, а,б, отжьг и конттакже осколками деления и ионами 136 Х ф ролируемых условиях приводит к полному - у54Энергия ускоренных ионов 5-7 йэв на д,устранению следов ионов криптона, при эгомлон. Детальное исследование порога выяв длина следов ионов ксенона сокрашается неления следов тяжелых ионов показало, что более чем на 20-25%.ст первоначальной.наибольшую чувствительносг".ь имеют полевьа, Необходимо подчеркнуть, что свойство избишпаты, фторфлогопит, а также кварц - порог; рательного отжига следов ионов с Я, =24-36выявления следов лежит в области ионов является общим для кристаллических дегеккремния - фосфора - серы. Диопсид, гипер торов с пороговой чувствительостью в обстен, торит имеют порог регистрации в об- ласти от ионов кремния-фосфора и выше, В,ласти ионов аргона - кальция. Оливин, то- этом случае "эффект насышенич" зоны дефекпаэ регистрируют ионыначинаяс титана,тов, создаваемых ионами вплотьдо криптсТаким образом, все эти детекторы име- на, не играет существенной роли, что де-,ют порог чувствительности суаэственно бо- лает возможным избирательный отжиг нелее низкий, чем у детектора из слюды - проявленных треков таких ионов цри одно.мусковита, в когором регистрируются ионь 4 О временнойрегистрацииследов ионов в оско-.неона (.2 =1 О). Лочной области (250).Далее манерели, облученные ускоренньг В слюде мусковит область насыщения"ми тяжелыми ионами, отжигали в течениенаходится в районе ионов хрогла-марганца,1-1000 час при различных фиксированных; что делает невозможной,цискриминацию оскс;:."температурах вплотьдо температуры полнс 4 ков деления при фоне таких частиц.го устранения следов осколков деления. Для Эффект контролируемого сокрашениядлинвыявления.следов тяжелых ионов оспе от, следов тяжелых ионов может быть примежига кристаллы повторно облучали ионами нен для дискриминации следов тяжельх иь.К., Хе перпендикулярно поверхности и по(-" нов в минералах из метеоритов, что позволит выбирать кристаллические детекторыподвергали травлейвго в растворах химиче- для опытов по синтезу далеких грансураиоски активных вешеств, И результате выяви вых элементов в реакциях с ионами от марли следы тяжелых ионов в объеме кристал- ганца,цо криптона,ла и получили значения травимой длинысле 1дов тяжельх ионов в зависимости ог тем- бб ф о Р м У л а и з о б Р е т е и и япературы и времени отжига.Эти опыты показали, что избирательный Способ регистрации осколков деленияотжиг приводит к повышенио порога выяв- яцер злеглентов с поглошью диэлектрическихления и последуюшему полному устранению детекторов, Велючаоший Облучение детекто .следов тяжелых ионов с= 2436 во всег 60 Ра тяжелыми ионами и осколками и после5 1690:3 соотавн. ,А Бсй 1 ашов1 сданторТ.Орловская Текред И.Карандашова Еорректор 11,Аук Изд. Я 1 Ч 1 Заказ 619 8 Подписное Тираж 69 г 1 1 ШИИ 11 И Государственного комитета Совета Министров С(.СР по дедам изобретений и открытий Москва. 1130:.15, Раугнекан наб 4 Фн ван ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 дуюший избирательный отжиг его, о т л и -ч а ю ш и й с я тем, что, с целью обеспечения дискриминации осколков деленияв условиях фона в области атомных номеров бомбариирукзших частиц 24-36, в качестве детектора используют кристалличесизе вешество, пороговая чувствительность которого лежит и обласзи атомных номеровот 14-15 и выше, например, оливны, причем отжиг этого вешества ведут при темпе, ратуре, составляюшей 90-95% от температуры,необходимой для отжига следов осколков деления в выбранном в качестве де 1 тектора вещества.