Транзисторный ключ

по делам нэобрете ткрыт 2) Автор. П. Гончаров, М. Г. Греул, А. В. Ер Ю. Д. Сакара и Г. М. ькоуст фа обретен арьковский ордена Ленина политехн им. В. И. Ленина171) Заявитель сКии инст тут 4) ТРАНЗИ НЫЛ КЛЮ ный транзистор подключения ис пряжения, прич сформатора пол дам источника т то ична ров устройства заклюх мощности на упаток данног ольших поте чается в бравление.Цель изобретени путем уменьшения м также обеспечения ки между источнико жения и силовой цеп Для достижения поставленной цели в состав известного транзисторного ключа введен дроссель, первичная обмотка которого включена между средней точкой указанной вторичной обмотки трансформатора и обьединенными эмиттерами силовых транзисторов, а вторичная обмотка дросселя через указанный дополнительный транзистор подключена к выходу введенного выпрямителя, подключенного входом к указанной дополнительной обмотке трансформатора. Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в качестве силовых ключевых элементов устройств преобразовательной техники, в частности в автономных инверторах.Известен транзисторный ключ, состоящий из двух включенных параллельно транзисторов с обмотками положительной обратной связи по току нагрузки 11.Недостаток этого устройства заключается в том, что он обладает низким КПД, так как работает в автоколебательном режиме, силовые транзисторы в каждый полупериод модуляции выходят в активный режим, что приводит к значительным коммутационным потерям.Кроме того, такие устройства не работоспособны при малых коллекторных токах, так как ток управления, который в первом приближени пропорционален коллекторному току, может оказаться недостаточным для отпирания силовых транзисторов.Наиболее близким к изобретению является транзисторный ключ, содержащий два силовых транзистора, включенных параллельно, трансформатор с первичной вторичной и дополнительной обмотками, дополнительсвязанныи с выводами для точника управляющего на ем первичная обмотка тран ключена к выходным вывоока переменной полярности к базам силовых транзисто - повышение КПД щности управления, а льванической развязуправляющего напряю транзисторного клю 902176,П Рсв.)С 1 И 5 Ко(РО ПО,3 КЛ КСЦД К ИСТОЧИ И.К С МПРс 1 ВГ)5(10 ПЕП) 3(ацР 51 ЖСИ, ЗРИСМПСРЕЗИ)н с 51 )бМОКс 3 Рс)НСфОР)с)ТОРс) СО.,Дц.