Контактное устройство для испытания интегральных микросхем

.и,ТЕТ СССРИ ОТКРЫТИЙ ч.4 сЖ фЪ Й.,БРЕТЕНИ МЬДИЬТЫ ТОРСНОМУ СВ ЛЬСТВ 88.8)ельство СССР2, 1975.ьство СССР8, 1974,иРОИСТВО ДЛЯ ИКРОСХЕМр ое основаприжим расположенрижимом,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НО ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИ ОПИ САНИ(54)(57) КОНТАКТНОЕ УСТ ИСПЫТАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЬ)Х М содержащее диэлектрическ ние, контактные элементы и эластичную прокладку, ную между основанием и п 5 Н 05 К 7/12; Н 05 К 1/1 отличающееся тем, что,с целью повышения надежности в работе в условиях вибрационных и ударных нагрузок, в эластичной прокладке выполнено установочное гнездодля корпуса микросхемы, прижимвыполнен в виде диэлектрической плаки с ограничительными упорами изизоляционного материала, а основание - из эластичного материала, жесткость которого в 2-3 раза большежесткости материала эластичнойпрокладки, причем контактные элементы расположены на эластичнойпрокладке со стороны выводов микросхемы.Изобретение относится к испытательной технике, в частности к контактным устройствам для испытаниямикросхем на ударные нагрузки сосъемом информации в процессе воздействия импульса ударного ускорения.Известно устройство для подключения выводов микросхем, содержащеедиэлектрический корпус, разделительную гребенку, прижим, токовые контакты Ц .При использовании этого устройства в испытаниях микросхем на ударные нагрузки со съемом информациив процессе воздействия импульса удар 15ного ускорения высокой интенсивности (порядка 10( и/с) происходитдеформация и повреждение выводовмикросхемы в результате того, чтокорпус ликросхемы це за,реплен и 20йрц ударе перемещается, а выводымикросхемы деформируются и принимают зубчатую форлу токового контакта, так как прижим це имеет ограничительных упоров. Все это ограничивает эксплуатационные возлокности такого устройства.Наиболее близким к изобретениюпо технической сущности являетсяустройство для испытания интегральных микросхем, содержащее диэлектрическое основание, контактные элементы, прижим и эластичную прокладку,расположенную между основанием иприжимом .12,Недостатком данного устройстваявляется то, что при испытапиях интегральных микросхем на ударные нагрузки происходит деформация и повреж.дение выводов микросхемы.Цель изобретения - повышение надежности в работе в условиях вибрационных и ударных нагрузок,Поставленная цель достигаетсятем, что в контактном устройстведля испытания интегральных микросхем, содеркащим диэлектрическоеоснование, контактные элементы,прижим и эластичную прокладку, расположенную между основанием и прижимом, в эластичной прокладке выполнено установочное гнездо для корпуса микросхемы, прижиу выполнен в виде диэлектрической планки с ограничительными упорами из изоляционного материала, а основание - из 55эластичного материала, жесткость которого в 2-3 раза больше жесткостиматериала эластичной прокладки, причем контактные элементы расположенына эластичной прокладке со сторонывыводов микросхемы.На фиг. 1 схематично изображенопредлагаемое контактное устройстводля испытания интегральных микросхемна ударные нагрузки", на фиг. 2разрез А-А на Фиг, 1 ( с ослабленны ми винтами); на фиг. 3 - разрез Б-Бна фиг. 1 ( с поджатыми винтами),Контактное устройство содержитдиэлектрическое основание 1 из эластичного материала выводов 2 микросхемы 3, прижим в виде диэлектрической планки 4 с ограничительными упорами 5 и с выемками б. Диэлектрическая планка 4 снабжена эластичнойпрокладкой 7 с установочным пазом8 под микросхему 3 и с токовыми контактами в виде токовых дорожек 9 свыводами 10, Основание 1 крепитсяна торце 11 ударного стержня 12 известным способом,Корпус микросхемы 3 устанавливают в выемки б также, чтобы планарныевыводы 2 легли на токовые дорожки 9.Эатем диэлектрическую планку 4 вместе с микросхемой 3 устанавливают наторец 11 ударного стержня 12, Планарцые выводы 2 ложатся на эластичное основание 1, Таким образом,планарцые выводы 2 верхней поверхностью контактируют с токовыми дорожками 9, а нижней поверхностью - с эластичным основанием 1, жесткость которого в 2-3 раза больше жесткостиэластичной прокладки 7. Между верхней поверхностью корпуса микросхемы3 и поверхностью эластичной прокладки 7 в пазу 8 имеется зазор 13, атакже имеется зазор (не показан)больший зазора 13 между ограничительными упорами 5 и торцом 11,С помощью двух винтов 14 и диэлектрической планки 4 сжимаетсяэластичная прокладка 7, обеспечиваянеобходимое давление на токовые дорожки 9 и на корпус микросхемы 3. Впервую очередь прижимаются токовыедорожки 9 к планарным выводам 2, апоследние в свою очередь - к эластичному основанию 1, затем по мере затяжки винтов 14 .