Устройство для получения пленок из расплава

Сфюэ СфеетскмнСфциалнсткческнэРеспублнк оо 997987 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(2 Э) Приоритет РМ Кт з В 22 Р 9/06 Государственный комитет СССР по делам изобретений н открытийРЗт УДК 621762224(088.8) Опубликовано 2302,83, Бюллетень йо 7 Дата опубликования описания 23.02,83 В.М.Глазов, Л.М.Павлова и Ю.В,Ятманов(72) Авторыизобретения Московский институт эл аявител нной те(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНИЗ РАСПЛАВА Изобретение относится к порошковой металлургки, в частности к устройствам для получения пленок и чешуй-. чатых порошковых частиц из распла." .вов металлов,сплавов или соединений.Йзвестно устройство для получе= ния пленок иэ расплава, .включающее кристаллиэатор, выполненный в виде врааающегося диска, Снабженного жидкостными охладителями, расположенными под его наружной поверхностью и плавильного приспбсобления 1).К недостаткам. данного Устройства относится отсутствие возможности проведения технологического процес" са в вакууме, что связано с необходимостью использования жидкостного,охладителя.Наиболее близким к описываемому цо технической сущности и достигаемому результату является устройство для получения пленок кэ .расплава, включающее кристаллиэатор с приводом вращения, коаксиальный нагреватель и .тигель, закрепленный ка штоке и . установленный соосно с нагревателем,. причем кристаллиэатур выполнен в ви", де полого цилиндра 21.К недостаткам данного устройстваотносится низкая скорость охлаждения получаемых плевок и связанная .с этим,нх значительная толщина, что . не обеспечивает достижения требуеьаях свойств материала (в частности при получении метастабкльных и аморфных фаз) .Цедью изобретения является повышее скорости охлаждения пленок иеньшение их толщины.для достижения указанной цели в устройстве для получения пленок кз расплава, включающем кристаллизатор с приводом вращения, коаксиальный нагреватель и -.нгель, закрепленный на штоке и установленный соосно с нагревателем, кристаллизатор выпол. нен с рабочей поверхностью в виде. шарового пояса, причем ось симметрии крксталлизатора смещена относктель но.оси привода.На чертеже показана схема устрой-. ства.Устройство включает вакуумную камеру 1, внутри которой помещен вибратор-кристаллизатор 2 с осью . симметрии,смещенной.относительно оси привода вращения, состоящего из электродвигателя 3 и шпинделя 4 Под .вибратором-кристаллизатором 2 расположен быстросьемный приемник 5 ни 10 Умпленок, В вакуумной камере 1 нахо"дится коаксиальный нагреватель 6,внутри которого установлен шток 7 сукрепленными на нем тиглем 8, амежду нагревателем 6 и вибраторомкристаллизатором 2 установлен дозатор 9,Устройство работает следующимобразом.Закаляемый сплав в виде измельченной шихты загружается в дозатор 9,из которого определенная порция сплава поступает в тигель 8, Вакуумнаякамера 1 герметиэируется, а послесоздания в ней вакуума она заполняется инертным газом, Тигель 8 с помощью штока 7 вводится в коаксиальный нагреватель 6, приводится вовращение вибратор кристаллизатор 2,и включается электропитание нагревателя. После плавления и нагрева закаляемого вещества до заданной температуры тигель с расплавом йри по-мощи штока вводится в зону, в которой с большой скоростью вращаетсявибратор-кристаллизатор 2, и расплав выбрасывается на его вибрирующую внутреннюю поверхность. Ударноевоздействие поверхности при встрече с расплавом способствует его распространению по всей внутренней поверхности вибратора в виде тонкой0пленки. При этом между образовавшейся пленкой и поверхностью цилиндра-кристаллиэатора сохраняетсятесный тепловой контакт, Основнаямасса получающихся пленок имеет равномерную и незначительную толщину. На данном устройстве получают пленки закаленного полупроводнико" вого сплава В 1 о 6 ЯЪТе, толщина которых составляет в основном 10 мкм. скорость охлаждения расплава составляет приблизительно 10 град/с.При использовании известного устройства скорость охлаждения расплава составляет 10-10 град/с, а толщина пленки колеблется от 30 до 150 мкм.Таким образом, применение описан" ного устройства позволяет повысить скорость охлаждения пленок и уменьшить их толщину.1формула изобретенияУстройство для получения пленокиз расплава, содержащее. кристаллиэатор с приводом вращения, коаксиальный нагреватель и тигель, закрепленный на штоке и. установленный сооснос нагревателем, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышенияскорости охлаждения пленок и уменьшения их толщины, кристаллиэатор выполнен с рабочей поверхностью в виде шарового пояса, причем ось сим.метрии кристаллизатора смещена относительно оси привода,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент СВй 9 3768551,кл. Г 28 Р 11/00, 1974.2. Патент США Р 3297436,кл, 75-134, 1972.ВНИИПИ Филиа каз 1018/19 Тираж 811 Подпис Ю ш еее тв аевФ П "Патентф,г.Ужгород,ул.Проектная,4