Способ изготовления преобразователей телевизионных изображений

(51)4 Н 0 74 ИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИ АВТОРСКО ВИДЕТЕЛЬСТВ,ы р гр" ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТЮ(71) Ордена Ленина физический институт им. П.Н.Лебедева(56) Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник - диэлектрик. М., "Энергия",1976, с. 51.Ргааа Ь,М., В 1 еЪа Ь.М., Сгдп"Ъег 8 Л., ЛасоЪаоп А.Р. 3. оЕ Арр 1.Раув., 1976, 47, У 2, р.р. 584-590;(54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕЛЕВИЗИОННЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ, включающий нанесение на подложку прозрачного проводящего и диэлектрического слоев, формирование фоточувствительного слоя контакта, данного слоя с электрооптической средой, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества преобразователей, для формирования фоточувствительного слоя на диэлектрический слой приклеивают полированную и протравленную с приклеиваемой стороны пластину полупроводника и полируют ее до толщины 10-100 мкм, Ое45 1 8227Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к технологииизготовления преобразователей телевизионных иэображений и может бытьиспользовано для создания устройств 5ввода, преобразования и пространственной модуляции света,Известен способ изготовленияпреобразователей телевизионных изображений на основе структур, содержащих фоточувствительный и электрооптический слои, заключенные междупрозрачными электродами.В данном способе монокристаллическая пластина полупроводника полируется с обе . сторон дотолщины 150200 мкм. Поверхность кристалла подвергается протравливанию, что необходимо для снятия дефектного поверхностного слоя толщиной примерно 1 мкм, 20Затем на обеих сторонах полупроводниковой пластины образуются тонкие(0,2 мкм) слои диэлектрика, например, термическим окислением в сухоми влажном кислороде или осаждениемиз газовой фазы твердых .слоев диэлектриков. Поверх одного из диэлектриков наносится проводящий полупрозрачный слой, например никелевый,К другому диэлектрику примыкаетэлектрооптический слой, напримерэлектролюминофор, который осаждаютхимическим способом из раствора, Та-ким образом формируется преобразователь иэображения. 35Такой способ создания преобразователей изображений обладает следующимнедостатком. указанная .технологияне позволяет изготовить полупроводниковый слой для преобразователей 40толщиной менее 150 мкм, посколькууже при этих толщинах поверхностьполупроводниковой пластины обладает, значительной кривизной, а при меньших толщинах кристалл не обладаетнеобходимой механической прочностью.Преобразователи изображений, созданные по укаэанной технологии, обладают малой разрешающей способностью,низким оптическим качеством. 50Наиболее близким техническим решением к данному изобретению являетсяспособ, при котором на две стеклянные подложки наносят прозрачный электропроводящий слой 1 п 01- ВпО толщиной около 0,04 мкм и поверхностнымсопротивлением около 30 Ом/квадрат,затем на одну из подложек на токо 3.7проводящий слой наносят методом термического напыления в вакууме слой сульфида кадмия толщиной 16 мкм. Режим нанесения слоя сульфида кадмия (температура подложки, скорость напыления) выбраны так, что при напылении поверх слоя сульфида кадмия последующего слоя теллурида кадмия, образуется плавная варизонная структура с фоточувствительностью в области 500-520 нм.Поверх токопроводящего слоя на второй подложке наносят вакуумным напылением слой двуокиси кремния, который является ориентирующим покрытием для жидкого кристалла, который заливается в промежуток, образованный с помощью прокладок между первой и второй подложкой.Недостатками такого способа изготовления преобразователей изображений являются: большая сложность создания фоточувствительного тонкопленочного гетероперехода с варизонной структуройф технология не обеспечивает повторяемости результатов в серии образцов и однородности свойства по площади для единичного образца; узкий спектральный диапазон чувствительности преобразователей изображения.Целью изобретения является упрощение технологии и улучшение качества преобразователей. Цель достигается тем, что дляформирования фоточувствительного слоя на диэлектрический слой приклеивают полированную и протравленную с приклеиваемой стороны пластину полупроводника и полируют ее до толщины 10-100 мкм,Последовательность выполнения предлагаемого способа поясняется чертежом.На чертеже изображены подложка 1 (стекло, плавленный кварц), прозрачное проводящее покрытие 2, диэлектрический слой 3 (двуокись кремния,двуокись титана), пластина 4 полупроводникового монокристалла, жидкий кристалл 5, подложка 6 с проводящим покрытием.Фоточувствительный слой. выполняется следующим образом.На подложку 1 из плавленного кварца толщиной 10 мм и диаметром 40 мм наносят проводящее прозрачное покрытие 2 из 1 п Оз + 97 Бп 01 методомСоставитель Ю.-К.В.РозенкранцРедактор А,Лежнина Техред Л.Сердюкова Корректор Т.Колб Подписное Заказ 6052/1 Тираж 624ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная,4 з 822137 4 электронно-лучевого испарения в ва- мают поверхностный поврежденный слой кууме. Это покрытие имело толщину и этой поверхностью клеят полупровод- О, 1 мкм и поверхностное сопротивле- никовый кристалл к диэлектрическому ние 65 Ом/квадрат. Поверх проводя- слою. Затем полупроводниковый крис- щего слоя наносят методом химическо-талл полируется до толщины 20 мкм го осаждения 4-х слойное композицион- .и травится. Этот фоточувствительный ное покрытие 3 из двуокиси титана - слой используется совместно со слоем двуокиси кремния общей толщиной жидкого кристалла 5 толщиной 2 мкм.0,35 мкм, Пластину 4 кремния толщиной В качестве последнего применяют 2 мм и диаметром 2 см полируют с од смесь азоксисоединений с эфиронитной стороны по оптическому классу рилом.точности (шероховатость поверхности Настоящее изобретение позволяет менее 0,04 мкм, отклонение от плос- преобразовать телевизионные изобракости менее 1 мкм). Обработкой крем- жения в реальном времени с высокой ния в полирующем травителе СРА сниоптической однородностью.