Способ измерения параметров порошков магнитных материалов

. Я. ирошков др. Диагностика мМ.: Наука, 198ство СССР24/00, 1982. НИ Я ПАРАМЕТ НИТНЫХ МАТЕ тся к техническои льзовано для эксОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ ОПИСАНИЕ ВТОРСКОМУ СВИД(56) Буланов Вталл ических пос. 140 - 142.Авторское свидетел1065750, кл. б О 1 1 х 1(54) СПОСОБ ИЗМЕРОВ ПОРОШКОВ МАРИАЛОВ(57) Изобретение отнофизике и может быть и ЯО 1413495 А 1 прессных измерений параметров намагниченности М и средней фракции а порошков магнитных материалов, используемых в производстве постоянных магнитнь 1 х материалов, композиционных материалов для магнитных лент, дисков и т. п. Целью изобретения является повышение информативности и разрешающей способности. Сущность изобретения состоит в том, что проводят сравнительные измерения локализованных спектров магнитостатических спи новых вол в магнитной пленке, соприкасающейся поверхностью с аморфным и текстурированным монослоями магнитного порошка, сформированными на диэлектрической подложке, относительно спектров участка пленки, свободного от порошка. 5 ил.И.юиец ие о г 1 осцтся к технической физике ц может быть использовано для эксцрееець 1 х измерений физических параметров п,цшкоц магццтцых материалов, использ.ж мых ц производстве постоянных магнит- ,и, х материалов, композиционных материал,в для магнитных лент, дисков и т, п.1(елью изобретения является повышение информативности и разрешающей способцноетц способа.На фиг. 1 схематически изображен датчик радиоспектрометра, с помощью которого возбуждаются магнитные резонансы; на фиг. 2 5 - типичные резонансные спектры.Датчик содержит диэлектрическую пластину 1, подложку с тремя пространственно разделенными участками 2 - 4 свободного от порошка аморфного монослоя магнитного цороц 1 ка и текстурированного магнитным полем монослоя магнитного порошка, моно- кристаллическую магнитную пленку 5 на диэлектрической подложке, полость сверхцысокочастотцого резонатора 6, полюсцый наконечник 7, модуляционные катушки 8 и кассету 9. На исследуемый образец, состоящий из диэлектрической пластины 1 с участками 2 - 4, и контрольный образец, выполненный в виде магнитной пленки 5 ца диэлектрической подложке, воздействуют постоянным магнитным полем Нл и переменным магнитным полем Нь направленным церцшгдикулярно направлению Но поля.На фиг. 25 показаны типичные спектры связанных магцитостатических колебаний локализованных областей пленок железоиттриевого граната (ЖИГ) с монослоями магнитных порошков: свободной поверхности ЖИГ (фцг. 2); аморфного монослоя порошка со средней фракцией с=25 мкм (фиг. 3); текстурированного монослоя порошка со средней фракцией И=25 мкм полем приложенным в плоскости пластины (фиг. 4) и аморфного монослоя порошка со средней фракцией д=75 мкм (фиг. 5).ФНа кривых А представляет расщепление спектра магцитостатических колебаний в пленке ЖИГ, а о, -- смещение первой компоненты спектра, относительно исходного.Способ реализуют следующим образом.Исследуемый порошок формируют в моно- слой, закрепленный клеящим веществом ца двух пространственно разделенных участках 3 и 4 с аморфной и текстурированной магнитной структурой. Внешнюю поверхцоль моцослоев прикладывают к поверхности магнитной пленки 5 ЖИГ, закрепляют в кассете 9 и разме 1 цают в полости, снабженной отверстием связи СВЧ-поля с резонатором 6. Б резонатор 6 вводят СВЧ-мощность, которая через отверстие связи попадает ца магнитную пленку 5, и во внешнем цамагцигцца;ощем поле в локальной области пленки возбуждаются 20- - 30 компонент магнитостатических спиновых колебаний. Путем цс ремегцеция кассеты 9 с исследуемыми 10 15 20 25 30 35 40 4 Г участками 2 - 4 и контрольным образцом - магнитной