Способ регистрации пространственного распределения интенсивности излучения

1 11 824732 ОПИСАН И ЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик) Опубликовано 15.10,8 ) Дата опубликования Бюллетень38 УДК 537(088,8 по делам изобретении и открытий(54) СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ПРОСТРАНСТВЕННО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИНТЕНСИВНОСТИ ИЗЛУЧЕНИ 2 Изобретение относится к измерительнойтехнике, а точнее, к способам измерения ипреобразования ИК излучений в видимоеи определению его пространственного распределения.5Известен способ регистрации пространственного распределения интенсивности оптического излучения с использованием регистрирующих сред - тонких магнитных пленок (ТН 1 П),10Способ основан на использовании необратимых изменений распределения намагниченности участков пленки, подвергнувшихся импульсному воздействию тепловогоизлучения 11.15Недостатком известного способа являетсяневысокая точность регистрации ИК-излучения.Наиболее близким к предлагаемому является способ измерения пространственного 20распределения плотности мощности оптического излучения, основанный на воздействии на магнитную пленку с доменной структурой исследуемого излучения и регистрации температурного изменения намагниченности участков пленки 12.Недостатками известного способа являются: отсутствие динамического диапазона,относительно низкое быстродействие( - 10 - 7 с) и невысокое разрешение при 30 длительных (больших 10 -с) импульсах излучения.Целью изобретения является увеличение разрешающей способности, быстродействия и расширения динамического диапазона регистрируемого излучения,Поставленная цель достигается тем, что в способе регистрации пространственного распределения интенсивности излучения, заключающемся в воздействии па магнитную пленку с доменной структурой исследуемого излучения и регистрации температурного излучения намагниченности участков пленки, перед воздействием на пленку исследуемого излучения создают равномерное распределение доменов по поверхности магнитной пленки с цилиндрическими магнитными доменами, регистрируют их локальную концентрацию по поверхности пленки после воздействия исследуемого излучения и по полученным данным судят о пространственном распределении интенсивности исследуемого излучения.На чертеже приведена схема устройства для реализации предлагаемого способа,Способ регистрации пространственного распределения интенсивности излучения основан на воздействии на магнитную пленку исследуемого излучения от объекта, Перед воздействием на пленку исследуемого излу5102025 30 35 10 50 55 чения на пленке генерируют цилиндрические магнитные домены и создают их равномерное распределение. После воздействия на пленку исследуемого излучения отобъекта регистрируют локальную концент.рацию цилиндрических магнитных доменови по полученным данным судят о прострап.ственном расположении интенсивности исследуемого излучения.Устройство для, реализации данного сгособа содержит генератор цилиндрическихмагнитных доменов 1, анализатор 2, приемник оптического излучения 3, предмет, излучающий ИК-лучи 4, оптическую формирующую систему 5, источник излучения(зондирующего) видимого диапазона 6, поляризатор 7, изображение 8 объекта, тонкую магнитную пленку 9 с цилиндрическими магнитными доменами, пермаллоевыеаппликации 10 и устройство для созданияполя смещения Н 11.Устройство для реализации данного способа работает следующим образом,В тонкой магнитной пленке 9 (магнитном диэлектрике типа ферритов либо гранатов) генерируются цилиндрические магнитные домены (ЦМД) с помощью генератора доменов 1,Затем с помощью псрмаллоевой аппликации 10 создается вращающееся магнитное поле и производится равномерное распределение (продвижение) ЦМД по поверхности пленки 9. Система считывания информации о положении ЦМД по поверхности пленки 9 состоит, например, для случая использования эффекта Керра из источника (зондирующего) светового потока6, анализатора 2, поляризатораи приемника 3. До воздействия исследуемого излучения (сигнала от объекта через формирующую оптическую систему 5) системасчитывания регистрирует равномерное распределение ЦМД по поверхности пленки.При воздейств 1.п теплового импульса излучения в зоне изображения 8 объекты возникает градиент температуры, соответствующий градиенту интенсивности падающего излучсния за время, равное длительности импульса.На ЦМД под озд йстшим градиентытемпературы действует силы, в 1,1 зыва 1 оц 1 аясмещение 1(МД,Положение и концентрация 11 МД послезавершения процессы растекания тепла поплощади пленки однозначно хырыктеризуетпространственное распределение интенсивности исследуемого излучения. 4После проведения считывания изменения положений ЦМД производится стирание ЦМД и затем вновь их генерация и продвижение для равномерного их распределения по площади пленки.В настоящее время размеры ЦМД доведены до 1 мкм, поэтому пространственное разрешение всего устройства определяется структурной пермаллоевой аппликацией, ее шагом, составляющим 20 мкм,Максимально допустимая скорость перемещения доменов составляет 300 м/с,Данный способ позволяет осуществить регистрацию пространственного распределения интенсивности излучения со следующими показателями:пространственная разрешающая способность 20 мкм при диаметре ЦМД - 1 - 1,5 мкм;быстродействие - 10- с;динамический диапазон 100.Это значительно превышает возможности известных способов регистрации пространственного распределения интенсивности излучения. Формула изобретения Способ регистрации пространственного распределения интенсивности излучения, заключающийся в воздействии на магнитную пленку с доменной структурой исследуемого излучения и регистрации температурного изменения намагниченности участков пленки, отл ича ющийся тем, что, с целью увеличения разрешающей способности, быстродействия и расширения динамического диапазона регистрирующего излучения, перед воздействием на пленку исследуемого излучения создают равномерное распределение доменов по поверхности магнитной пленки с цилиндрическими магнитными доменами, регистрируют их локальную концентрацию по поверхности пленки после воздействия исследуемого излучения и по получаемым данным судят о пространственном распределении интенсивности исследуемого излучения.Источники информации,принятые во внимание прп экспертизе 1. 7. Мауег, 1.11 гче Ра 1 п 1%пВпд оп Мадпе 1 и. 1"1 ш.,1. Лррид РЬуя 1 е., 29, Мо 6, 1958, р. 10031010.2. Кегпр 1 ег, Вауег, Сигме Тетрега 1 цге апс 1 Ржаве ЯаЬ 1 Иу оп МпВ 1. 1 ЕЕЕ ТгапзасЫоп оп Мазепе(1 с. Ъо 1, 2, Мад. 12, 1976, р. 34 - 36 (прототип),Составитель В. Зайченкоактор Е, Зубиетова Техред А, Камышникова Корректор Е. МихееваЗаказ 1670/13 Изд.245 Тираж 883 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова