Амплитудный селектор

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоаетскикСоциалистическихРеспублик 970668(23) Приоритет Н 03 К 5/153Н 04 И 5/08 ГосуларстаеиныИ комитет СССР по ледам изобретениИ н открытиИОпубликовано 3010,82, Бкзллетекь Мо 40 Дата опубликования описания 30.10.82 3 УДК 621 373ок схемыаетсяравен 1Изобретение относится к импульсной технике и телевидению, в частности к устройствам отделения синхронизирующих импульсов от видеосигнала,и предназначено для использования втелевизионных .системах различногоназначения.Известны амплитудные селекторы,в которые для исключения влиянияразбросов элементов схеью на уровень 10отсечки селектора, вводятся цепи,обеспечивающие отдельное выделениенужного уровня отсечки, и затем сравнивающие с ним входной сигнал ( 1).Однако эти цепи требуют управле"ния синхронными сигналами, что ухуд"шает такие параметры схема как время вхождения в синхронизм, устойчивость к воздействию помех. Кроме того, схема содержит значительное количество конденсаторов, что затрудняет ее выполнение в виде интегральной микросхемы,Наиболее близким к предлагаемомУявляется селектор, который содержиттранзистор отделения синхроимпульсов.База транзистора подключена к генератору тока и через переходной конденсатор связана с входной шиной ( 2.В этой схеме ток базы транзистора во время синкроимпульса, заряжаю" щий переходной конденсатор, являетсвеличиной постоянной, так как токразряда этого конденсатора между импульсами стабилиэирован генераторомтока, и тем самым устраняется влияние разброса параметров входной (базовой) цепи на стабильность работыселектора. Недостатком из вестного устройства является зависимость качества селектирования от параметров коллекторной цепи и усиления транзистора, разброс которых влияет на величину тока базы1 и С ) р пРИ кОторой пРОисхоДитб ОТСотсечка части синхроимпульса за счет насыщения в коллекторной цепи, т.е, влияет на уровень отделения (отсечки) синхроимпульсов в селекторе 1 к с Вк = Е, так как Чяк -- 1 Ка в режиме насыщения Ч= - ЕЕ 1 т = Н, гДе Е - напРЯжеЕотс Н р фтания, Нк - сопротивление коной нагрузки; Чяк - напряженНк) " коэФфициент усилениязистара по токут 1, А,С в 1 .коллектора в режиме насыщениВ кристалле интегральнойс высокой точностью выдерживсоотношение сопротивлений иство коэФфициентов усиления транзисторов одинакового типа проводимости, но от кристалла к кристаллу этипараметры меняются с разбросом до+50%. Поэтому н известном селекторевеличина 1 и уровень отделениясинхроимпульсов могут изменятьсяв значительных пределах.Цель изобретения - повышениестабильности :електора и, следова-тельно, качества синхронизации, засчет исключения влияния разбросовпараметров элементов на уровеньотделения синхроимпульсов.Поставленная цель достигается тем,15что в амплитудный селектор, содержащий первый транзистор, база которого подключена к генератору тока ичерез переходной конденсатор соединена с входной шиной, введены второй транзистор, к базе которого подключен второй генератор тока, и третий транзистор, база и эмиттер которого соединены с коллекторами первого и второго транзисторов соответственно, а коллектор подключен к выходной шине, причем первый и второйтранзисторы имеют одинаковый тип проводимости.На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства,Устройство содержит первый транзистор 1, первый генератор 2 тока,переходной конденсатор 3, второйтранзистор 4, второй генератор 5 то- З 5ка, коллекторные резисторы б и 7первого и второго транзисторов,третий транзистор 8 с коллекторнымрезистором 9.Устройство работает следующим . 40образом.При воздействии синхроимпульсовна коллекторном резисторе 6 первоготранзистора 1 возникает напряжениеЧ -- 1 В, где 16- так базытранзйстора 1; Ъ - коэффициентусиления транзистора 1; К - сопротивление коллекторного резистора б. Этот потенциал подается на базу транзистора 8, при этом на его эмиттер заведено запирающее напряжение, создаваемое током транзистора 4 на резисторе 7 Ч 7- 1 , Н где 1 с - ток генератора 5 тока;коэффициент усиления транзис тора 4; В 7-сопротивление коллектор- ного резистора 7.При равенстве потенциалов на резисторах 6 и 7 транзистор 8 откроется, и на его выходе появится сигнал. 60 Условие появления выходного напряжения независимо от параметров транзистора 8) имеет вид Ч =Ч или 60 тс 14 6Р,4 7 гДеьОтО значение тока базы транзистора 1, 65 соответствующее появлению импульса на выходе схема, Отсюда1 6 д В 7 .,Рз Й 7Готе р Н бН.Так как внутри кристалла коэффициенты усиления одинакового типа проводимости транзисторов равны, а соотношения номиналов резисторов выдерживаются с высокой точностью, тоЙч"В, Нвгде 16. и -- постоянные величины.ВОтсюда 1 ботс= сопят.Следовательно, уровень отсечки не зависит от разбросов элементов схемы и определяется только постоянными величинами - соотношением номиналов коллекторных резисторов 6 и 7 и величиной тока генератора 5 тока.Таким образом, введение второго транзистора, к базе которого подключен второй генератор тока, и третьего транзистора, база и эмиттер которого связаны с коллекторами первого и второго транзисторов, а коллектор связан с выходом устройства, при этом первый и второй транзисторы имеют одинаковый тип проводимости, отличает предлагаемы амплитудный селектор от прототипа тем, что стабилизация уровня отсечки происходит не только за счет исключения влияния на него разброса параметров входной цепи, но и за счет исключения влияния на него разброса параметров транзисторов и элементов выходной цепи.Достигаемая при этом стабилизация уровня отсечки синхроимпульсов позволяет повысить качество селектирования и синхронизации при упрощении . требований к технологии изготовления схем, повысить процент выхода годных микросхем, а также исключить необходимость установки внешних устройств селектирования.Применение предлагаемого устройства повышает стабильность уровня отсечкиФормула изобретенияАмплитудный селектор, содержащий первый транзистор, база которого подключена к генератору тока и) через переходной конденсатор соединена с входной шиной, о т л и ч а - ю щ и й с я тем, что, с целью повышения стабильности, в него введены второй транзистор, к базе которого подсоединен второй генератор тока, и третий транзистор, база и эмиттер которого соединены с коллекторами первого и второго транзисторов соответственно, а коллектор подключен к выходной шине, причем первый и вто970668 агурин Корректор В. Прохнен ель .Мы оста ехре едактор Н.Ковалев Подписнкомитета СССРи открытийаушская наб., д. 4/5 к лиал ППП Патентф, г, Ужгород, ул, Проектная рой транзисторы имеют одинаковыйтип проводимости.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 424/75 Тираж 95 ВНИИПИ Государственно по делам изобретен 113035, Москва, Ж, кл. Н 2. кл. Н