Кассета

Номер патента: 1432614

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Григорьева, Смердов, Чечкин

МПК: G21B 1/00

Метки: антенное, высокочастотного, нагрева, основе, плазмы, реакторе, термоядерном, токамака

...режима работы устройства, при котором высокочастотные токи, протекающие в соседних отрезках (в сечениях, отстоящих на одинаковом расстоянии от места подключения к высокочастотному генератору), равны поо величине и сдвинуты по фазе на 180, ц 0 смещение каждого последующего отрезка относительно предыдущего осущест" влено в направлении цолоидальной ком-, поненты магнитного поля на расстояниеЬ = а 1/сК,где а - малый радиус токамака, на котором размещено антенное устройство;запас устойчивости на радиусе аьК - большой радиус токамака;1 - расстояние между серединамисоседних отрезков полосковойлинии.Приведенная зависимость для Ь обуславливает то, что участки отрезков,находящиеся под одинаковым по абсолютной величине потенциалом, расположены...

Номер патента: 1455364

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Лонгинов, Павлов, Степанов

МПК: G21B 1/00

Метки: высокочастотного, ловушках, магнитных, нагрева, плазмы, термоядерных

...где и концентрация ионов добавки; п, - конентрация основных ионов; Ч- тепло ая скорость ионов добавки; Чф,- фаэовая скорость волны вдоль магнитНого поля при температуре ионов добавки Травной температуре Т; основ-ных ионов. 55Благодаря этому зона ИЦР для добанки доступна для ММВ даже при Т; = : Т , За счет циклотронного поглощемия ММВ в зоне формируется функция где Р- мощность трансформированияв ММВ;и(Т) - концентрация ионов добавкив момент времени :, усредненная по объему Ч, н котором происходит поглощение высокочастотной мощности;Е - средняя энергия резонансных частиц;скорость потери энергиирезонансных частиц, с энергией Е за счет их торможения на ионах и электронах основной плазмы.Энергия резонансных частиц Е в оптимальных условиях...

Номер патента: 1732398

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Куркалов, Сика

МПК: H01L 21/68

Метки: контроле, пластин, подачи, позиционирования, полупроводниковых, свойств

...параллельные неправ- элементов 10 и имеет возможность вертиляющие с внутренними рабочими сторона кального перемещения с помощью электроми, держатель пластин, включающий магнита 11. На направляющих 2 надограничитель горизонтального перемеще- измерителем 5 установлен прижим 12,ния и поддерживающие опоры пластин,участок позиционирования и привод, ус- Поддерживающие опоры для пластин мотановленный на корпусе, причем направ гут быть выполнены в виде горизонтальнойляющие установлены на корпусе, полки направляющих 2, имеющих :образдополнительно содержит пару приводных ный профиль (фиг,1, 2),роликов, имеющих вертикальные оси вра- Устройство может содержать по крайщения и касающихся внутреннихсторон на- ней мере два дополнительных...

Номер патента: 824785

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Коваленко, Лонгинов, Нижник

МПК: G21B 1/00

Метки: высокочастотного, нагрева, плазмы

...будет заключен во всем объеме между излучающим элементом и стенкой вакуумной камеры и определяться токами, текущими по проводникам излучающего элемента, Этим достигается значительное уменьшение доли паразитной индуктивности, что позволяет уменьшить по сравнению с прототипом угол наклона проводников излучающего элемента без ухудшения качеств устройства и в конечном счете уменьшить волновое сопротивление устройства и увеличить уровень вводимой в плазму высокочастотной энергии. Благодаря плавному изменению зазора между поверхностью, образованной дополнительными проводниками, и поверхностью излучающего элемента от места их соединения в направлении общего проводника достигается минимальное значение паразитного потока (паразитной...

Номер патента: 585565

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Власов, Зайцева, Полисан, Томашевский

МПК: H01L 21/68

Метки: пластин, полупроводниковых, фиксации

...к технологии изготовления полупроводниковых приборов и можетиспользоваться при обработке, транспортировке и хранении полупроводниковых пластин.Известен способ фиксации полупроводниковых пластин при групповой обработке, предусматривающей их установку в радиальные пазыкассеты, 1. Однако он не совершенен из-занедостаточной надежности фиксации пластинпри транспортировке и хранении.Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ фиксацииполупроводниковых пластин, включающий растягивание цилиндрических пружин между продольными ограничителями рамы, установкупластин между витками пружины и сжатиепружины 2,Известный способ позволяет зафиксироватьпластины при технологической обработке, однако, при хранении и транспортировке...