Устройство с лобразными вольтамперными характеристиками

(5 П Ф Н 03 К 3 28 ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНЯТИЙОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ЭСЕСОВЦ-р р13," 13 НЙЛКОИО Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ю(71) Смоленский филиал Московского ордена Ленина и ордена Октябрьской Революции энергетического института (72) В.П.Дьяконов и О.В.Семенова (53) 621.373(088.8)(56) Кано Г. и др.Ляибда-диод - многофункциональный прибор с отрица тельным сопротивлением.- Электроника, 1975, У 3, с.52, рис.б а.Дьяконов В.П., Семенова О.В. Переключающие устройства на Л-транзисторах. ПТЭ, 1977, В 5, с.97, рис. 1 г. (54)(57) УСТРОЙСТВО С Л-ОБРАЭНЫИИ ВОЛЬТАК 1 ЕРНЫИИ ХАРАКТЕРИСТИКАМЦ, содержащее полевой транзистор со встроенным каналом р-типа, затвор которого подключен к стоку полевого ИДП-транзистора со встроенным каналом П-типа, затвор которого соедИнен с шиной управления, исток полевого транзистора со встроенным каналом р-типа соединен с истоком полевого ИДП-транзистора со встроенным каналомп-типа, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения области применения за счет увеличения рабочих токов, в него введен полевой транзистор с индуцированным каналоми-типа большей площади, чем у полевых транзисторов со встроенным каналом, и резистор, причем сток полевого ИД 1-транзистора со встроенньею каналом и-типа соединен со стоком полевого транзистора с индуцированным каналом -типа большей площади и шиной питания, сток полевого тран зистора со встроенным каналом р-типа подключен к затвору полевого транзистора с индуцированньв каналом -типа большей площади и через резисюф тор к стоку полевого транзистора с Яиндуцированньщ.каналом о-типа большей площади и общей шине.РвайИзобретение относится к импульсной технике и может быть, использовано для построения релаксационных генераторов, триггеров, пороговых устройств и т.д.Целью изобретения является расширение области применения за счет увеличения рабочих токов.На фиг.1 приведена принципиальная схема предлагаемого устройства; на фиг.2,3 и 4 - соответственно графические построения, поясняющие процесс образования Л-образной вольтамперной характеристики (ВАХ)густройства; семейство Л-образных ВАХ для случая Е 0 и семейство Л-образных ВАХ для случая К = 7,5 кОм.3Устройство содержит полевой транзистор 1 со встроенным каналом р-типа, нолевой МДП-транзистор 2 со встроенным каналом -типа, полевой транзистор 3 с индуцированным каналом большей площади, резистор 4, ши" ну 5 питания и шину 6 управления. Стоки транзисторов 2 и 3 соединены с шиной 5 питания. Шина 6 управления соединена с затвором транзистора 2, исток которого соединен с истоком транзистора 1. Сток транзистора 1 соединен с затвором транзитора 3 и резистором 4. Резистор 4 и сток транзистора 3 соединены с общей шиной.Рассмотрим процесс образования Л-образной ВАХ предлагаемого устройства. для случая подключения затвора транзистора 2 к стоку транзистора 1 (фиг.1). ВАХ устройства определяет зависимость тока 1, равного сумме токов 1 и 1, от напряжения 0 вточке,5 схемы.Из графических построений (фиг.2), соответствующих Л-образной ВАХ двухполюсника на "транзисторах 1 н 2 положениям линии нагрузки резистора 4 для ряда значений напряжения 0 в точке 5 схемы фиг.1 (в координатах 1- 0 д), ВАХ резистора 4 с сопротивлением К (в координатах 1 - 0), передаточной характеристике(в координатах 1 - .0 и семейству выходных ВАХ трен" .зйстора 3 (в координатах Есз 0 сцф видно, что с ростом напряжейия 015 2025ЭО35 40 напряжения 0,. и токов 1 и 1 С . При напряжении 0 = 0 = 0 и равном сумфме напряжений перекрытия каналов транзистопов 1 и 2 последние закрываются, и ток 1 состоит из обратных токов утечки указанных транзисторов и остаточного тока стока транзистора3. В результате зависимость тока 1 = 1+ Ес от напряжения 0 имеет ЛЪобразный характер. Форма и параметры этой зависимости (ток пика, раствор и дифференциальное сопротивление на падающем участке ) могут регулироваться изменением сопротивления резистора 4. Отключение затвора транзистора 2от стока транзистора 1 и включение,между точкой 6 схемы фиг.1 и истоком транзистора 3 источника управляющего напряжения создают возможность управления формой и параметрами Л-об- разной ВАХ изменением величины указанного напряжения.Для устройства, выполненного на полевых транзисторах КП 305 И,КП 103 Ж и КП 902 А, на фиг.3 и 4 представлены семейства экспериментальных ВАХ для разных значений сопротивления резистора 4 и управляющего напрякения Е.Применение дополнительного ИДП- транзистора и включение в цепь его затвора резистора, позволяет расширить функциональные возможности предлагаемого устройства за счет больших рабочих токов и возможности получе" ния требуемой Формы и параметров ВАХ изменением сопротивления указанного резистора. положительной полярности растут напряжения 0 и О снимаемые с резистора 4 и двухполюсника на транзисторах 1 и 2. В результате увеличиваются ток 1 и ток стока 1 транзистора 3, для которого 0 является управляющим напряжением отпирающей полярности. Росттоков 1 и 1 происходит до значений, соответствующйх значению напряжения1 О0 = 0 , при котором линия нагрузкирезистора 4 пересекает Л-образнуюВАХ двухполюсника в пиковой точке 2(фиг.2), Дальнейшее увеличение напряжения 0 сопровождается уменьшением