выбираетсязазор 13, и эластичная прокладка 7плотно прижимает корпус микросхемы3 к торцу 11 ударного стержня 12.В последнюю очередь выбирается зазор между торцом 11 и ограничительными упорами 5, обеспечивая необходимое давление на корпус микросхемы.После этого диэлектрическая планка4 плотно прижата к торцу 11 ударного стержня 12, обеспечивая постоянное давление токовых дорожек на плацарные выводы микросхемы, а такжена корпус микросхемы 3. Так как жесткость эластичного основания больше жесткости эластичной прокладки 7, то сжатию подвергается в основном эластичная проклад. ка 7, а сжатие эластичного основания 1 незначительно, в противном случае наблюдается значительное перемещение выводов 2 относительно корпуса микросхемы 3 в результате вдавливания выводов 2 в эластичное осно= вание 1.Выводы 10 контактного устройства известным способом соединяют электрически с проверочным, электронным устройством (не показано).5При генерировации ударной волны в ударном стержне 12 корпус микросхемы 3, прижатый к торцу 11 ударного стержня 12, подвергается ударной нагрузке, в то время как планарные 10 выводы 2 и токовые дорожки 9, контактирующие друг с другом, защищены механическими фильтрами эластичного основания 1 и эластичной прокладкой 7, которые гасят ударную волну, 15 воздействующую на корпус микросхемы 3. Это предотвращает возникновение колебательного процесса выводов 2 и токовых дорожек 9, в результате которых может быть нарушение контак тирования. Кроме того, диэлектрический корпус в виде эластичного основания, диэлектрическая планка с элас тичной прокладкой могут подвергаться высокоицтенсивным ударньм перегрузкам (порядка 10 м/с) без видимых нарушений целостности контактного устройства, что выгодно отличает его от известных.В предлагаемом устройстве деформация выводов микросхем исключена даже при воздействии ударных нагрузок за счет того, что выводы расположены между эластичными материалами, а токовая дорожка на эластичной прокладке выполнена либо методом напыления, либо приклеиванием дорожек из фольги с подпаянными вертикальными выводами. Кроме того, ограничительные упоры диэлектрической планки исключают ее переме щение в процессе ударных нагрузок, сохраняя постоянное давление на выводы микросхемы, чего нет в известных устройствах.Таким образом, в отличие от из вестных в предлагаемом устройстве сключены деформация и колебательный процесс выводов испытуемых микрс- схем, что повышает надежность контактирования и позволяет проводить испытания интегральных микросхем50 ца ударные нагрузки большой интецсивности (до 10 м/с) с объемом информации (под электрической нагрузкой) в процессе воздействия импульса ударного ускорения. Все это расширяет эксплуатационные возможности предлагаемого устройства, так как позволяет проводить испытания интегральных микросхем не только в статике, но и в динамике.Применение устройства в космических аппаратах, в радиоэлектронных приборах и устройствах различного азначения приводит к необходимости повышения их потенциальной надежности, так как в реальных условиях эксплуатации они подвергаются воздействию интенсивньх ударных нагру" зок. Воздействие удара на интегральных микросхемах проявляется либо в нарушении механической прочности интегральных микросхем, либо в функциональном отклонении его эксплуатационных характеристик, поэтому конструкция ИМС должна быть достаточно ударопрочной, чтобы выдерживать заданный уровень ударного воздействия, и удароустойчивой, т.е. нормально функционировать во время и после воздействия ударной нагрузки.Ударопрочность и удароустойчивость определяют основные виды удар. ных испытаний, проводимых на стадиях проектирования, отработки, промышленного освоения и эксплуата ции интегральных микросхем. Предлагаемое контактное устройство позволяет проводить испытания интегральных микросхем на ударные воздействия под электрической нагрузкой, т.е. позволяет производить съем информации в процессе воздействия импульса ударного ускорения, Такие испытаний ИМС наиболее информативны, так как они приближены к реальным условиям эксплуатации ИМС. Кроме того, испытания ИМС на ударные нагрузки со съемом информации на стадии их проектирования повышают надежность ИМС, а следовательно, их качество, и сокращают технологические потери.1 Об 1.1 ИО ЦРи Составителв Е. ГавриловаРедактор 1. Ивцдкая Техред Л 1.Тепер Корректор и,;грасии пи свое анна ч 1 ПШ "1(атент", г. Ужгород, Ул. Проектная,каэ 1062/59 ВНИИПИ по 111035, 3 11 Госуда елам и осина,Тираж 8 ственно обретен 1.(-3 5, Р 5 П о комитета ССС й и открытий ушская наб д