Свч-прибор о-типа

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ ССЩ ИЗО БРЕТ ВИДЕ АВТОРСКО ТВ(71) Научно-исспедовательсюе институти физики при Саратовском государст СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИКИзобретение относится к электроникеСВЧ. а более конкретно к мощным электровакуумным приборам О-типа.Известны СВЧ приборы О-типа с магнитной фокусировкой, в которых для предотвращения значительных пульсацийэлектронов в предколлекторной области,обуславливаемых наличием магнитных полей рассеяния постоянных магнитов на участке между областью взаимодействия иколлекторной системой, и обеспечения равномерного токооседания на поверхностиколлектора используют вспомогательныемагниты и магнитные экраны, охватывающие коллектор.Недостаток таких конструкций - большой вес и габариты коллекторной системыи, следовательно, всего прибора в целоМ.;20Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому является СВЧ прибор О-типа, .содержащий магнитную фокусирующую систему с полюсными наконечниками, коллекторную систему, устройствопреобразования магнитного поля, расположенное соосно пучку на участке между коллекторной системой и ближайшим к нейполюсным наконечником.В приведенной конструкции с уровнеМполей рассеяния основного магнита порядка 0,05 Тл с помощью вспомогательногомагнита с весом, составляющим 25% веса 35основного магнита, удается осуществить реверс поля в межполюсном зазоре вспомогательного магнита и снизить уровень полей востальной части коллекторной системы дозначений 0,001 Тл, . 40Однако в ряде мощных СВЧ приборовО-типа, когда величины полей в рабочей области,.составляют 0,6-0,7 Тл и более, в полярассеяния 0,25-0,35 Тл и более, т,е. присущественно более высоком уровне полей и 45соизмеримости полей рассеяния и полей врабочей области, не удается осуществитьхороший реверс магнитного поля.Это, в частности, связано с тем, что притаких величинах индукции магнитных полейпроявляется насыщение полюсных наконечников, что не позволяет обеспечить резкий переход в точке смены полярностей. полей от рабочей области в область полей 55рассеяния,Кроме того, если бы даже и удалось осуществить реверс магнитного поля, то этодля рассматриваемых полей потребовалобы использовать дополнительные магнитыиз дорогостоящего материала (преимущественно самарий -кобальтгцые сплавы), Следует также отметить существенные конструктивные трудности в размещении дополнительных постоянных магнитов,Целью изобретения является увеличение значений преобразуемых магнитных полей рассеяния,указанная цель достигается тем. что в СВЧ приборе О-типа, содержащем магнитную фокусирующую систему с полюсными наконечниками, коллекторную систему, устройство преобразования магнитного поля, расположенное соосно на участке между коллекторной системой и ближайшим к ней полюсным наконечником, устройство преобразования магнитного поля, расположенное соосно пучку на участке между коллекторной системой и ближайшим к ней наконечником, устройство преобразования магнитного поля выполнено формирующим магнитное поле рассеяния по следующему закону:В = (0,15-0,3) Во (на краях участка преобразования и протяженностью 10-30 указанного участка);В = (0,05 - О;15) Во (в остальной. части участка преобразования),где Во - величина магнитного поля в рабочем зазоре прибора;В - величина магнитного поля рассеяния.В случае преобразованного поля по предложенному закону электронный пучок по выходе из области взаимодействия проходит переходный участок, на котором величина поля сначала уменьшается от его значения в рабочей области (0,6-0,7 Тл) до нуля и затем снова нарастает. На этом переходном участке происходит увеличение диаметра пучка, что, в свою очередь, приводит к резким пульсациям пучка.Для предотвращения возникновения пульсаций (с помощью введения в эту область еще одного устройства, например тонкостенного профилированного цилиндра). распределение магнитного поля рассеяния видоизменяют так, что на начальном участке устройства магнитного поля создается узкая зона с уровнем поля, большим, чем в остальной части указанного участка ("всплеск") поля). Максимальное значение уровня поля в узкой зоне составляет 15- 30 от максимального значения поля в рабочем зазоре (0,1-0,15 Тл),Величина "всплеска" поля подбирается такой, чтобы расходящийся электронный пучок в этой зоне фокусировался и обеспечивался бы параллельный влдл (или слегка сходящийся) его в остал нч 1 ч;,:, ласткв(56) Патент США М 3153 Т 43, кл, 31510 5,38, 1964, Патент США М 3368102, кл, 315-3. 1968, Патент США В 3450930, кл. 31-3,5, 1969,Формула изобретения 15 СВЧ-ПРИБОР О-ТИПА, содержащий магнитную фокусирующую систему с полюсными наконечниками, коллекторную 20 систему, устройство преобразования магнитного поля рассеяния, расположенное сооснр пучку на участке между коллектор- . ной системой и ближайшим к ней полюсным наконечником, отличающийся. тем, 25 что, с целью увеличения значений преобразуемых магнитных полей рассеяния, устСоставитель М.ХесинТехред М.Моргентал Корректор П,Гербаи Редактор Т.Кузнецова Заказ 3349 Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035. Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-иэдательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 преобразования поля рассеяния и тем самым предотвращалось бы возникновение резких пульсаций пучка,Одновременно со "всплеском" поля на начальном участке образуют примерно такой же по величине "всплеск" поля на конце устройства преобразования поля рассеяния, который обеспечивает фокусировку и ввод пучка в коллектор прибора.СВЧ прибор О-типа с указанным распределением магнитного поля является более экономичным за счет того, что устраняются дорогостоящие самарий-кобальтовые магниты и, кроме того, позволяет осуществить преобразование магнитных полей рассеяния порядка 0,2500 0,300 Тп, что в 5-6 раз больше, чем в известном техническом решении. ройство преобразования магнитного полявыполнено формирующим магнитное полерассеяния по следующему закону,8 - (0,15 - 0,3)Во на краях участка преобразования и протяженностью 10 - 30укаэанного участка;В -(0,05-0,15)Во в остальной части участка преобразования,где Во - величина магнитного поля в рабочем зазоре прибора;В - величина магнитного поля рассеяния.