НСПс С ЕЗ)ХО,(ОМ ИСТО 1 ЦИКс 1 ( КД 3)СРЕ 1(ПИЛИ31(.ЯРЦОЛИ, с 1 В Г)РИ 1 нс 1 Я К 6 сЗ)Х 1 СцгОБЫК1 ) с 31)з) с) р Б, Бв с.СС 1 Дрс .сг 1,), 31( рв) ч г с 3 530 0 м 0 )к с) 13) к(р с)О ез кл к) ч с 3 с м сж,з с р с;ней точкой у кдзапнсй )5) орич)к)й ос)могкгр;днеирмдтор; и 061 с;инеи)3 ыми д 1)г) сгМ 1 сЛ 0 Б Ы Х Г Р3 3 И СО Р 0 В, с) В1) 1 13 с 5 1 506 мтк 3 1 1 лрс сс. 53 чсрсз мказа Н 1 Ь)Й,0.п).)пите.)ьпь Й ГРдн:ЗистР по,кг 1)0 ес 3 к )дь -х))ЗБс,с)п)030 вь 3 прямиГс,3 12, к кр,)и 13 и 11 к)см зтоР) ч)ОЙ обмоК РсднсфоР с -тОРД ПСЛКЛЮЧЕНЫ ВСТРЕЧНО ПОСЛЕ 1 ВсдтЕЛЕП),вс 1 СГ 36.ЗИТР)с 1 13.)БПОС Про) СКсНИС ГОКд Пдр ЗКИ.1 ри ать 1 сс).50 выи Гк Б кажль)и полсп(30ри;.Ир;)Б,)е;)ия си,оных грдцзисторов про 3,) .)О К 3 ГС )М В 1 (Р 1Зс 5 61Кс) 1 1)Зуюпсго грдцзилорд 1.ри пнтх пск нии отпираю)псго си) цал;и стО и и кед г н д ми Р с 3 вг 1 5 Н) пси и пс Рсхо;,ополцпгсльнн о транзистора 6, пос,)етеийО) КрЫВсСГС И КО ВторИЧПОЙ 06 МОТКСг 1 ЛрОСсе,)я ) 3 рикг)дл 3)ется напряжение лополципльноЙ оомогки 6 ссрез выпр 51 мите;)ь 12Это ризо,ит к появлсник) импульса напр 51 ж(гии 51 нд Б 10 ричцОЙ 00110 ткс 1 1;1 россел 53,) с И 0,1 ЯРНО.т)к), г ксдзс 1 ННОЙ ца сРтеже,по вызывает форсированно( запирдние транзисторов 1415,дд.7 Ь)1011 1)Сг ВЬ) Кгцо(г)П)ОС СОСОЯ 1(рднзисторов 1 обеспечивается замыканиемобмотки 0 трансформатора 2 по ко)турх лоПО,1 НИТСС 7 ьдя ООМОТКс 3 О, Б 1 ПряМИТЕЛЬ 12,ополнитсльцыи ранзис гор 6 исрвичная обмотксд 1 0ГД КИМ 06 Рс:ЗИМ, ЕЗЫ КГ)Ю 1 С 1)ЦОС СОС )ЯСт Р д 1)з 53 с т 0 Р О Б 1 1) ж с Г и О,д с Р к и Б д т ь с 5 к д кг 0(НО 70 ПО, РИ ПОСТС ПЛ(.)11 И ОТ ИСТОП)И Кс 3 7 ,П Рс ВляюпЕС го напряжения запираюпЕС го сигна.и на управ.51 к)п(ИР ИерехО:1 доолнитсгь.ИО; О ТрсдцЗИСторд 6, ПОСГЕТ(ПЗЙ:ЗаКрЬВаЕ)С 5и на обмгкдх Г) и 11 лрс)сселяпоявлясС 5 ЗДС. СЧ 1 МОИ 13;М КИ И С П,75)РНССТЬЮ ПРОтивополож ной указац ной на чертеже, что ПРИВО,СИт К )ОРСИРОВа)НОМУ ОП)ИРаНИЮрс)пз 3 с ГОров 1 агес зс 1 11 кцутос сосоя 333(. тр;пзпсгорпого ключи 3)о лс рживдется зд СЧСГ Поос)СРЕ,)ОГО ПС РЕКЛЮЧСНИЯ СИ.ВЫХ грдпзиспров 1 )нл водлеисгвисм источника г( )ОКс.11 ри Запирании рдцзисторов 1 могут БО:5 ЦИК)3"ГЬ )М)гГ)ЬСЬ) ООРсЗТПОО 3 аПРЯЖЕ- ц И 51 )сд 6 с 1 ЗО. а "3 ИТТСрНЫ Х СрЕХО Тдк СИГ 0- вых транзисторов 1, превышак)шие преле.)ь- НО- ОПге 1)МЫС Знс 1 ЧСЦ 135(., СГя ПРС;10 ТВРс 1 П(.