пленки 5, относительно отверстия связи резонатора совмещают участок, свободный от монослоя порошка и измеряют напряженность магнитного поля, соответствующего первой высокополевой компоненте спектра (см. фиг. 2). Далее проводят измерение резонансного пика, соответствующего связанным колебаниям локальной области ЖИГ - аморфный монослой порошка (фиг, 3), а затем измеряют положение этого пика спектра колебаний ЖИГ - текстурированный монослой (фиг. 4), Параметры М и а порошка определяют по формулам; М= =Ь(6, - 6), й=ИЯ, где йм и И - постоянные; 6 и 6, - смещение спектров в магнитном поле аморфного и текстурированного слоев.Ори иер. Предлагаемый способ измерения параметров порошков реализован для измерения намагниченности М и среднего размера фракции д магнитных металлических порошков типа КС, химическая формула Ягп 2 (СоГеСцХг) 7. Рабочая частота прямоугольного резонатора 6,92 ГГц. Размеры полости резонатора 139 Х 23 К 5 мм, отверстие связи Я 8 мм (задает область пространственной локализации). Магнитный слой контрольного образца в виде эпитаксиальной феррит-гранатовой структуры ЖИГРЭСс параметрами 4 лМ=175 мТл, шириной линии резонанса 84 А/м, толщиной магнитного слоя 6=6,7 мкм и диаметром ЖИГРЭСоколо 60 мм. Размеры участков монослоев порошков 20)(20 мм, диаметр диэлектрической пластины 60 мм. В качестве клеящего вещества использовались эпоксидную смолу толщиной 5 мкм. Исследуемый и контрольный образцы размещали в кассете диаметром 100 мм.Предлагаемый способ позволяет достичь разрешающей способности по размеру фракций ца уровне 3 - 8 мкм, которые можно улучшить в несколько раз, применив более тонкие магнитные слои дополнительного образца меньше 1 мкм и уменьшив потери СВЧ-мощности в магнитном слое, а также повысить информативность и скорость проведения исследования за счет регистрации наблюдаемых спектров на экране осциллографа.Формула изобретения Способ измерения параметров порошков магнитных материалов, заключающийся в том, что на исследуемый и контрольный образцы в виде пленки, выполненные из магнитного материала, воздействуют постоянным и переменным магнитными полями, одновременно регистрируют и сравнивают локализованные резонансные спектры образцов, причем исследуемый и контрольный образцы размещают в зоне их магнитнодицольного взаимодействия, отличающийся тем, что, с целью повышения информатив 141349510 ности и разрешающей способности, исследуемый образец наносят в виде монослоя порошка на два пространственно разделенных участка диэлектрической пластины, третий участок которой оставляют свободным от порошка, причем на одном из участков слой порошка формируют в отсутствии магнитного поля, а на другом - в присутствии магнитного поля, направленного вдоль поверхности диэлектрической пластины, затем приводят наружную поверхность монослоев порошка в контакт с пленкой контрольного образца путем их совместного перемещения поочередно вводят участки в зону резонанса радиоспектрометра и измеряют параметры спектров от каждого из участков, при этом намагниченность М и средний размер фракции порошка д определяют по относительному смещению резонансных спектров от резонансного спектра от участка, свободного от порошка, из выраженийМ= и(т - а), Д=,16где Ь и Й, - постоянные;Ь и о. - смещения спектров в магнит ном поле аморфного и текстурированного слоев порошка относительно спектра участка пластины, свободного от порошка.1413495к 4 фСоставитель В. Майоршин Редактор Е. Копча Техред И. Верес Корректор Черни Заказ 3775/45 Тираж 847 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий1 3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д, 4/5Производственно.полиграфицеское предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4