Способ записи и считывания фототермопластической информации

(5 6 00 ЗОБР ОП ЕНИ стиысить оме го- Для аев ар тико-элект информации ская обнов уществляютнного сигнал значения. Счит при усилении и обратно пропор значению микро указанного вьпп микрорельефа и ную отношению глубины к нагр току. 2 ил. ывани нформациоциональнорельефа,е за уров систеруксковая я конс му мгновен ри собл нь разв а На- 6. ия величину,изменения ринимаю скорост ЫВАНИЯ ФО его аФ поевающему световом ся к способу Изобретение от кой обработке инф чено для записи и ции фототермоплас Цель изобретенсится к оптичесрмации и предназнасчитывания информаического материалая - повышение каНа Фиг. 1 ства, реал соб; на фи ти поясня устйсиредставлена схемазующего предлагаемь2 - графики завищие способ,ествляют следующим с осо разом.На повер кого носите формируют з понирования световым по последующим фа путем на еор ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Акаев А.А. и дрОронные методы обработкиизображений. Голографичляемая информационно-пома для архивного храненторской документации.1982, с. 26 - 31, рис. 54) СПОСОБ ЗАПИСИ И СЧ ЕРМОПЛАСТИЧКСКОЙ ИНФОР 57) Изобретение относи чества записи и считыван ность Фототермопластичеся наносят заряд, Затемрядовый рельеф путем эксносителя информационнымоком с длиной волны сФормированием микрорельрева носителя световым записи и считывания фототермопл ческой информации, Позволяет по качество записи и считывания. К того, позволяет осуществлять мн цикличность записи и считывания того при достижении порогового зна чения уровня развития микрорельефаснижают интенсивность нагревающегосветового потока до регламентного 2потоком с длиной волны, отличной от длины волны информационного потока.После формирования микрорельефа осуществляют оптическую регистрацию ф уровня развития микрорельефа и после 4 ф достижения им порогового значенияуровня развития микрорельефа снижают С 4 интенсивность нагревающего светового Я потока до регламентного значения, Затем осуществляют считываниеинформации при усилении информационного сигнала обратно пропорционально мгновенномузначению микрорельефа. За уровень,33 В развития микрорельефа принимают величину, равную отношению скорости изменения его глубины к нагревающему световому потоку,Устройство содержит управляемыйисточник 1 излучения (УНИИ), к оЛог."1" при И б О, при 1 +40,Условие 4 +4 =0 соответствует ре+бжиму нагрева при формировании микрорельефа в точке С,Иодулятор 15 осуществляет модуляцию опорного напряжения , по за"конуеде Р - функцйя модуляции.)При=0 4 щ=О, т.е. модуляцияКотсутствует и световой поток Ф=О. Э 1464 13натор 2, фототермопластнческий носитель 3, включающий прозрачную токопроводящую подложку 4 и прозрачнуюдиэлектрическую подложку 5. Устройство также содержит блок 6 термоста 5билизации, затвор 7, фоторегистр 8,демодулятор 9, блок.10 управлениязатвором, фотодетектор 11, блок 12обработки, блок 13 сравнения, блок14 формирования,; модулятор 15, интегратор 16 и синхронизатор.Устройство работает следующимобразом.После нанесения заряда на поверхность фототермопластического носителя с помощью коронатора 2 осуществ-.ляют экспонирование заряженной по"верхности информационным световымпотоком Ф с длиной волны Л, (напри мер, 3, =0,63 мкм) и получают зарядовый рельеф на носителе 3 (блоки,обеспечивающие зарядку и экспонирование носителя, не показаны).Для формирования микрорельефа путем нагрева и одновременного считывания используют световой поток фуправляемого источника излучения сдлиной волны Д, не разрушающей сформированного зарядового рельефа. Формирование микрорельефа. происходит засчет поглощения части светового по. тока Ф.Непоглощенная часть светового потока Ф дифрагирует на образующемся35в процессе нагрева микрорельефе.Световой поток Фз в 1-м порядке дифракции принимается фотодетектором 11,реализуемым, например, на основе фотодиода и усилителяВыходной сигнал4 ф(С) фотодетектора пропорционаленинтенсивности светового потока Фкоторый через дифракционную эффективность носителя связан со световым потоком Ф . Поэтому приращения сигнала ф(г) пропорциональны (при неизменном световом потоке Ф) приращениямдифракционной эффективностипри формировании микрорельефа нагре, вом носителя. При этом величина при-,ращенийопределяется из зависимос-ти дифракционной эффективности отэнергии К, поглощенной ноаителемсоставляющей светового потока Фза время интегрирования 0 путемдифференцирования этой зависимости.