Высоковольтный логический элемент

ОП ИСАпИЕ ИЗОЬРЕТЕпИЯ Союз Советски Социалистичесиих Республик(23) Приоритет Государственный комитет СССР по дедам изобретений я открытий(54 ) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ 30 Изобретение относится к вычислительной технике и микроэлектронике,в частности к интегральным схемам дляуправления газоразрядными индикатор 5ными панелями (ГИП ) переменного и постоянного тока.Известен логический элемент, содержащий входной элемент И и выходной инвертор, построенный на трехтранзисторах одного типа проводимости 11,Известен также логический элемент,содержащий входной элемент И, выходкоторого подключен к базе первоготранзистора, эмиттер которого подклю 15чен к общей шине, коллектор - кбазе второго транзистора и через резистор к шине питания, которая черезрезиСтор соединена с коллектором второгоФтранзистора, эмиттер которогоподключен к коллекторупервого транзистора .2 . Недостатками известных устройств являются низкая нагрузочная способность и большая потребляемая мощность.Цель изобретения - увеличение нагрузочной способности и уменьшение потребляемой мощности. Для достижения поставленной цели в высоковольтный логический элемент, содержащий входной элемент И (ИЛИ), выход которого подключен к базе первого транзистора первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, коллектор - к базе второго транзистора первого типа проводимости и через резистор к шине питания, которая через резистор соединена с коллектором второго транзистора первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к выходу и через диод к коллектору первого транзистора первого типа проводимости, введен транзистор второго типа про; водимости, эмиттер которого подключен к шине питания, а база и коллектор соответственно - к коллектору и базе второго транзистора первого типа проводимости. На чертеже изображена принципиальная электрическая схема высоковольтного логического элементаВысоковольтный логический элемент содержит входной элемент 1 И, выходной инвертор 2, построенный на резисторах 3 и 4, транзисторах, 5 и б, первого типа проводимости, диоде 7 итранзисторе 8 второго типа проводимости.Элемент работает следующим образом.Когда на все входы элемента 1 И подается высокий уровень напряжения, открывается и входит в режим насыщения первый транзистор б первого типа проводимости выходного инвертора 2.Низкий уровень напряжения на коллекторе первого транзистора б первого типа проводимости (Озапирает вто рой транзистор 5, первого типа проводимости, вызывая прекращение тока .в цепи базы транзистора 8 второго типа проводимости и резистора 4, в результате чего транзистор 8 второго типа проводимости запирается. На выходе элемента формируется низкий уровень напряжения (О зн г + 0 6 ) с нагруз очным током, втекающим в элемент.Если на один или несколько входов элемента 1 И подать низкий уровень 20 напряжения, то первый транзистор б первого типа проводимости запирается ток, протекающий через резистор 3, уменьшается и переключается в базу второго транзистора 5, первого типа 5 проводимости. Потенциал базы второго транзистора 5 первого типа проводимости повышается, транзистор открывается и через резистор 4 начинает протекать ток, который создает на нем падение напряжения, достаточное для отпирания и насыщения транзистора 8 второго типа проводимости.Открытый транзистор 8 второго типа проводимости, обладающий малым сопро- З 5 тивлением в режиме насыщения, шунтирует высокоомный резистор 3 и обеспечивает значительный ток в базу второго транзистора 5 первого типа проводимости..,Второй транзистор 5 первого типа 40 проводимости насыщается и на выходе формируется высокий уровень напряжения (Е-Ощв-Оз .) с большим нагрузочным током, вытекающим из элемента.Использование транзистора 8 второ го типа проводимости, создающего при отпирании его низкоомную цепь для протекания базового тока второго транзистора 5 первого типа проводимости, позволяет значительно повысить нагру зочную способность элемента по высокому уровню выходного напряжения./Увеличение уровня выходного тока повышает быстродействие элемента при работе на емкостную нагрузку и резко снижает зависимость динамических паь раметров от изменений емкости нагрузки.Кроме того, при использовании транзистора 8, отпадает необходимость в уменьшении номинала резистора 3, Возможное увеличение номинала сопротивления резистора 3 уменьшает протекающий по нему ток при низком уровне выходного напряжения, что увеличивает уровень полезного втекающего в элемент нагрузочного тока и снижает величину рассеиваемой мощности элементом.Применение высоковольтного логического элемента, выполненного в виде интегральной схемы, позволяет уменьшить габариты, потребляемую мощность, снизить себестоимость изготовления, расширить функциональные и логические возможности схем управления уст-, ройствами отображения графической и цифровой информации.Формула изобретенияВысоковольтный логический элемент, содержащий входной элемент И(ИЛИ выход которого подключен к базе первого транзистора первого типа проводимостиэмиттер которого подключен к общей шине, коллектор - к базе второго транзистора первого типа проводимости и через резистор к шине питания, которая через резистор соединена с коллектором второго транзистора первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к выходу и через диод к коллектору первого транзистора первого типа проводимости, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения нагрузочной способности и уменьшения потребляемой мощности, в него введен транзистор второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине питания, а база и коллектор соответственно - к коллектору и базе второго транзистора первого типа проводимости.Источники информации,принятые ва внимание при экспертизе1. Алексенко Л Г,. Основы микроскопотехники. М., "Советское радио",1977, с,22, рис.2.2.3.2, О 191 йате 1 пСецгайед С 1 гсц 1 сО.А.Т.А. Воок , Согс 1 цга соврапу.1973, р.323, Ь 1 д 004-432.Редакто аказ иал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 32/86 Тираж ВНИИПИ Государственного ком по делам изобретений и от 113035, Москва, Ж, Раушс