Способ анодирования металлов

(И)М. Кд. С 25 0 11/02 аоеударствапай комитет СССР ао делан изобретений и открытийДата опубликования описания 30. 1 1. 81(72) Авторы изобретения Е,Е.Аверьянов и Г.А.Меркурьев Марийский политехнический институт им. М.Горького(54) СПОСОБ АНОДИРОВАНИЯ МЕТАЛЛОВ Изобретение относится к электролитическому нанесению покрытий, в частности к анодному окислению (анодированию) металлов.По основному авт. св. У 607852 известен способ анодирования металлов в кислых растворах, отличительной особенностью которого является то, что процесс ведут при размещении одного из .электродов выше уровня раствора 1.1 ОНедостаток известного способа заключается в том, что на практике, при значениях Формирующего напряжения 1-300 В, вынесенный из раствора15 электрод располагают на небольшом расстоянии от поверхности раствора (несколько миллиметров) и от второго электрода (несколько десятков миллиметров). Такой технологический режим не обе"печивает опыления пленки равномерной толщины на деталях сложной конигуа 1 ции, так как даже незначительные по толщине выступы в процентном отношении находятся значительно ближе ко второму электроду, чем остальная поверхность, расстояние которой от катода условно принято за единицу.Этот недостаток нельзя устранить, раздвинув электроды, так как при значительном углублении нижнего электрода теряются преимущества способа, заключающиеся в возможности получения толстослойных оксидов. Следовательно, увеличивать межэлектродное расстояние приходится за счет поднятия верхнего электрода. Ввиду того, что основное падение напряжения приходится на кипящий слой, при увеличении межэлектродного промежутка требуется резкое (не пропорциональное расстоянию) увеличение Формирующего напряжения. Это в свою очередь приводит к тому, что окисная пленка из-за интенсивных микропробоев получается с невысокими электрофизическими параметрами.(глубигружениятрода в рмм 0000 10000 20 00 1325 а а полекствор),15 22 (высота второго электрода над раствором),мм Формирующее нпряжение, В 56 Цель изобретения - получение однородных по толщине окисных пленокна деталях сложной конфигурации.Это достигается тем, что анодирование ведут при давлении кислородсодержащей смеси газов над поверхностью раствора от 2000 до 40000 Па.Тогда, согласно закону Пашена,уменьшается формирующее напряжение,необходимое для поддержания раэря Одов в межэлектродном промежутке. Приэтом появляется возможность увеличивать расстояние между электродамибез значительного увеличения формирующего напряжения и получать более 1 Зоднородные по толщине оксидные пленки на деталях сложной конфигурации,так как уменьшается разность расстояний в процентном отношении между катодами и различными точками анодируемого изделия,АноДирование осуществляют следующим образом.Окисляемый образец в каждом конкретном случае помещается на такое дже расстояние ниже уровня раствора,как и катод над раствором, В качествераствора применялись 3% и 20% водныерастворы серной кислоты. Анод и катодвыполняются из алюминиевой фольгичистотой 99,96%. Площадь окисляемойповерхности составляет 1 смОки 2сляемый электрод изгибается на цилин 66 4дрической поверхности таким образом, что стрелка прогиба между центральной частью и краями составляет 0,5 мм. Этим достигается имитация микровыступов на реальном образце. Анодирование всех образцов проводится в течение 10 мин. Вся система для анодирования помещается под колпак вакуумной установки, Однородность окисной пленки .по толщине оценивается величиной пробивного напряжения в различных точках образца.Изобретениеиллюстрируется несколькими примерами, представленными в таблице. Раствор серной кислоты 3%-ный.Хак видно из таблицы, понижениедавления в межэлектродном промежутке улучшает условия для поддержанияразряда и обеспечивает получение более оДнородной по толщине окиснойпленки на деталях сложной конфигура. ции.Использование изобретения позволяет значительно расширить возможности известного способа. Для реализации изобретения не требуется применения специального или дефицитного оборудования.Изобретение может быть реализовано на большинстве предприятий машиностроительной, радиоэлектронной, химической и других промышленностей,ЬПродолжение таблицы 885366 Условия проведе процесса и эксп риментальные Толщина пленки,мкмбретени мула инодиров607852 Способ таллов и ния т ч авт.ющи я тем родных о т од чен ных плен на деталях сл урации, анодиро ние Составитель В.БобокКорректор О.Бип актор Е.Папп Техред М,Рейвес Подписиомитета СССРоткрытийшская наб,каз 10468 39 Тираж 707 ВНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж, Рд, 4/5 илиал ППП Патент , г. Ужгород, ул. Проектная,НеоднородносЫ по толщине (по величине пробивного напряжения)Е елью полуе окисной конфит при давении кислородсодержащей .смеси гаов над поверхностью раствора от 000 до 40000 Па.Источники информации, ринятые во внимание при экспертиз. Авторское свидетельство СССР 607852 , кл. С 25 О 11/02 1975.