Устройство для получения металлического волокна

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК О 11/06 СВИДЕТЕЛЬСТВУ К АВТОРСКОМ ПОЛУЧЕНИЯ МЕНАтся к области ме.му литью, конклокон закалния - повышенстабилизации еержит металл д рет- кой ие го ля области метью, конкретн закалкой эобретение относится гии, к непрерывному пол чению вола ше- ии ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНВЕДОМСТВО СССР(71) Гомельский политехнический институт(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТАЛЛИЧЕСКОГО ВОЛОК (57) Изобретение относи таллургии, к непрерывно нее, к получению во расплава. Цель изобрете качества волокна эа счет ширины, Устройство сод таллур линее к у корасплава.Целью изобретения является повы ние качества волокна эа счет стабилизац его ширины.Сущность изобретения иллюстрируется чертежами, где: на фиг.1 представлен общий вид устройства; на фиг.2 - разрез А-А на фиг.1.Устройство, представленное на фиг,1, содержит основной кристаллизатор, выполненный в виде диска 1 с боковой цилиндрической поверхностью 2, установленный с возможностью вращения относительно оси 3, вспомогательный кристаллизатор, образованный установленным на аси 4 имео 1835333 А 1 ЕНИЯ " ,."." 2расплава, основной и вспомогательный кристаллизатары, вращающиеся вокруг своих осей с рабочим зазором между их цилиндрическими боковыми поверхностями, кроме того, содержит два дополнительных кристаллизатара, установленных на общей оси вспомогательным кристаллизатором, Дополнительные кристаллиэатары и вспомогательный кристаллизатор имеют общую рабочую поверхность, Основной, вспомогательный и дополнительные. кристаллизаторы установлены с возможностью независимого вращения, а рабочие боковые поверхности вспомогательного и основного кристаллизатарав выполнены упругими. 1 з,п, ф-лы, 2 ил, 1 табл,щим возможность вращения диском 5, на боковой поверхности 6 которого посредствам упругога элемента 7 установлено профилираванное кольцо 8 без их взаимного проворота, что обеспечивает возможность упругого перемещения поверхности 9 кольца 8 в радиальном направлении.Каждый из дополнительных кристаллизаторов выполнен в аиде профилированного диска 10,11 с боковой поверхностью 12,13 и торцевой поверхностью 14,15, По. следние примыкают к боковой поверхности кольца 8 так, чта их поверхности 6,12 и 13 в отсутствии вращения или при вращении, но е отсутствие подачи расплава 16 из тигля 17 на боковую поверхность 2 основного кристаллизатора имеют общую рабочую поверхность М (фиг.2). При зтам поверхность 25 10 15 20 30 40 55 основного кристаллизатора установлена по отношению к поверхностям 6,12 и 13 с рабочим зазором Н. Все кристаллизаторы имеют возможность независимого вращения благодаря связи с автономными приводами (на фиг,1 не показаны).Устройство работает следующим образом.Основной и вспомогательный кристаллизаторы приводят во вращение в одну сторону, Затем приводят во вращение в направлении, противоположном вращению диска 1 диски 10,11 (дополнительные кристаллизаторы), В результате этого боковые поверхности 2,9,12,13 всех кристаллизаторов, в том числе и торцевые поверхности 14,15 дисков 10,11 одновременно движутся, при этом зазор Н остается постоянным, После установки в требуемое положение подают расплав 16 из тигля 17 на боковую поверхность 2 основного кристаллизатора в непосредственной близости от зазора. Будучи втянутым в зазор слой расплава, уже частично охлажденный на поверхности 2 основного кристаплизатора, продолжает уширяться, но более медленно, при этом увеличивается его вязкость. Благодаря тому, что поверхность. 9 вспомогательного кристаллизатора выполнена с возможностью упругого перемещения, при достижении вязкости расплава 16 большей силы противодействия при вращении вспомогательного кристаллизатора, поверхность 9 последнего радиально смещается под действием давления через расплав 16 со стороны поверхности 2 диска 1. Результатом такого перемещения является то, что в процесс обработки расплава 16 в зазоре вступают торцовые поверхности 14,15, т.е, образуется зона деформации, ограниченная четырьмя независимо перемещающймися поверхностями 2,9,14,15, Адгезионно сцепляясь в зоне сдвиговой деформации с этими поверхностями, оЦъем расплава разделяется по плоскостям скольжения, в которых вязкость расплава мала по сравнению с силами адгезионного сцепления с ним поверхностей 2,9,14 и 15.Такое взаимодействие приводит к выносу объемов расплава, контактирующих с поверхностями 14,15 дисков 10,11 в виде дискретных или непрерывных изделий (волокон) 16,17. Одновременно поверхностью 2 основного кристаллизатора выносится осовное изделие (волокно) 18 и в противоположную сторону формируемое в контакте с поверхностью 9 вспомогательного кристаллизатора, изделие 19. В результате ос:новное изделие 18 имеет стабильную ширину. П р и м е р. Осуществляют получение волокна из сплава а основе железа (Ре 7 о й в В 12 Р 10) и бронзы Оф 4-0,25. На устрой- стве, схема которого представлена на фиг.1,2, диаметр основного кристаллизатора в виде диска составляет 80 мм, а диаметры двух дополнительных кристаллизаторов и диаметр вспомогательного кристаллизатора равны между собой и составляют 125 мм. Ширина боковой поверхности основного кристаллизатора составляет 50 мм, а ширина боковой поверхности вспомогательного кристаллизатора составляет 0,2 мм, При получении волокна из сплава на основе железа основной, вспомогательный и дополнительные кристаллизатора приводят во вращение со скоростью, соответственно 2500, 3200 и 3800 об/мин а при получении волокна из бронзы их скорости составляют, соответственно, 3000, 3600 и 4200 об/мин.В случае, когда возможность упругого перемещения имеет только вспомогательный кристаллизатор, последний и основной кристаллизатор устанавливают с рабочим зазором 0,055 мм(для сплава на основе Ре), а при получении волокна из бронзы - с рабачим зазором 0,03 мм; при выполнении с возможностью упругого перемещения как основного, так и вспомогательного кристаллизаторов их устанавливают с нулевым рабочим зазором, В качестве питателя для подачи расплава используют кварцевый тигель с диаметром выходного отверстия 0,3 мм(для сплава на основе железа) и с диаметром 0,2 мм (для бронзы). Давление на расплав в тигле составляе во всех случаях 0,35 МПа. Расплав подают на поверхность ос. новного кристаллизатора на расстоянии 35 мм от зева. Температура подаваемого расплава для сплава на основе железа составляет 1700 С, а для бронзы - 1300 С.Оценивают средние толщину и ширину волокон на длине в 50 мм, а также разброс ширины волокон надлине 50 мм, по величине которого судят о стабильности ширины, как критерии качества волокна,Данные испытания волокон сведены в таблицу. Формула изобретения1, Устройство для получения металлического волокна, содержащее питатель для расплава, основной, вспомогательный и дополнительнье кристалпизаторы, установленные с возмокостью вращения и с образованием между боковыми поверхностями основного и вспомогательного кристаллизаторов рабочего зазора, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения качества волокна за счет стабилизации его ши 1 В 35333рины, вспомогательный кристаллизатор установлен между дополнительными кристаллизэторами с возможностью независимого перемещения, а его боковая поверхность выполнена упругой и образует с боковыми поверхностями кристаллизаторов общуюрабочую поверхность,2. Устройство по п,1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что боковая поверхность основногоБ кристаллизатора выполнена. упруой,,Куркова еда при ГКНТ ССС здательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 ф Производств каз 2972 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыти113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5