Балансный модулятор

О П И С А Н И Е ,898586ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(53) ч Чх бо 376 .2 (088,8) по делам изобретений и открытийДата опубликования описания 15 01 82(54) БАЛАНСНЫИ МОДУЛЯТОР 1Изобретение относится к модуляторам и может использоваться в радиоприемных устройствах для восстановления несущей частоты и в радиопередающих устройствах для получения модулированных сигналов при широкополосных модулирующих сигналах.5 Известен балапсный модулятор, содержащий четыре транзистора одного типа проводимости, эмиттеры первого и второго транзисторов через частотно-зависимое звено отрицательной обратной связи соединены с эмиттерами третьего и четвертого транзисторов, базы первого и червертого, второго и третьего транзисторов соединены соответственно с выходами первого и второго входных согласующих узлов, коллекторы второго и третьего транзисторов соединены с входами выходного согласующего узла, а коллекторы первого и четвертого транзисторов соединены между собой 1.Однако известный балансный модулятор имеет невысокую помехоустойчивость по отношению к спектральным составляющим 20 широкополосного модулирующего сигнала.Целью изобретения является повышение помехоустойчивости по отношению к спектральным составляющим широкополосного модулирующего сигнала.Для этого в балансном модуляторе, содержащем четыре транзистора одного тина проводимости, эмиттеры первого и второго транзисторов через частото-зависимое звено отрицательной обратной связи соединены с эмиттерами третьего и четвертого транзисторов, базы первого и четвертого, второго и третьего транзисторов соединены соответственно с выходами первого и второго входных согласующих узлов, коллекторы второго и третьего транзисторов соединены с входами выходного согласующего узла, а коллекторы первого и четвертого транзисторов соединены между собой, между точкой соединения коллекторов первого и четвертого транзисторов и шиной питания выходного согласующего узла включено дополнительное частото-зависимое звено отрицательной обратной связи.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного модулятора.Балансный модулятор содержит четыре транзистора 1 - 4 одного типа проводимости, частото-зависимое звено 5 отрицательной об ж)8586рдпнй с, ) 6 и втрой 7 входные а цш,ы, выходной согласуюший узег " ц .нцительное часгото-зависимое зв н . р, дтельной ооратной связи.1 л,ц,й модулятор работает следуюцч цр,дом.Сицдл, подлежащий модуляции (демод.гции) через второй входной согласуюий узел подастся на оазы второго 2 и гретьего 3 транзисторов в противофазе. Низкочас готный широкополосный модулирующий сигнал подается через первый входной согласующий узел 6 на базы первогои чевертого 4 транзисторов также в проти. вофазе, что обеспечивает поочередное включение второго и третьего транзисторов. Включе:цое в высокоомную цепь коллекторов внрси третьего транзисторов дополнигел цс чдстото-зависимое звено 9 отрицагсльцой обратной связи (например царал. ,нлшъи колебательный контур), настрое- ие цд высокую несущую частотч, создсет дк цмальцую отрицательную обрдтцуо сязь для составляющих спектра низкочаст, ного широкополосного сигнала модуляии ца частоте настройки звена. При этом учецьшается коэффициент передачи второ о и третьего транзисторов в полосе пропускпня звена, и ца выходе балансного моду, ятора падает величина составляющих спектра модулируюгцего сигнала, совпадаюцих с несуцей частотой, и, следовательно, гнвышается помехоустойчивость устройства и: отношению к этим сстдвляющим спектра.Работа устройства в качестве демодулягорд аналогична. При этом на торой входной соггсукций узел 7 постпает фазомдцгчл 1 дцц, вьсокочастотцый сигнал, и цд первый входной согласуюший узел 6 поступает сигнал манипуляции, совпадаюший с сигналом манипуляции входного фа зоманипулироваццого колебания. При этом в выходном согласующем узле 8 происходит выделение незатухающего колебания (восстановление несущей частоты).Частото-зависимое звено 5 отрицательной обратной связи включено в эмиттерные всех четырех транзисторов.Структура частото-зависимого звена отрицательной обратной связи 5 выбрана так, что оно имеет минимальное сопротивление ца частоте выходного сигнала и обеспечивает тем самым минимальную обратную связь для высокочастотного выходного сигнала во втором и третьем транзисторах, т. е. максимальный коэффициент передачи выходного высокочастотного сигнала. Это же частото-зависимое звено 5 позволяет также частично ослабить составляющие спектра широкополосного сигнала манипуляции, совпадающие с частотой выходного высокочастотного сигнала за счет шунтировачия этим частото-зависимым звеном 5 выходного сопротивления транзисторов 1 и 4. Но поскольку выходное сопротивление транзисторов 1 и 4, включенных по схеме с общим коллектором, мало, то эффективность подавления спектральных составляюших спектра широкополосного сигнала манипуляции на частоте выходного сигнала часто недостаточна.10 Для увеличения подавления составляющих спектра сигнала манипуляции на выходной высокой частоте в балансный модулятор введено дополнительное частото-зависимое звено 9 отрицательной обратной связи, структура которого выбрана так, что оцо имеет максимальное сопротивление на частоте выходного высокочастотного сигнала ц создает максимальную отрицательную обратную связь по цепи коллектора, снижая, таким образом, коэффициент передачи транзисторови 4 для соответствуюгцих состав,юцИх сектраВ предложенном балансном модуляторенв цс цд помехоустойчивость по отцошецик к спектральным составляюцим широкополосного модхлирхюпего сигнала.25 Фор.ула изоорс, ения1 дгацсный модхлято), с(дер:дц,четьре транзистора одного типа цричости, эчиттеры первого и второн трап,сторов через частото-зависимое звено рип- тельной обратной связи соеди;енцой г э :";, рами третьего и четвертого трдцзц;, р, базы первого и четвертого, второго : "; 35 го транзисторов соединены соответсвен.с выходами первого и второго входных сгласующих узлов, коллекторы тр,; о третьего транзисторов соединены с входдчг выходного согласующего узла, а колл кто,ы 40первого и четвертого транзисторов содце.цы между собой, отличающийся тем, гго, с целью повышения помехоустойчивости по отношению к спектральным составлявшим широкополосного модулирующего сигнала, между точкой соединения коллекторов пер.4 Ь вого и четвертого транзисторов и шинойпитация выходного согласующего узла включено дополнительное частото-зависимое звено отрицательной обратной связи.Источники информации,0 принятые во внимание при экспертизе1. Заявка ФРГ2536386,кл. Н 03 С 1/36, опублик. 1977.898586 Вью Редактор М. ПетроваЗаказ 1 96773 Составитель Г. Челей Техред А. Бойкас Корректор А. Гриценко Тираж 953 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4