Способ изготовления алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Оп ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоциелистическикРеспублик 1)005204(23) Приоритет Опубликовано 15;03,83, Бюллетень10Дата опубликования описания 15,03,83 вв илам изобретений н еткрцтнй(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АЛЮМИНИЕВЫХ ОКСИДНО ц ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ Изобретение относится к радиоэлектронйке и может быть использовано при изготовлении атюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов.Известен способ изготовления оксидно 5 полупроводниковых конденсаторов, включающий формирование анодов спеканием алюминиевого порошка в вакууме, электро- химическое оксидирование поверхности спеченного анода, покрытие этой поверх ности полупроводникового окисла, нанесение слоя графита, корпусирование и финишную термоэлектрообработку, которая заключается в выдержке конденсаторов прио85 С и номинальном напряжении в тече ние 30 ч, причем конденсаторы подключаются к источнику напряжения через последовательное сопротивление 5 кОм11.Однако этот способ не гарантирует ста.20 бильности электропараметров и надежности конденсаторов, что приводит к неудовлетворитепьным результатам периодических испытаний. Наиболее близким к предлагаемому по,технической сущности является способизготовления апоминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов, включающий термообработку конденсаторов поднапряжением при 80 90 о С 2,Однако псвышение напряжения: приработки выше номинального для, алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов вследствие их меньшей электрической прочности может привести к микропробоям, которые разрушают структуру анодной окисной пленки, созданной в процессеоксидирования, что, в свою очередь, может явиться причиной отказов в процессеэксплуатации готовых изделий. Кроме того, использование для контактированияпорошка двуокиси марганца вследствие егоконечного сопротивления (л 100 Ом)Гобуславливает токоограничение при приработке конденсаторов, которое не позволяет развиваться процессу разрушениятоком термоэмиссии области отрицательного заряда в объеме окисла и, следова 1005 гельно, не выявляет все потенциальноненажежные образцы,Цель изобретения - повышение стабильности электропараметров конденсаторов.Поставленная цель достигается тем, 5что согласно способу, включаюшему термообработку конденсаторов пож напряжениемпри 80-90 С, термообработку проводятв течение 2 ч, причем после первого часавыдержки конденсаторов пож напряженнем 16производят отключение напряжения на 3) мин,П р и м е р, По жействукяпей технологии изготавливают несколько партийконденсаторов номинала 30 В22 мкФв количестве 318 шт. После изготовления конденсаторы устанавливают в специальные кассеты, помешают в термошкафи выдерживают там при темперетче 82.+5 ф С н напряжении 30 В. Через 1 ч 26 204 4с момента пожачи напряжения прюизвожят отключение источника на 3 мин, после чего напряжение подают снова и конженса торы выдерживают еще 1 ч. Затем кассеты с конденсаорами вынимают из термо шкафа и после их остьваиия произвожят разбраковку конденсаторов по токам утечки е Результаты испытаний приведены втаблице,Из полученных данных вижно,что конденсаторы, изготовленные по предлагаемому способу удовлетворяют требованиям частных технических условий ОЖО 46 ,069 ТУ,в то время как конженсаторы изготовленные по известному способу 21 не ужовлетворяют зтим требованиям. Кремс того,выхоа годных по прежлагаемому способувыше на 5-8%7 1005204 8ф о р м у л а и з о б р е т е н и Г " проводят в течение 2 ч, причем послепервого часа выдержки конденсаторов подСпособ изготовления алюминиевых напряжением производят отключение напоксидно-полупроводниковых конденсаторов, ряжения на 3-5 мин.включаюший термообработку конденсато- Ф Источникй информации,ров под напряжением при 80-90 С,опринятые во внимание при экспертизеотличающийсятем,что,с 1, Технические условия ОЖ 0,464.096 ТУцелью повышения стабильности электро,параметров конденсаторов, термоэлектро. Патент франции % 2432204,обработку конденсаторов под напряжением 1 е кл, Н 016 9/05, 1980 (прототип).Составитель А, СалынскийРедактор М, Петрова Техред М,Тенер Корректор А ференцЗаказ 1916/72 Тираж 701 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб.,д. 4/5 филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4
СмотретьЗаявка
3332324, 01.09.1981
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8981
КРУГЛОВ ДМИТРИЙ СЕМЕНОВИЧ, РЕЗНИКОВ МОИСЕЙ ДАВИДОВИЧ, САЛЯКИН АЛЕКСЕЙ БОРИСОВИЧ, УЧУВАТКИН АЛЕКСАНДР ФЕДОРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01G 9/00
Метки: алюминиевых, конденсаторов, оксидно-полупроводниковых
Опубликовано: 15.03.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1005204-sposob-izgotovleniya-alyuminievykh-oksidno-poluprovodnikovykh-kondensatorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов</a>
Предыдущий патент: Вакуумный емкостный делитель напряжения
Следующий патент: Устройство для последовательного переключения переключателей
Случайный патент: Способ монтажа балки жесткости висячего моста