Датчик магнитного поля вальтаса и. а.

и 928269 ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоввтсннхСоциапнстнчвсннхРвспублнн.(Бт)М, Кл. С 01 й 33/02 3 Ьоудоретвснкый коиктет СССР до делам изаоретенио н открытка(5 З) УДК 621.317,44,088.8) Дата опубликования описания 1 5 05 . 82 И.А. ВальтасВильнюсское отделение Всесоюзного научно-исследовательскогопроектно-конструкторского и технологичвского института1;малых элект ических машин "АД(54) ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ ВАЛЬТАСА И.А. Изобретение относится к приборо" строению и может быть использовано в устройствах автоматики и измерительной технике. Известен датчик магинтного поля, содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами, установленными в ее торцах, и областью с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока, располо 6 женной на одной из граней пластины и занимающей половину ее площади, выходной электрод, установленный между областями с различными скоростями поверхностной рекомбинациит носителей тока 11. Недостатком известного датчика ,является сравнительно низкая чувствительность к магнитному полю из-за малого пути прохождения носителей тока и однопорядкового изменения сопротивлений обеих частей пластины. Цель изобретения - повышение чувствительности датчика магнитного поля.Для достижения поставленной цели в датчике магнитного поля содержащем полупроводниковую пластину с токовыми электродами, установленными на ее торцах, двумя, равными по площади, областями с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока, на одной из граней выходной электрод на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токо- проводящий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани токопроводящим растром.Кроме того, для наибольшего увеличения чувствительности, скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выбраны из соотношения м/ЯД.20, где Яг - скорость по10 формула изобретения1, Датчик магнитного поля, содер"жащий полупроводниковую пластину с то.ковыми электродами на ее торцах,1 з двумя, равными по.площади областями с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока,на одной из граней выходной электрод,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,рв с целью повышения чувствительности,на половине грани полупроводниковойпластины выполнен токопроводящийрастр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинацииц носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром,2, Датчик по п,1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что скорости поверхностной рекомбинации носителей токавыбраны из соотношения Ч 8 ф ъ ГВгде Я , Я 2, - скорости поверхностной рекомбинации носителей токасоответствующих областей,Источники информации,т принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССРйф 574012, кл. С 01 С 33/02, 1975 3 92верхностной рекомбинации носителейтока одной области, Я- скоростьповерхностной рекомбинации носителейтока другой области.На чертеже изображен предлагаемый датчик.Датчик содержит полупроводниковую пластину 1, к торцам 2 которойприсоединены электроды токовые 3.Грань 4 пластины 1 имеет область 5с повышенной и область 6 с меньшейскоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, занимающиесоответствующую половину площадиграни 4. На половину грани 7 пластины 1 нанесен токопроводящий раст 8крайний проводник 9 которого служитоснованием выходного электрода 10.Отношение скоростей поверхностнойрекомбинации области 5 и области 6выбрано не меньшим двадцати. Скоростьповерхностной рекомбинации на грани 11, параллельной грани 4, такаяже как в области 6,Датчик работает следующим образом.При воздействии магнитного поляпараллельно грани 4 на пластину 1, покоторой между контактами 3 и по растру 8 протекает электрический ток,происходит перераспределение носителей тока в сбчетании между гранями 4 и 11. При этом изменение сопротивления части 1 с растром 8 значительно превышает изменение сопротивления другой части пластины 1. Разносный сигнал частей пластины 1 пропорционален значению напряженности воз 8269 фдействующего на датчик магнитного поля.При отношении скоростей поверхностной рекомбинации насителей тока, не меньшем двадцати, чувствительность на два порядка превышает чувствительность датчика, выбранного в качестве прототипа.акто 57 Тираж 719 Под ВНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раувская наказ исноеССР 4/5 Ужгор Филиал ППП "Пате л. Проектная Составитель Ф.ТарнопольскаяарФенова Техред Т. Фанта Коррект