При этоме =1 "-к 1 Ф (с)й,о о 54где- коэффициент поглощения;Б - площадь носителя, облучаемая световым потоком.Интенсивность светового потока Ф(Т) пропорциональна сигналуна выходе модулятора 15. При реализации УНИИ 1, например, на базе полупроводникового лазера (7=0,82 - 0,9 мкм) с формирующей оптикой регу" лировку интенсивности потока ф(а следовательно, глубины микрорельефа и уровня дифракционной эффективности) осуществляют, изменяя условия генерации. Другим способом электрической регулировки интенсивности светового потока ф является включение модулятора интенсивности в формирующий оптический канал УНИИ 1 (не показан),Блок 12 обработки формирует сигнал 4, в соответствии со следующим соотношением;ап дф ф (г+д с) фо,1 К.- а 4,(Е+ДС) - 4где де - интервал времени между двумя соседними отсчетами напряжений.Блок 13 сравнения формирует сигналы 4 и. Условия формирования1.сигнала 1 управления затвором следующие." ЛОГ 0 р при )одБлок 10 управления затвором при наличии потенциала Лог. "1" сигнала 4 открывает затвор 7 (интервал времени 1,1, в результате чего осуществляют считывание записанной на носителе информации. При потенциале Лог. "0" сигнала 1 затвор 7 закрыт1 и считывание записанной на носителе информации не происходит. Условия формирования сигнала , являющегося входным сигналом модулятора 15, следующие1 д %ф при "о б ф5 1464 Этот случай соответствует участку СЭ зависимости (фиг. 2). При этом возврат к оптимальному режиму нагрева осуществляется через перекрытие потока Ф и остывание носителя.Вид Функции модуляции Р может быть достаточно произвольньм. Например, для амплитудной модуляцииооп (о б) Ф при )Оф 1 Д О при 4 к =О.Интенсивность светового потока, а следовательно, и интенсивность нагрева носителя при Формировании микрорельефа пропорциональна напряжению 1 + 4 б, т.е. производной Й -- + сопзсО. ЙЕл Блок 6 термостабилиэации термоста О билизирует начальную температуру регистрацией структуры на базе Фототермопластического носителя. При этом начальная температура превышает максимальную температуру окружающей сре ды во время записи, но меньше температуры фазового перехода для фототермопластического носителя, Разогрев фототермопластического носителя до начальной температуры осуществляют путем пропускания тока через прозрачную подложку 4Наличие такого разо" грева приводит к уменьшению времени нагрева (при постоянной интенсивности 1 светового потока Ф или к снижению величины 1(при постоянном вре- мени нагрева). Для исключения влияния .цепи термостабильности на считывание 135 6.информации (при поддержании оптимального режима нагрева носителя) постоянная времени блока 6 должна превышать время считывания.Формула изобретенияСпособ записи и считывания фото-термопластической информации, включающий нанесение заряда на поверхность фототермопластического носителя, формирование зарядового релье+фа путем экспонирования носителя информационным световым потоком, формирование микрорельефа путем нагреваносителя световым потоком с длинойволны, отличной от длины волны информационного потока, оптическую регистрацию уровня развития микрорельефаи после достижения им порогового значения считывание информации, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения качества записи и считывания, осуществления возможностиЪногоцикличности в реальном масштабе;времени, при достижении пороговогозначения уровня развития микрорельефа снижают интенсивность нагревающего светового потока до регламентногозначения, а считывание осуществляютпри усилении информационного сигналаобратно пропорционально мгновенномузначению микрорельефа, причем за уровень развития микрорельефа принимаютвеличину, равную отношению скоростиизменения его глубины к нагревающему,световому потоку,14 б 4135 Редактор И а Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгор Гагарина, 101 Заказ 823/50 ВНВБИ Госуд оставитель Л.Носыреваехред М.Ходанич Корректор В.Гирняк Тираж 412 Подписноетвенного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5