Способ однорядного обжига глазурованных керамических плиток

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик и 996386(23) Приоритет Опубликовано 15,02.83. БюллетеньбДата опубликования описания 16. 02.83(54) СПОСОБ ОДНОРЯДНОГО ОБЖИГА ГЛАЗУРОВАННЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПЛИТО Недостатк жига глазуро ток является затели сопро морозостойкоЦелью изобр сопротивлени стойкости пл я повышении морозония являе тираемост то Указанная цель достигается тем, что согласно способу однорядного обжига глазурованных керамических плиток, путем нагрева, выдержки при максималь. ной температуре 980-1080"С в течение 1-20 мин и охлаждения до 600 С в тече- . ние. 1,5 мин, от 600 С до 400 С в течение 3-15 мин, а до температуры ниже 400 оС - в течение 1,5-4 мин, после выдержки при максимальной температуре проводят дополнительное охлаждение до температуры перехода глазури в твердое состояние в течение 1-5 мин с последующим нагревом до температуры кристаллизации глазури в Изобретение относится к произ" водству изделий строительной керамики и может быть использовано при обжиге всех видов керамических глазурованных плиток,Известен способ однорядного обжи 5 га глазурованных керамических изделий путем нагрева, выдержки при максимальной температуре и охлаждения 1),Наиболее близким к изобретению является способ однорядного обжига керамических плиток путем нагрева по следующему режиму: от 400 до 700 фС в течение 3,5 мин, от 700 до 750 С в течение 0,5 мин, от 750 до 85 У С в течение 3,5 мин, от 8500 С до максимальной температуры 980-1080"С с последующей выдержкой при ней в течение 1-20 мин и охлаждением по следу- ющему режиму: до 600 еС в течение 5 мин от 600 до 400 оС в течение 8 мин .и ниже температуры 400 С в течение 4 мин 2,м указанных способов об-анных керамических плиотносительно низкие покаивления истираемости ити плиток.86 Т а б л и ц а.1 щтт тв ищтиСодержание окислов, 3и и иА 1 О ГеО СаО ИдО К 0 йа О В О ЕО ЕпО е итиГла:зурь 10,1,62 7,77 , - 5;00,78 7,74 12,985,20 22,00 8,60 бр 30 0,35 0,88 0,17 0,84 1,70 18,35 17,90 1,80 45,82 18,90 1,31 50,49 7,78 1,32 52130 2,10 3 9963течение 1 и 7 мин и выдержки при ней втечение 1-30 мин.Керамические плитки стандартныхразмеров глазуруют .методом поливаглазурями, состав которых приведенв табл. 1,,линии по способу прототипа и по предлагаемому способу.16Обжиг по способу прототипа.Высушенные глазурованные плиткинагревают до 400 до 700 С в течение3,5 мин; от 700 до 750 ОС в течение0,5 мин, от 750 до 850 С в течение3,5 мин, от 850 С до максимальнойтемпературы обжига;, до 1080 Сдля глазури 1, до 1040 С дляглазури 2 , до 980 С для глазури 3, Выдержки при максимальной температуре обжига 12 мин 10 мин и5 мин соответственно для глазурей1,2 и 3. Затем охлаждают до 600 С втечение 5 мин; в интервале 600-400 Со.в течение 8 мин, ниже 400 С в течеоние 4 мин.о.Обжиг по предлагаемому способу.Плитки, покрытые глазурью 1 обжигают по следующему режиму: нагревают от 400 до 700 С в течение 3,5 мин,от 700 до 750 С в течение 0,5 мин, ЗОот 750 до 850 С в течение 3,5 мин,ото850 С до максимальной температуры обжига 1080 С и выдержки при ней в течение 12 мин, затем проводят доползнительное охлаждение до 780 С - тем. 35пература перекода глазури в твердоесостояние .в течение 5 мин, а затем опять поднимают температуру до950 С -: температура кристаллизацииглазури в течение 7 мин и выдерживают глазури при этой температуре 13 мин, после чего охлаждают до600 С в течение 5 мин, от 600 С до400 С в течение 8 мин, а ниже 400 Св течение 4 мин.Плитки, покрытые глазурью 2 обжигают по режиму: нагревают до максимальной температуры 1040 С и выдерживают в течение 10 мин как в изи,вестном способе, затем охлаждаютдо 700 С - температура перехода глазури в твердое состояние в течение3 мин, а затем опять нагревают до92 ООС - температура кристаллизацииглазури в течение 5 мин и выдерживают при этой температуре 1 мин, после чего охлаждают как в известномспособе,Плитки, покрытые глазурью 3 обжигают по режиму : нагревают до максимальной температуры 980 С и выдерживают в течение 5 мин как визвестном способе, затем охлаждаютодо 630 С - температура переходаглазури в твердое состояние в.теичение 1 мин, а затем опять нагревают до 890 С - температура кристаллизации глазури в течение 1 мини выдерживают при этой температуре30 мин, после чего охлаждают как визвестном способе.В обожженных плитках с использованием рентгенофазового анализа определяют содержание кристаллических фаз в глазурях, а также показатели свойств плиток по соответствущим методикам. Результаты определений приведены в табл.2.Как видно из табл, 2 использование способа обжига глазурованных керамических плиток позволяет повыситьпоказатель морозостойкости плиток иуменьшить истираемость глазури,:996386 Т а б л и ц а 2 Показатели свойствплиток обожженныхпо с 1 юсобу Свойств г/смЯ,Истираемо 0,06 0,05 0,052 Более 50 Более 50 Более 50 орозостойкость,иклы попеременого замораживанияоттаивания 0 3 39 20 18 12 е кристалличе их фа проводят дополнительное охлаждение до температуры перехода глазури в твердое состояние в течение 1-5 мин с последующим нагревом до температуры кристаллизации глазури в тече-.ние 1-7 мин и выдержки при этоЮ температуре в течение 1-30 мин.Источники информации,принятые во"внимание при экспертизе1. Будников П. П. и др. Химическаятехнология керамики и огнеупоров.И., Стройиздат, 1972, с. 460-462.2. Авторское свидетельство СССР 3 11 356260, кл, С 04 В 33/32, 1967 Составитель Л, ГостеваТехред И. Гергель Корректор О. Билак актор И. И овк еа мЕЩ ВЕЖЕМЕЕЕ т аказ 831/34 Тираж 620 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035-, Москва, Ж-.35, Раушская. набПодпис оектная, 4 илиал ППП "Патент"; г. Ужгород,Эформула изобретенияСпособ однорядного обжига глазурованных керамических плиток путем нагрева, выдержки при максимальной температуре 980"1080 С в течение 1-20 минои охлаждения. до. 600 С в течение 1,5- 5 мин, от"600 до 400 С - в течение 3-15 мин, а до температуры ниже 400 С - в течение 1,5-4 мин, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения сопротивления истираемости и морозостойкости плиток, после выдержки при максимальной. температуре едлагаемому 1 Прототипу Я 0,01