403202

403202 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК ПАТЕНТУ Союз Соватакнх Социолистических Республиквисимый от патента М М. Кл. С 23 с 1308 Заявлено 0 Л.1970 ( 1407052/22-1 иоритет 10,11.1969,ЖР 48 Ь/1344, ГДР Государственни комитеСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий УДК 621.793.14. .002,51(088.8) 9.Х.1973, Бюллетень4 ания описания 12.111.197 убликова ата опублик оры Иностранцы Отто Фидлер и Гюнтер Р( Германская Демократическая Иностранная фирма ФЕБ ЭЛЕКТРОМАТоорстения аисеРеспублика в гель лика ПЫЛ ЕНИЯ ОпНО СТРОЙСТВО Д на иг. 2 - общи Изобретение прпокрытий в вакуудля полученияпленок.Известно устройство для ионного распыле ния материалов в вакууме, содержащее камеру, внутри которой расположены катод, анод, управляющий и отсасывающий электроды, мишень пз распыляемого материала, подложка и двойной водоохлаждаемый полый 1 цилиндр с магнитной системой.Однако известное устройство может быть применено для получения комбинированных пленок только при движении мишеней илп периодическом перемещении ионного пучка, 15 что отрицательно сказывается на скорости напыления пленок.Для повышения скорости напыления комбинированных пленок в предлагаемом устройстве во внутренней полости водоохлаждаемого 20 цилиндра смонтированы разрядные камеры, магнитная система выполнена в виде секционированной катушки с раздельным токоподводом, электроды снабжены насадками с эмиссионымп отверстиями, причем количество 25 насадок соответствует числу разрядных камер в цилиндре, а мишень выполнена в виде отдельных пластин, расположенных под углом к направлению потока ионов.На фиг. 1 представлен общий вид описы- зО едназначено для нанесения ме и может быть применено тонких комбинированных ваемого устройства; ф й вид системы разряда.Устройство состоит из камеры 1, внутри которой расположены катод 2, анод 3, управляющш 1 4 и отсасывающпй 5 электроды, мишень 6 пз распыляемого материала, подложка 7 и водоохлаждаемый полый цилиндр 8 с магнитной системой, Во внутренней полости цилшдра 8 расположены разрядные камеры 9. Магнитная система выполнена в виде секционировянпой катушки 10 с отдельным токо- подводом, Элсктроды 4, 5 снабжены насадками 11 с эмпсспоппымп отверстиями. Количество насадок 11 соответствует числу разрядных камер 9 в цилиндре 8. Мишень 6 выполнена в виде отдельных выпуклых или вогнутых пластин. расположенных под углом к направлению потока ионов, Электродные насадки 11 регулируются попарно и их плоскости устанавливаются под заданным углом к осп устройства. Камера 1 имеет патрубок 12 и флапцы - патрубкп 13, 14, которые служат для ввода в камеру 1 разрядных камер 9, держателя 15 подложек и мишени 6. Каждая разрядная камера содержит электродную систему по Фппкельштейну, катод 2, анод 3 н антпкятод 16. Магнитная катушка 10 с железным ярмом 17 состоит из двух частей с раздельным токоподводом. Нижняя секция катушки 10 служит для управления разрядом3в области эмиссионных отверстий. Система электродов для отсасывания носителей зарядов является отдельным регулируемым блоком с антикатодом, изолирующим цилиндром 18, управляющим электродом 4, отсасывающим электродом 5, защитным электродом 19 и дистанционным кольцом 20. Эта система навинчивается на двойной цилиндр 8. Антикатод 16, отсасывающий электрод 5 и управляющий электрод 4 имеют по четыре ситообразных насадки 11, легко поддающиеся смене.Устройство работает следующим образом.Магнитное поле возбуждает колебания электронов между катодом 2 и антикадом 16 и повышают, таким образом, плотность ионизации. Нижняя секция магнитной катушки 10 служит для управления плазмой в районе антикатодов 16,Ионы ускоряются и формируются в пучки отсасывающим электродом 5. Расположение эмиссионных отверстий позволяет образоваться широким ионным пучкам. Последующий управляющий электрод 4 влияет на форму ионного пучка и направляет его на предусмотренную для этого пластинчатую мишень 6.На чертеже показаны четыре расположенные рядом разрядных камеры, так что при работе имитируются четыре пучка. При токе разряда 2 А на каждое разрядное пространство замерен ионный ток ионов аргонамА в каждом пучке и, таким образом, 60 мА общего тока на мишени.Ионные пучки падают на четыре пластинчатых мишени, которые имеют такой наклон к пучкам, что основное направление распыления материала совпадает с направлением на подложку. Если пластинчатые мишени выполнены из различных материалов, то на подложке напыляются пленки из смеси веществ, так называемые черметы. Если в качестве материала мишеней применено, например, стекло и металл, то получаются пленки с боль шим омическим сопротивлением.Изменением мощности накала в одной разрядной системе можно изменять интенсивность соответствующего ионного пучка и, таким образом, мощность распыления и ин тенсивность переноса материала с соответствующей пластинчатой мишени. При этом изменяется соотношение материалов в напыляемом слое. Это соотношение в процессе производства можно изменять как угодно, в соот ветствпи с заданным,Предмет изобретения20 Устройство для ионного распыления материалов в вакууме, содержащее камеру, внутри которой расположены катод, анод, управляющий и отсасывающий электроды, мишень из распыляемого материала, подложка и двой ной водоохлаждаемый полый цилиндр с магнитной системой, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости напыления комбинированных пленок, во внутренней полости водоохлаждаемого цилиндра смонтированы ЗО разрядные камеры, магнитная система выполнена в виде секционированной катушки с раздельным токоподводом, электроды снабжены насадками с эмиссионными отверстиями, причем количество насадок соответствует числу 35 разрядных камер в цилиндре, а мишень выполнена в виде отдельных пластин, расположенных под углом к направлению потока ионов.Составитель А, Лниси":оваРедактор С. Хейфиц Текрсд 3, Тарансио корректор Г. Хмелева ПодписноСССР ипографня, пр. Сапунова,аказ 551/14Ц 1 ИИГ Изд. М 1012Государственного комитет по делам изобретений Москва, уК, Раушска Тиран 826 Совета Мииист 1 открытий иаб., д. 45