- нця Езь)хо;1 из л роя укд;данных транзисоров целесообразно использовать трсд,тиси 1 1 1) С 5 с) 1И Т 1 Ы (г 3 1 С 31( 11 с 1 гР 3г) С, С Г Д 0 3 Г И Т ропы)КД СС 3)ЗС ИС)ОЧНПКс)8 ОКД МОжс) ОЫтЬ 1С 3 3 ( ), ) Ь:5 0 В гд ) 1) С З а Б 1 3 . 3 1 Ы И 1 Тс ) 1 И К) С Х С 11 (И1 (3 51 Р1 О С Г 1 1, с 3 Т с 3 К ж С К (М 0 1 1 3 а11 51 НЕЗаБИС)МОГО ИСТОИКсД ЦБПРжЕНИЯ И (и)- х)оток трс)не)орматорс) 2, вклн)чс нных в си- ,ЗОБЬ)( ПСПц СИ,)ОВ)Х ТРс 11 ЗИС"ГОРОВ 1, Б ПОС. лепном случде обеспсчи Бдл ся пропорцио- Е)сЗГПЕ)ОСТЬ )ОКс 6 с 1 З С 1 ГОВЫ Х ТРДЦ 5)СГОР)ЕЗ ИХ К),1,СКГОРПЬМ )ОК; "1.1 дк 1 м Оорсдзом. И.506 рс с Ис по:Бог с т ПОБЫСИТ Х 1, , ПТЕММС и Ьц)(г 3 И 53 МОПС- )ОСТИ Х ПРДВЛСгцц.; Т;ЗКЖ(г Н)ЕСПСгс(ИВавт с, Ьвс 113 ЧССКМО РсЗЗБЗКМ Меж,Тг ИСТ(1 НИКО 1 ( ПРс)БЛ 5)ОПС О ПсДПРЯЖСгНИ 51 И СИЛОВОИ 1 31Ю 1 Р с 1:5:СО Р 1(Г 0 КГ Ю 1 с),Ф).СС/.П ггс:стгг1 Рсд и 5)с тОРцы 3 Кг к)1, с 0,сР+ д)331 и 7 да СИГБЬХРс)Е),ЗЦСТОРД, БК.10 ЧС.)ЦЫХ 33 с)Рс 1 Г - лс ль)0, 3 рдисформд гор с нсрви чной, вторичои и,Опо 1)иГс.ьцои 06 МО)кмиопогни. ТСГц ЦЬЗЙ ТРСн:5 ИСТОР, 1 СПЕ УПРдвс)(гЕ)ИЯ КОТОРОГ ПОЛК,1 К)ЧСНа К ИСТОЧ 13 ИКУПРсБГ)51 КП(.ГОс) 5 ж (.1 И Я,Р 1С гЕ Р Б3 1)а Я ОМ ОТ К с 3 ТРсд)ЗСфОРМЗТОРс СО(.,З,ИЦС.1 а . БЬ)ХО;ОМ 1 С- гочникд тока перемснпой по.)ярносги, а вторичная с бдздми силсвых грдцзилоров, Гт.)ССсССОЩССССС.С тС М, ЧтО. С ПСЛЬЮ ПОВЫШЕ- ния хПД 3)тем уменьшения моп 1 нсвп) упРс БГИ.3(И 51, сД ТД КЖ(г (ОССПСЧС ЦИЯ 3 Д.1 ЬЕЗс 1 ЦИ. 1( С К) Й Р с 1 З В Я 3 К И М С Ж,М И Г 0 Ч 1 И К 0 МП Р Д Б- ляюще 0 напряжения и с)ло)зой непьк) транзистор)вп клк)чд, 35 де,зс н Лроссель, пер- ВИнс 51 06 МОТКс КООРОГОН БКГ)К)3.11 а 1 СЖ,3,) сре;)ей то кой укдзап)вй вторичной обмо 1- ки тр;днсформд гор и (ньелинснцыхи ми 1- гсрами си,ввых транзисторов. д Бторичцдя Обг 0 Кс,(РОССС,)Я )С РС 3Кс 33 с ПЦЫИ,ОПО.) 13 ИТСЛЬНЫЙ ГРДЗЗИ.ОР ПО;К.ЮЧ(.НД К БЫХО. Дг, ввете 1 3)ГО Б 1 ИР 53 51 итсл Я, 3)о,дкг к)чс 1 ИОГО Зхолом к х казанной,ополциге,)ь)вй огхот- К С Г Р с 3 13 С фО Р М с 1 ТО Р а .Источники информации.Н Р И П 53 Т 1 С БО В 3 И М сД Ц И Е П Р 3 Д КС П С Р Т И З С 1. Лезторскос сви и те пс"г)зс Г.(Л.РСоставитель Н. Цишевская Редактор М. Янович Техред А. Бойкас Корректор Л. Бокшан Заказ 1241367 Тираж 718 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4