Переключатель

375685 с-Ан Й-е ЕТЕ Н ИЯ овз Советскихоциапистицеских Респубпи авпсимое от авт. свидетельства Л М.Кл. Н 01 Ь 308 Н Ю 1 р ИО 165714326 Заявлено 11 Х.1971 вкписоединением з осударствениый комитетСовета Министров СССРпо делан изооретеиийи открытий оритет -публиковано 23.111.1 ата опубликования о ДК 621.316.544.9(088,8 оллстеиьисаппя 11,Х 1,197 оломиец, Г, А. Андреева, Э. А. ЛебедевВ. Х, Шпунт Авторы Б.изобретения. Таксами и Заявитель Ордена нина физ. Иоффе хническии институт им. А ЕРЕКЛ ЮЧАТЕЛ ти электр ение в эл содержащии ду плоским лянню подреключ деленно назыв он п в пр еля на- мом рехо- водящее.Переключатели на основе аморфных и стеклообразных полупроводников весьма перспективны, особенно, если работой переключателей можно будет управлять различными внешними факторами, например светом.Лучше всего было бы для этой цели использовать одно из основных свойств полупроводников (фотопроводимость) и, подвергая переключатель действию света, управлять его параметрами,Однако все материалы, из которых изготавливаются переключатели, практически не фоточувствительны, и достижение этой цели путем дополнительного использования собственных свойств вещества неосуществимо. Цель изобретения - обеспечить возможИзобретение относится к обла ники и может найти также приме тро- и радиотехнике.Известен переключатель, слой халькогенидного стекла мех и точечным электродами и стек ложку.Основное свойство такого пе заключается в том, что при апре пряжении на переключателе Унапряжением прямого перехода, дит из непроводящего состояния ность управления процессом переключения светом.Указанная цель достигается тем, что между стеклянной подложкой и плоским электро дом введен слой фоточувствительного полупроводника с дополнительным электродом.На фиг, 1 показано устройство управляемого светом переключателя; па фиг. 2 - эквивалентная схема переключателя, управляемого 10 светом (последовательное включение фотослояи слоя халькогенидного стекла); на фиг. 3 - вольт-амперная характеристика переключателя, управляемого светом, в темноте (последовательное включение); на фиг. 4 - вольт-амперная характеристика переключателя, управляемого светом, при освещении (последовательное включение); на фиг, 5 - эквивалентная схема переключателя, управляемого светом (параллельное включение фотослоя и слоя 2 О халькогенпдного стекла); на фочг, 6 - вольтамперная характеристика переключателя, управляемого светом, в темноте (параллельное включение); па фиг. 7 - вольт-амперная характеристика переключателя, управляемого светом, прп освещении (параллельное включение).На стеклянной подложке 1 расположенслой фоточувствительного полупроводника (фотослой) 2 с металлическими электродами 8. зО Поверх одного пз электродов без контакта сфотослоем расположен слой халькогенидного стекла 4, верхним электродом которому служит прижимной графитовый контакт 5 площадью 2 10 а см,В устройстве использован фоточувствительный слой сернистого кадмия с металлическими электродами и халькогенпдпое стекло из системы Я - бе - Аз - Те - 5 е.Если фоточувствительный слой и слой халькогенидного стекла прн помощи общего .электрода соединить последовательно, то эквивалентная схема соединения имеет вид, изображенный на фиг, 2.Темновое сопротивление фотослоя должно быть сравнимо с сопротивлением переключателя в непроводящем состоянии.Общее напряжение, приложенное к устройству, выбирается таким, чтобы напряжение на слое халькогенидного стекла в темноте Ббыло меньше напряжения У прямого перехода и переключатель находился в закрытом, непроводящем состоянии (фиг, 3),При некоторой достаточной освещенности, благодаря уменьшению сопротивления фото- слоя, происходит перераспределение напряжения между фотослоем и слоем халькогенидного стекла, напряжение на халькогенидном стекле при освещении становится больше напряжения прямого перехода и переключатель переходит в проводящее состояние (фиг. 4).Эквивалентная схема параллельного соединения фотополупроводникового слоя и слоя халькогенидного стекла приведена на фиг. 5, где б - сопротивление нагрузки, 2 - фото- слой, 4 - слой халькогенидного стекла, У, - приложенное напряжение.При определенных значениях сопротивления нагрузки, сопротивления фотослоя в темноте, сопротивления слоя халькотенидного стекла и приложенного напряжения напряжение на слое халькогенидного стекла равно или больше напряжения прямого перехода пере 4ключателя У и последний находится в проводящем состоянии (фиг. 6).При освещении фоточувствительного слояего сопротивление уменьшается, а следова тельно, уменьшается и сопротивление параллельного соединения фотослой - слой халькогенпдного стекла, и, вследствие перераспределения приложенного напряжения У,между сопротивлением нагрузки и сопротивлением 10 параллельного соединения, напряжение на переключателе становится меньше напряжения пря 1 мого перехода и переключатель переходит в непроводящее состояние (фиг, 7).Таким образом, при последовательном со единении фотослоя н слоя халькогенидногостекла переключатель переводится в проводящее состояние, т. е. отпирается импульсом света; при параллельном соединении, наоборот, импульс света запирает переключатель, 2 О т. е. переводит его из проводящего состоянияв непроводящее.В качестве фоточувствительного слоя может быть использован, в принципе, любой фоточувствительный полупроводник. В зависи.25 мости от вольтовой и спектральной чувствительности применяемого в устройстве фоточувствительного слоя управление процессом переключения с помощью света может осуществляться импульсом определенной минимальной ц освещенности в любой области спектра. Предмет изобретенияПереключатель, содержащий слой халькогенидного стекла между плоским и точечным электродами и стеклянную подложку, отличающийся тем, что, с целью управления процессом переключения светом, между стеклян ной подложкой и плоским электродом введенслой фоточувствительного полупроводника с дополнительным электродом.375685 Риг.5 аказ5488 Изд.1784ЦНИИПИ Государственного комипо делам иззбретс Москва, Ж, Рау Тираж 780тета Совета Министров СССРний и открытийшская наб., д, 4/5 дписное Загорская типография Редактор Л. Мазуронок Риг 7 Составитель Л.Рубинчик Техред Т, Миронова